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首字符R的型号第338页
> RQJ0602EGDQATL-H
初步
数据表
RQJ0602EGDQA
硅P沟道MOS场效应晶体管
电源开关
特点
低导通电阻
R
DS ( ON)
= 490 m典型值(V
GS
= -10 V,I
D
= –0.55 A)
低驱动电流
高速开关
4.5 V门极驱动
R07DS0299EJ0500
(上一篇: REJ03G1273-0400 )
Rev.5.00
2011年3月28日
概要
瑞萨封装代码: PLSP0003ZB -A
(包名称: MPAK )
3
D
3
1
2
S
1
2
G
1.源
2.门
3.排水
注意:
标记为“ EG ” 。
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体 - 漏二极管的反向漏电流
散热通道
通道温度
储存温度
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D(脉冲)注1
I
DR
PCH
Note2
总胆固醇
TSTG
评级
–60
+10 / –20
–1.1
–3
–1.1
0.8
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
W
C
C
注意事项: 1, PW
10
s,
占空比
1%
2.当使用玻璃环氧基板(FR-4 : 40
40
1 mm)
R07DS0299EJ0500 Rev.5.00
2011年3月28日
第1页6
RQJ0602EGDQA
初步
电气特性
( TA = 25°C )
项
漏源击穿电压
栅源击穿电压
栅源击穿电压
门源漏电流
门源漏电流
漏极至源极漏电流
门源截止电压
漏极至源极导通电阻
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
打开 - 延迟时间
上升时间
打开 - 关闭延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
身体 - 漏极二极管的正向电压
注: 3.脉冲测试
符号
V
( BR ) DSS
V
( BR ) GSS
V
( BR ) GSS
I
GSS
I
GSS
I
DSS
V
GS ( OFF )
R
DS ( ON)
R
DS ( ON)
|y
fs
|
西塞
科斯
CRSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Qg
QGS
QGD
V
DF
民
–60
+10
–20
—
—
—
–1.0
—
—
0.7
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
—
—
—
490
613
1.2
145
24
11
23
24
28
19
3.0
0.5
0.6
–0.9
最大
—
—
—
+10
–10
–1
–2.0
613
854
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
单位
V
V
V
A
A
A
V
m
m
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
测试条件
I
D
= -10毫安,V
GS
= 0
I
G
=
+100 A,
V
DS
= 0
I
G
= –100
A,
V
DS
= 0
V
GS
=
+8
V, V
DS
= 0
V
GS
=
–16
V, V
DS
= 0
V
DS
= –60 V, V
GS
= 0
V
DS
= -10 V,I
D
= -1毫安
I
D
= -0.55 A,V
GS
= –10 V
Note3
I
D
= -0.55 A,V
GS
= –4.5 V
Note3
I
D
= -0.55 A,V
DS
= –10 V
Note3
V
DS
= –10 V, V
GS
= 0,
F = 1 MHz的
I
D
= -0.5 A,V
GS
= –10 V,
R
L
= 20
,
RG = 4.7
V
DD
= –10 V, V
GS
= –10 V,
I
D
= –1.1A
I
F
= -1.5 A,V
GS
= 0
Note3
R07DS0299EJ0500 Rev.5.00
2011年3月28日
第2 6
RQJ0602EGDQA
初步
主要特点
最大信道功率
耗散曲线
1.2
–100
在这一领域
-10由R不限
DS ( ON)
0
10
最高安全工作区
通道耗散P沟(W)的
0.8
0.6
0.4
0.2
0
漏电流I
D
(A)
1.0
–1
D
C
O
1
m
s
μ
s
PW
=
10
s
m
ra
pe
–0.1
TC = 25
°
C
TIO
n
0
25
50
75
100
125
150
–0.01
–0.01
–0.1
–1
–10
–100
环境温度Ta (C )
*当使用玻璃环氧基板(FR-4 : 40
×
40
×
1 mm)
漏极至源极电压V
DS
(V)
典型的输出特性
–10 V
典型的传输特性
(1)
–1.0
V
DS
= –10 V
脉冲测试
–1.0
–0.8
–4.5 V
–3.1 V
–3 V
漏电流I
D
(A)
–2.8 V
漏电流I
D
(A)
–2.9 V
–0.8
–0.6
–2.7 V
–2.6 V
–2.5 V
–0.6
TC = 75℃
–0.4
25°C
–0.2
–25°C
–0.4
–0.2
脉冲测试
TC = 25
°
C
–2.4 V
–2.3 V
V
GS
= 0 V
0
0
–1
–2
–3
–4
–5
0
0
–1
–2
–3
–4
漏极至源极电压V
DS
(V)
栅极至源极电压V
GS
(V)
门源截止电压主场迎战
门源截止电压
V
GS ( OFF )
(V)
典型的传输特性
(2)
–0.1
V
DS
= -10 V
脉冲测试
外壳温度
–2.5
漏电流I
D
(A)
–2.0
–0.01
TC = 75℃
25°C
–25°C
I
D
= -10毫安
= 1毫安
–1.5
–0.001
–1.0
V
DS
= –10 V
脉冲测试
–0.5
–25
0
25
50
75
-0.1毫安
–0.0001
0
–0.5
–1
–1.5
–2
–2.5
–3
100 125
150
栅极至源极电压V
GS
(V)
壳温度( ° C)
R07DS0299EJ0500 Rev.5.00
2011年3月28日
第3页6
RQJ0602EGDQA
漏极至源极饱和电压与
栅极至源极电压
脉冲测试
TC = 25°C
–1.5
初步
静态漏极至源极通态电阻
与漏电流
漏极至源极饱和电压V
DS ( ON)
(V)
漏极至源极导通电阻
R
DS ( ON)
(Ω)
–2.0
10
脉冲测试
TC = 25°C
3
–1.0
I
D
= –1 A
–0.5 A
–0.2 A
1.0
V
GS
= –4.5 V
–10 V
–0.5
0.3
0
0
–4
–8
–12
–16
–20
0.1
–0.1
–0.3
–1
–3
–10
栅极至源极电压V
GS
(V)
静态漏极至源极通态电阻
与外壳温度
漏电流I
D
(A)
静态漏极至源极通态电阻
与外壳温度
漏极至源极导通电阻
R
DS ( ON)
(mΩ)
1200
脉冲测试
V
GS
= –4.5 V
1000
I
D
= –1.0 A
–0.5 A
–0.2 A
漏极至源极导通电阻
R
DS ( ON)
(mΩ)
1000
900
800
700
600
500
400
300
–25
–0.5 A
–0.2 A
脉冲测试
V
GS
= 10 V
I
D
= –1 A
800
600
400
–25
0
25
50
75
100 125 150
0
25
50
75
100 125 150
壳温度( ° C)
壳温度( ° C)
零栅极电压漏极电流与
外壳温度
–1000
10
脉冲测试
V
DS
= –10 V
–25°C
1
25°C
TC = 75℃
零栅极电压漏极电流I
DSS
( nA的)
正向转移导纳主场迎战
漏电流
正向转移导纳| YFS | ( S)
脉冲测试
V
GS
= 0 V
V
DS
=
–
60 V
–100
–10
0.1
–0.1
–0.3
–1.0
–1
–25
0
25
50
75
100
125 150
漏电流I
D
(A)
壳温度( ° C)
R07DS0299EJ0500 Rev.5.00
2011年3月28日
第4 6
RQJ0602EGDQA
动态输入特性
漏极至源极电压V
DS
(V)
V
DD
= –10 V
–20
–25 V
–50 V
–60
初步
开关特性
栅极至源极电压V
GS
(V)
0
1000
V
DD
= –10 V
V
GS
= –10 V
RG = 4.7
Ω
PW = 5
μs
TC = 25°C
TD (上)
10 TR
tf
TD (关闭)
0
–40
–25 V
–10 V
开关时间t( NS )
V
DD
= –50 V
–4
–8
100
V
DS
V
GS
I
D
= –1.1 A
TC = 25°C
0
0.8
1.2
2.4
2.8
3.2
–12
–80
–16
–100
–20
4.0
1
–0.01
–0.1
–1
–10
栅极电荷Qg ( NC )
漏电流I
D
(A)
典型的电容比。
漏源极电压
1000
V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
230
220
210
输入电容与
栅极至源极电压
西塞,科斯,的Crss (PF )
100
西塞
西塞(PF )
200
190
180
170
V
DS
= 0 V
F = 1 MHz的
–5
0
5
10
10
科斯
CRSS
1
0
–10
–20
–30
–40
–50
160
–10
漏极至源极电压V
DS
(V)
反向漏电流 -
源极到漏极电压
–1.0
栅极至源极电压V
GS
(V)
体漏二极管的正向电压 -
外壳温度
–1.0
V
GS
= 0
–0.9
–0.8
–0.7
–0.6
–0.5
–0.4
–0.3
–25
= 1毫安
I
D
= -10毫安
脉冲测试
TC = 25°C
–0.8
–10 V
–0.6
V
GS
= 0 V, 5 V
–0.4
V
GS
= –5 V
–0.2
0
0
体漏二极管的正向电压V
SDF
(V)
反向漏电流I
DR
(A)
–0.4
–0.8
–1.2
–1.6
–2.0
0
25
50
75
100 125
150
源极到漏极电压V
SD
(V)
壳温度( ° C)
R07DS0299EJ0500 Rev.5.00
2011年3月28日
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RQJ0602EGDQATL-H
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