【RQK0202RGDQA硅N沟道MOS FET电源开关REJ03G1322-0300Rev.3.00】,IC型号RQK0202RGDQATL-E,RQK0202RGDQATL-E PDF资料,RQK0202RGDQATL-E经销商,ic,电子元器件-51电子网

RQK0202RGDQA

硅N沟道MOS FET

电源开关

REJ03G1322-0300

Rev.3.00

2006年6月12日

特点

低导通电阻

DS （ ON）

= 42毫欧（典型值）（V

= 4.5 V，I

= 1.9 A)

低驱动电流

高速开关

2.5 V门极驱动

概要

瑞萨封装代码： PLSP0003ZB -A

（包名称： MPAK ）

1.源

2.门

3.排水

注意：

标记是“RG” 。

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

符号

漏源极电压

DSS

栅极至源极电压

GSS

漏电流

Note1

漏电流峰值

D（脉冲）

体 - 漏二极管的反向漏电流

散热通道

PCH

Note2

通道温度

总胆固醇

储存温度

TSTG

注意事项： 1， PW

≤

占空比

≤

2.当使用玻璃环氧基板（FR-4 ： 40 ×40 ×1mm）上

评级

±12

3.8

0.8

150

-55到+150

单位

°C

Rev.3.00 2006年6月12日第1页6

RQK0202RGDQA

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

漏源击穿电压

栅源击穿电压

门源漏电流

漏极至源极漏电流

门源截止电压

漏极至源极导通电阻

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

打开 - 延迟时间

上升时间

打开 - 关闭延迟时间

下降时间

总栅极电荷

门源费

栅漏电荷

身体 - 漏极二极管的正向电压

注： 3.脉冲测试

符号

（ BR ） DSS

（ BR ） GSS

GSS

DSS

GS （ OFF ）

DS （ ON）

西塞

科斯

CRSS

D（上）

D（关闭）

QGS

QGD

民

±12

—

0.4

—

典型值

—

8.5

293

3.7

0.5

0.8

0.85

最大

—

±10

1.4

—

1.1

单位

测试条件

= 10 mA时， V

= 0

±100 A,

= 0

±10

V, V

= 0

= 20 V, V

= 0

= 10 V，I

= 1毫安

= 1.9 A，V

= 4.5 V

Note3

= 1.9 A，V

= 2.5 V

Note3

= 1.9 A，V

= 10 V

Note3

= 10 V

= 0

F = 1 MHz的

= 1.9 A

= 4.5 V

= 5.2

RG = 4.7

= 10 V

= 4.5 V

= 3.8 A

= 3.8 A，V

= 0

Note3

Rev.3.00 2006年6月12日第2页6

RQK0202RGDQA

主要特点

最大信道功率

耗散曲线

100

在这一领域

由R有限公司

DS （ ON）

100

最高安全工作区

通道耗散P沟（W）的

漏电流I

(A)

0.8

0.6

0.4

0.2

0.1

TA = 25°C

1次脉冲

100

150

0.01

0.1

100

环境温度Ta （C ）

*当使用玻璃环氧基板（FR-4 ： 40

1 mm)

漏极至源极电压V

(V)

10 V

典型的输出特性

典型的传输特性

(1)

= 10 V

脉冲测试

2.8 V

3.0 V

2.2 V

漏电流I

(A)

2.4 V

脉冲测试

TC = 25

2.0 V

1.8 V

1.6 V

漏电流I

(A)

2.6 V

2 TC = 75℃

1.4 V

= 0 V

0.5

25°C

–25°C

1.5 2 2.5

3.5

漏极至源极电压V

(V)

栅极至源极电压V

(V)

门源截止电压主场迎战

= 10 V

脉冲测试

门源截止电压

GS （ OFF ）

(V)

典型的传输特性

(2)

外壳温度

1.6

= 10 V

脉冲测试

1.2

= 10毫安

0.8

漏电流I

(A)

0.1

TC = 75℃

0.01

25°C

0.001

–25°C

0.4

1毫安

0.1毫安

0.0001

0.5

1.5

–25

100 125 150

栅极至源极电压V

(V)

壳温度（ ° C）

Rev.3.00 2006年6月12日第3页6

RQK0202RGDQA

漏极至源极饱和电压

DS （ ON）

（毫伏）

漏极至源极饱和电压与

栅极至源极电压

静态漏极至源极通态电阻

与漏电流

漏极至源极导通电阻

DS （ ON）

)

400

脉冲测试

TC = 25°C

1000

脉冲测试

TC = 25°C

300

200

3.8 A

100

1.9 A

0.5 A

100

= 2.5 V

4.5 V

10 V

0.1

100

栅极至源极电压

(V)

静态漏极至源极通态电阻

与外壳温度

漏电流

(A)

静态漏极至源极通态电阻

与外壳温度

漏极至源极导通电阻

DS （ ON）

)

漏极至源极导通电阻

DS （ ON）

)

100

1.9 A

–25

0.5 A

脉冲测试

.5 V

100 125 150

= 3.8 A

脉冲测试

= 4.5 V

1.9 A

= 3.8 A

0.5 A

–25

100 125 150

外壳温度

TC （

外壳温度

TC （

零栅极电压漏极电流与

外壳温度

10000

脉冲测试

= 0 V

1000 V

= 20 V

正向转移导纳

| YFS | （ S）

100

脉冲测试

= 10 V

–25°C

零栅极电压漏极电流

DSS

（ nA的）

正向转移导纳主场迎战

漏电流

100

25°C

TC = 75℃

0.1

–25

0.1

0.01

0.1

100

100 125 150

漏电流

(A)

外壳温度

TC （

Rev.3.00 2006年6月12日第4 6

RQK0202RGDQA

动态输入特性

开关特性

漏极至源极电压V

(V)

栅极至源极电压V

(V)

1000

开关时间

T（ NS ）

100

= 10 V

= 4.5 V

RG = 4.7

PW = 5

TC = 25°C

TD （关闭）

TD （上）

= 20 V

10 V

= 20 V

3.8

TC = 25°C

0.1

100

栅极电荷Qg （ NC ）

漏电流

(A)

典型的电容比。

漏源极电压

1000

600

输入电容与

栅极至源极电压

西塞，科斯，的Crss （PF ）

西塞

550

西塞（PF ）

500

100

科斯

CRSS

= 0 V

F = 1 MHz的

450

400

350

= 0 V

F = 1 MHz的

–

漏源极电压

(V)

反向漏电流 -

源极到漏极电压

栅极至源极电压V

(V)

体漏二极管的正向电压 -

外壳温度

0.6

= 0

0.5

反向漏电流I

(A)

10 V

脉冲测试

TC = 25°C

体漏二极管的正向电压V

SDF

(V)

0.4

= 10毫安

0.3

–5, –10 V

= 0 V

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

0.2

0.1

1毫安

100

125

150

源极到漏极电压V

(V)

壳温度（ ° C）

Rev.3.00 2006年6月12日第5 6

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