【RQJ0601DGDQS硅P沟道MOS场效应晶体管电源开关REJ03G1266-0300Rev.3.】,IC型号RQJ0601DGDQSTL-E,RQJ0601DGDQSTL-E PDF资料,RQJ0601DGDQSTL-E经销商,ic,电子元器件-51电子网

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RQJ0601DGDQS

硅P沟道MOS场效应晶体管

电源开关

REJ03G1266-0300

Rev.3.00

2006年6月5日

特点

低导通电阻

R

DS （ ON）

= 124毫欧（典型值）（V

GS

= -10 V，I

D

= –1.4 A)

低驱动电流

高速开关

4.5 V门极驱动

概要

瑞萨封装代码： PLZZ0004CA -A

（包名称： UPAK

R

)

2, 4

D

2

3

1G

4

S

3

1

1.门

2.漏

3.源

4.漏

注意：

标记为“ DG ” 。

* UPAK是瑞萨科技公司的商标。

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

评级

–60

+10 / –20

–2.8

–4.2

–2.8

1.5

5

150

-55到+150

单位

V

V

A

A

A

W

W

°C

°C

漏电流峰值

I

D（脉冲）注1

体 - 漏二极管的反向漏电流

I

DR

散热通道

PCH

Note2

散热通道

PCH

(pulse)Note1

通道温度

总胆固醇

储存温度

TSTG

注意事项： 1， PW

≤

1秒，占空比

≤

1%

2.当使用玻璃环氧基板（FR-4 ： 40 ×40 ×1mm）上

Rev.3.00 2006年6月5日第1页6

RQJ0601DGDQS

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

漏源击穿电压

栅源击穿电压

栅源击穿电压

门源漏电流

门源漏电流

漏极至源极漏电流

门源截止电压

漏极至源极导通电阻

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

打开 - 延迟时间

上升时间

打开 - 关闭延迟时间

下降时间

总栅极电荷

门源费

栅漏电荷

身体 - 漏极二极管的正向电压

注： 3.脉冲测试

符号

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） GSS

V

（ BR ） GSS

I

GSS

I

GSS

I

DSS

V

GS （ OFF ）

R

DS （ ON）

R

DS （ ON）

|y

fs

|

西塞

科斯

CRSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Qg

QGS

QGD

V

DF

民

–60

+10

–20

—

—

—

–1.0

—

—

2.5

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

典型值

—

—

—

—

—

—

—

124

150

4.1

590

75

36

20

41

43

78

9.6

1.3

1.5

-0.8

最大

—

—

—

+10

–10

–1

–2.0

155

210

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

单位

V

V

V

A

A

A

V

m

m

S

pF

pF

pF

ns

ns

ns

ns

nC

nC

nC

V

测试条件

I

D

= -10毫安，V

GS

= 0

I

G

= +100

A,

V

DS

= 0

I

G

= –100

A,

V

DS

= 0

V

GS

= +8 V, V

DS

= 0

V

GS

= –16 V, V

DS

= 0

V

DS

= –60 V, V

GS

= 0

V

DS

= -10 V，I

D

= -1毫安

I

D

= -1.4 A，V

GS

= –10 V

Note3

I

D

= -1.4 A，V

GS

= –4.5 V

Note3

I

D

= -1.4 A，V

DS

= –10 V

Note3

V

DS

= -10 V, V

GS

= 0,

F = 1 MHz的

I

D

= -1 A，V

GS

= –10 V,

R

L

= 10

,

RG = 4.7

V

DD

= –10 V, V

GS

= –10 V,

I

D

= –2.8 A

I

F

= -1.5 A，V

GS

= 0

Note3

Rev.3.00 2006年6月5日第2 6

RQJ0601DGDQS

主要特点

最大信道功率

耗散曲线

2.0

–100

在这一领域

由R有限公司

DS （ ON）

–10

100

s

PW

1 m

s

=

10

m

s

最高安全工作区

通道耗散P沟（W）的

1.5

漏电流I

D

(A)

1.0

–1

DC

O

pe

ra

TIO

n

0.5

–0.1

TA = 25°C

1次脉冲

0

0

25

50

75

100

125

150

–0.01

–0.01

–0.1

–1

–10

–100

环境温度Ta （C ）

*当使用玻璃环氧基板（FR-4 ： 40

×

40

×

1 mm)

漏极至源极电压V

DS

(V)

典型的输出特性

–2.5

–3 V

–10 V

–2.5

脉冲测试

TC = 25

°

C

典型的传输特性

(1)

V

DS

= –10 V

脉冲测试

–2.7 V

漏电流I

D

(A)

漏电流I

D

(A)

–2.0

–2.0

–1.5

–2.5 V

–1.0

–2.3 V

–1.5

–1.0

–0.5

–0.5

0

25°C

TC = 75℃

–25°C

0

V

GS

= 0 V

0

–2

–4

–6

–8

–10

0 –0.5 –1 –1.5 –2 –2.5 –3 –3.5 –4

漏极至源极电压V

DS

(V)

栅极至源极电压V

GS

(V)

门源截止电压主场迎战

–0.1

V

DS

= –10 V

脉冲测试

门源截止电压

V

GS （ OFF ）

(V)

典型的传输特性

(2)

外壳温度

–2.5

漏电流I

D

(A)

TC = 75℃

–0.01

–2

I

D

= -10毫安

–1.5

= 1毫安

–100

A

V

DS

= –10 V

脉冲测试

0

25

50

75

100 125 150

25°C

–0.001

–1

–25°C

–0.0001

0

–0.5

–1

–1.5

–2

–2.5

–3

–0.5

–25

栅极至源极电压V

GS

(V)

壳温度（ ° C）

Rev.3.00 2006年6月5日第3页6

RQJ0601DGDQS

漏极至源极饱和电压与

栅极至源极电压

静态漏极至源极通态电阻

与漏电流

漏极至源极饱和电压V

DS （ ON）

(V)

漏极至源极导通电阻

R

DS （ ON）

()

–0.8

1

脉冲测试

TC = 25°C

脉冲测试

TC = 25°C

–0.6

V

DS

=

–

4.5 V

0.1

–

10 V

–0.4

–

0.2 A

–0.2

–

1.5 A

–

1 A

–

0.5 A

0

0

–5

–10

–15

–20

0.01

–0.1

–1

–10

栅极至源极电压V

GS

(V)

漏电流I

D

(A)

静态漏极至源极通态电阻

与外壳温度

静态漏极至源极通态电阻

与外壳温度

漏极至源极导通电阻

R

DS （ ON）

(m)

300

脉冲测试

V

GS

=

–

4.5 V

250

–

1 A

漏极至源极导通电阻

R

DS （ ON）

(m)

250

脉冲测试

V

GS

=

–

10 V

200

I

D

=

–1.5

A

200

–

0.5 A

–

0.2 A

150

150

100

I

D

=

–

0.2 A,

–0.5

A,

–1

A,

–1.5

A

50

–25

100

–25

0

25

50

75

100 125

150

0

25

50

75

100 125

150

壳温度（ ° C）

壳温度（ ° C）

零栅极电压漏极电流I

DSS

（ nA的）

正向转移导纳主场迎战

漏电流

零栅极电压漏极电流与

外壳温度

–1000

脉冲测试

V

GS

= 0 V

V

DS

=

–

60 V

–100

正向转移导纳| YFS | （ S）

10

–25°C

25°C

1

TC = 75℃

–10

0.1

–0.1

脉冲测试

V

DS

=

–

10 V

–1.0

–10.0

–1

–25

0

25

50

75 100 125 150

漏电流I

D

(A)

壳温度（ ° C）

Rev.3.00 2006年6月5日第4 6

RQJ0601DGDQS

动态输入特性

漏极至源极电压V

DS

(V)

V

DD

=

–

10 V

–

20

–

25 V

–

50 V

–

60 V

DS

–

4

开关特性

栅极至源极电压V

GS

(V)

0

1000

0

开关时间t（ NS ）

tf

100

TD （关闭）

TD （上）

10

tr

V

DD

=

–

10 V

V

GS

=

–

10 V

RG = 4.7

PW = 5

s

TC = 25°C

–

0.1

–

1

–

10

V

GS

–

8

–

40

V

DD

=

–

50 V

–

25 V

–

12

–

80

I

D

=

–

2.8 A

TC = 25°C

0

4

8

–

10 V

–

16

–

100

–

20

12

16

20

–

0.01

1

栅极电荷Qg （ NC ）

漏电流I

D

(A)

典型的电容比。

漏源极电压

1000

西塞

900

输入电容与

栅极至源极电压

西塞，科斯，的Crss （PF ）

850

100

西塞（PF ）

科斯

CRSS

10

800

750

700

V

GS

= 0 V

F = 1 MHz的

V

DS

= 0 V

F = 1 MHz的

0

2

4

6

8

10

1

–0

–10

–20

–30

–40

–50

–60

650

–10 –8 –6 –4 –2

漏极至源极电压V

DS

(V)

反向漏电流 -

源极到漏极电压

–2.

5

栅极至源极电压V

GS

(V)

体漏二极管的正向电压 -

外壳温度

–

0.9

体漏二极管的正向电压V

SDF

(V)

反向漏电流I

DR

(A)

–

10V

–

2

脉冲测试

TC = 25°C

V

GS

= 0

–

0.8

I

D

=

–

1 A

–

0.7

–

0.6

–

0.5

–

0.4

–

0.3

–

1.5

–

5V

–

1

–

10毫安

–

0.5

V

GS

= 0 V, 5 V

0

0

–

0.4

–

0.8

–

1.2

–

1.6

–

2.0

–25

0

25

50

75

100 125 150

漏源电压V

SD

(V)

壳温度（ ° C）

Rev.3.00 2006年6月5日第5 6

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