【RQK0302GGDQS硅N沟道MOS FET电源开关REJ03G1270-0300Rev.3.00】,IC型号RQK0302GGDQSTL-E,RQK0302GGDQSTL-E PDF资料,RQK0302GGDQSTL-E经销商,ic,电子元器件-51电子网

RQK0302GGDQS

硅N沟道MOS FET

电源开关

REJ03G1270-0300

Rev.3.00

2006年6月22日

特点

低导通电阻

DS （ ON）

= 81毫欧（典型值）（V

= 10 V，I

= 1.9 A)

低驱动电流

高速开关

4.5 V门极驱动

概要

瑞萨封装代码： PLZZ0004CA -A

（包名称： UPAK

)

2, 4

1.门

2.漏

3.源

4.漏

注意：

标记为“ GG ” 。

* UPAK是瑞萨科技公司的商标。

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

符号

DSS

GSS

评级

±20

3.8

5.6

3.8

1.5

150

-55到+150

单位

°C

漏电流峰值

D（脉冲）注1

体 - 漏二极管的反向漏电流

散热通道

PCH

Note2

散热通道

PCH

(pulse)Note1

通道温度

总胆固醇

储存温度

TSTG

注意事项： 1， PW

≤

1秒，占空比

≤

2.当使用玻璃环氧基板（FR-4 ： 40 ×40 ×1mm）上

Rev.3.00 2006年6月22日第1页6

RQK0302GGDQS

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

漏源击穿电压

栅源击穿电压

门源漏电流

漏极至源极漏电流

门源截止电压

漏极至源极导通电阻

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

打开 - 延迟时间

上升时间

打开 - 关闭延迟时间

下降时间

总栅极电荷

门源费

栅漏电荷

身体 - 漏极二极管的正向电压

注： 3.脉冲测试

符号

（ BR ） DSS

（ BR ） GSS

GSS

DSS

GS （ OFF ）

DS （ ON）

西塞

科斯

CRSS

D（上）

D（关闭）

QGS

QGD

民

±20

—

1.0

—

2.6

—

典型值

—

107

4.3

170

8.7

7.9

3.2

0.6

1.2

0.85

最大

—

±10

2.0

102

150

—

单位

测试条件

= 10 mA时， V

= 0

±100 A,

= 0

±16

V, V

= 0

= 30 V, V

= 0

= 10 V，I

= 1毫安

= 1.9 A，V

= 10 V

Note3

= 1.9 A，V

= 4.5 V

Note3

= 1.9 A，V

= 10 V

Note3

= 10 V, V

= 0,

F = 1 MHz的

= 0.5 A ，V

= 10 V,

= 20

RG = 4.7

= 10 V, V

= 10 V,

= 3.8 A

= 1.5 A，V

= 0

Note3

Rev.3.00 2006年6月22日第2页6

RQK0302GGDQS

主要特点

最大信道功率

耗散曲线

2.0

100

在这一领域

由R有限公司

DS （ ON）

最高安全工作区

通道耗散P沟（W）的

1.5

漏电流I

(A)

1.0

TIO

0.5

0.1

TA = 25°C

1次脉冲

100

125

150

0.01

0.1

100

环境温度Ta （C ）

*当使用玻璃环氧基板（FR-4 ： 40

1 mm)

漏极至源极电压V

(V)

典型的输出特性

3.8 V脉冲测试

TC = 25

3.6 V

10 V

3.4 V

典型的传输特性

(1)

= 5 V

脉冲测试

漏电流I

(A)

3.2 V

漏电流I

(A)

TC = 75℃

3.0 V

2.8 V

= 0 V

25°C

–25°C

漏极至源极电压V

(V)

栅极至源极电压V

(V)

门源截止电压主场迎战

门源截止电压

GS （ OFF ）

(V)

典型的传输特性

(2)

= 5 V

脉冲测试

外壳温度

2.5

漏电流I

(A)

0.1

TC = 75℃

= 10毫安

1毫安

0.01

25°C

–25°C

1.5

100

= 10 V

脉冲测试

0.1

–25

100 125

150

0.001

0.0001

1.5

2.5

栅极至源极电压V

(V)

壳温度（ ° C）

Rev.3.00 2006年6月22日第3页6

RQK0302GGDQS

漏极至源极饱和电压与

栅极至源极电压

脉冲测试

TC = 25°C

漏极至源极饱和电压V

DS （ ON）

(V)

静态漏极至源极通态电阻

与漏电流

0.7

0.6

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

0.5 A

漏极至源极导通电阻

DS （ ON）

()

0.8

= 4.5 V

0.1

10 V

= 3 A

1.5 A

脉冲测试

TC = 25°C

0.01

0.1

栅极至源极电压V

(V)

静态漏极至源极通态电阻

与外壳温度

漏电流I

(A)

静态漏极至源极通态电阻

与外壳温度

漏极至源极导通电阻

DS （ ON）

(m)

250

脉冲测试

= 4.5 V

200

1.5 A

150

0.5 A

100

= 3 A

漏极至源极导通电阻

DS （ ON）

(m)

200

脉冲测试

= 10 V

= 3 A

150

1.5 A

100

0.5 A

–25

100 125 150

–25

100 125 150

壳温度（ ° C）

正向转移导纳主场迎战

漏电流

壳温度（ ° C）

零栅极电压漏极电流与

外壳温度

10000

1000

脉冲测试

= 0 V

= 30 V

100

脉冲测试

= 10 V

TC = -25°C

25°C

75°C

零栅极电压漏极电流I

DSS

（ nA的）

正向转移导纳| YFS | （ S）

100

0.1

漏电流I

(A)

0.1

–25

100 125 150

壳温度（ ° C）

Rev.3.00 2006年6月22日第4 6

RQK0302GGDQS

动态输入特性

漏极至源极电压V

(V)

栅极至源极电压V

(V)

100

= 3.8 A

TC = 25°C

=10 V

20 V

= 20 V

10 V

0.8

1.6

2.4

3.2

4.0

1000

= 10 V

RG = 4.7

= 5

TC = 25°C

TD （关闭）

开关特性

开关时间t（ NS ）

100

TD （上）

0.01

0.1

1.0

栅极电荷Qg （ NC ）

漏电流I

(A)

典型的电容比。

漏源极电压

1000

260

250

输入电容与

栅极至源极电压

西塞，科斯，的Crss （PF ）

西塞

100

240

西塞（PF ）

科斯

CRSS

= 0 V

F = 1 MHz的

230

220

210

200

190

–10

= 0 V

F = 1 MHz的

–5

漏极至源极电压V

(V)

反向漏电流 -

源极到漏极电压

栅极至源极电压V

(V)

体漏二极管的正向电压 -

外壳温度

0.8

= 0

0.7

0.6

= 10毫安

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

–25

1毫安

脉冲测试

TC = 25°C

= 10 V

0 V, –5 V, –10 V

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

体漏二极管的正向电压V

SDF

(V)

反向漏电流I

(A)

100 125

150

漏源电压V

(V)

壳温度（ ° C）

Rev.3.00 2006年6月22日第5 6

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