RQK0301FGDQS
硅N沟道MOS FET
电源开关
REJ03G1269-0300
Rev.3.00
2006年6月22日
特点
低导通电阻
R
DS ( ON)
= 28毫欧(典型值) (V
GS
= 10 V,I
D
= 3 A)
低驱动电流
高速开关
4.5 V门极驱动
概要
瑞萨封装代码: PLZZ0004CA -A
(包名称: UPAK
R
)
2, 4
D
2
3
1G
4
S
3
1
1.门
2.漏
3.源
4.漏
注意:
标记是“FG” 。
* UPAK是瑞萨科技公司的商标。
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
评级
30
±20
6
8.8
6
1.5
5
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
W
W
°C
°C
漏电流峰值
I
D(脉冲)注1
体 - 漏二极管的反向漏电流
I
DR
散热通道
PCH
Note2
散热通道
PCH
(pulse)Note1
通道温度
总胆固醇
储存温度
TSTG
注意事项: 1, PW
≤
1秒,占空比
≤
1%
2.当使用玻璃环氧基板(FR-4 : 40 ×40 ×1mm)上
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