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RQK0301FGDQS
硅N沟道MOS FET
电源开关
REJ03G1269-0300
Rev.3.00
2006年6月22日
特点
低导通电阻
R
DS ( ON)
= 28毫欧(典型值) (V
GS
= 10 V,I
D
= 3 A)
低驱动电流
高速开关
4.5 V门极驱动
概要
瑞萨封装代码: PLZZ0004CA -A
(包名称: UPAK
R
)
2, 4
D
2
3
1G
4
S
3
1
1.门
2.漏
3.源
4.漏
注意:
标记是“FG” 。
* UPAK是瑞萨科技公司的商标。
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
评级
30
±20
6
8.8
6
1.5
5
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
W
W
°C
°C
漏电流峰值
I
D(脉冲)注1
体 - 漏二极管的反向漏电流
I
DR
散热通道
PCH
Note2
散热通道
PCH
(pulse)Note1
通道温度
总胆固醇
储存温度
TSTG
注意事项: 1, PW
1秒,占空比
1%
2.当使用玻璃环氧基板(FR-4 : 40 ×40 ×1mm)上
Rev.3.00 2006年6月22日第1页6
RQK0301FGDQS
电气特性
( TA = 25°C )
漏源击穿电压
栅源击穿电压
门源漏电流
漏极至源极漏电流
门源截止电压
漏极至源极导通电阻
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
打开 - 延迟时间
上升时间
打开 - 关闭延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
身体 - 漏极二极管的正向电压
注: 3.脉冲测试
符号
V
( BR ) DSS
V
( BR ) GSS
I
GSS
I
DSS
V
GS ( OFF )
R
DS ( ON)
R
DS ( ON)
|y
fs
|
西塞
科斯
CRSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Qg
QGS
QGD
V
DF
30
±20
1.0
6.9
典型值
28
35
11.5
750
112
61
13
39
51
4.0
12
1.8
2.1
0.75
最大
±10
1
2.0
35
49
单位
V
V
A
A
V
m
m
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
测试条件
I
D
= 10 mA时, V
GS
= 0
I
G
=
±100 A,
V
DS
= 0
V
GS
=
±16
V, V
DS
= 0
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0
V
DS
= 10 V,I
D
= 1毫安
I
D
= 3 A,V
GS
= 10 V
Note3
I
D
= 3 A,V
GS
= 4.5 V
Note3
I
D
= 3 A,V
DS
= 10 V
Note3
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0,
F = 1 MHz的
I
D
= 1 A,V
GS
= 10 V,
R
L
= 10
,
RG = 4.7
V
DD
= 10 V, V
GS
= 10 V,
I
D
= 6 A
I
F
= 1.5 A,V
GS
= 0
Note3
Rev.3.00 2006年6月22日第2页6
RQK0301FGDQS
主要特点
最大信道功率
耗散曲线
2.0
100
在这一领域
由R有限公司
DS ( ON)
10
s
1m
100
s
最高安全工作区
通道耗散P沟(W)的
1.5
漏电流I
D
(A)
PW
=1
1.0
1
s
0m
D
C
O
ra
pe
TIO
n
0.5
0.1
TA = 25°C
1次脉冲
0
0
25
50
75
100
125
150
0.01
0.01
0.1
1
10
100
环境温度Ta (C )
*当使用玻璃环氧基板(FR-4 : 40
×
40
×
1 mm)
漏极至源极电压V
DS
(V)
典型的输出特性
6
5
2.8 V
3V
5V 4V
8V
10 V
2.4 V
典型的传输特性
(1)
6
V
DS
= 5 V
脉冲测试
2.6 V
脉冲测试
TC = 25
°
C
5
漏电流I
D
(A)
4
3
2
1
漏电流I
D
(A)
4
3
TC = 75℃
2
1
0
0
25°C
–25°C
2.2 V
V
GS
= 0 V
2V
0
0
1
2
3
4
5
1
2
3
4
漏极至源极电压V
DS
(V)
栅极至源极电压V
GS
(V)
门源截止电压主场迎战
典型的传输特性
(2)
门源截止电压
V
GS ( OFF )
(V)
1
V
DS
= 5 V
脉冲测试
10
外壳温度
漏电流I
D
(A)
0.1
TC = 75℃
I
D
= 10毫安
1
0.01
25°C
–25°C
100
A
1毫安
0.001
V
DS
= 10 V
脉冲测试
0.1
–25
0
25
50
75
100 125
150
0.0001
0
1
2
3
4
栅极至源极电压V
GS
(V)
壳温度( ° C)
Rev.3.00 2006年6月22日第3页6
RQK0301FGDQS
漏极至源极饱和电压与
栅极至源极电压
脉冲测试
TC = 25°C
漏极至源极饱和电压V
DS ( ON)
(V)
静态漏极至源极通态电阻
与漏电流
漏极至源极导通电阻
R
DS ( ON)
()
0.3
100
V
GS
= 4.5 V
10 V
10
0.2
I
D
= 3 A
2A
1.5 A
0.1
1A
0.5 A
0
0
2
4
6
8
10
脉冲测试
TC = 25°C
1
0.1
1
10
100
栅极至源极电压V
GS
(V)
静态漏极至源极通态电阻
与外壳温度
漏电流I
D
(A)
静态漏极至源极通态电阻
与外壳温度
漏极至源极导通电阻
R
DS ( ON)
(m)
60
脉冲测试
V
GS
= 4.5 V
50
1.5 A
1A
0.5 A
40
I
D
= 3 A
2A
漏极至源极导通电阻
R
DS ( ON)
(m)
50
脉冲测试
V
GS
= 10 V
1.5 A
40
1A
0.5 A
30
I
D
= 3 A
2A
30
20
–25
0
25
50
75
100 125 150
20
–25
0
25
50
75
100 125 150
壳温度( ° C)
壳温度( ° C)
100
零栅极电压漏极电流I
DSS
( nA的)
正向转移导纳主场迎战
漏电流
零栅极电压漏极电流与
外壳温度
脉冲测试
V
GS
= 0 V
V
DS
= 30 V
1000
正向转移导纳| YFS | ( S)
10000
脉冲测试
V
DS
= 10 V
10
–25°C
25°C
TC = 75℃
1
100
10
0.1
0.1
1
10
100
1
–25
0
25
50
75
100 125 150
漏电流I
D
(A)
壳温度( ° C)
Rev.3.00 2006年6月22日第4 6
RQK0301FGDQS
动态输入特性
开关特性
漏极至源极电压V
DS
(V)
栅极至源极电压V
GS
(V)
100
I
D
= 6.0 A
TC = 25°C
80
V
DD
=10 V
20 V
40
V
DS
V
DD
= 20 V
10 V
0
4
8
12
16
20
1000
tf
开关时间t( NS )
16
V
GS
12
TD (关闭)
100
V
DD
= 10 V
V
GS
= 10 V
RG = 4.7
P
W
= 5
s
TC = 25°C
60
8
TD (上)
10
20
4
0
20
tr
0
1
0.01
0.1
1.0
10
栅极电荷Qg ( NC )
漏电流I
D
(A)
典型的电容比。
漏源极电压
1000
西塞
1150
1100
1050
1000
950
CRSS
V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
0
10
20
30
900
850
–10
输入电容与
栅极至源极电压
西塞,科斯,的Crss (PF )
100
科斯
西塞(PF )
V
DS
= 0 V
F = 1 MHz的
–5
0
5
10
10
漏极至源极电压V
DS
(V)
反向漏电流 -
源极到漏极电压
6
栅极至源极电压V
GS
(V)
体漏二极管的正向电压 -
外壳温度
0.8
V
GS
= 0
5
4
V
GS
= 10 V
脉冲测试
TC = 25°C
体漏二极管的正向电压V
SDF
(V)
反向漏电流I
DR
(A)
0.6
I
D
= 10毫安
0.4
1毫安
5V
3
2
1
0
0V
–5 V, –10 V
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
0.2
–25
0
25
50
75
100 125
150
漏源电压V
SD
(V)
壳温度( ° C)
Rev.3.00 2006年6月22日第5 6
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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RENESAS
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UPAK
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联系人:刘经理
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全新原装正品/质量有保证
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联系人:销售部
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