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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符R型号页 > 首字符R的型号第377页 > RQJ0304DQDQATL-H
初步
数据表
RQJ0304DQDQA
硅P沟道MOS场效应晶体管
电源开关
特点
低栅极驱动器
V
DSS
： -30 V和2.5 V门极驱动
低驱动电流
高速开关
传统的小封装（ MPAK ）
R07DS0296EJ0200
（上一篇： REJ03G1717-0100 ）
Rev.2.00
2011年3月28日
概要
瑞萨封装代码： PLSP0003ZB -A
（包名称： MPAK ）
3
D
3
1
2
2
G
1.源
2.门
3.排水
S
1
注：标记为"DQ" 。
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体 - 漏二极管的反向漏电流
散热通道
通道温度
储存温度
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D（脉冲）注1
I
DR
PCH
Note2
总胆固醇
TSTG
评级
–30
+8 / –12
–1.8
–8
1.8
0.8
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
W
°C
°C
注意事项： 1， PW
≤
10
μs,
占空比
≤
1%
2.当使用玻璃环氧基板（FR-4 40
×
40
×
1 mm)
R07DS0296EJ0200 Rev.2.00
2011年3月28日
第1页7
RQJ0304DQDQA
初步
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
漏源击穿电压
栅源击穿电压
栅源击穿电压
门源漏电流
门源漏电流
漏极至源极漏电流
门源截止电压
漏极至源极导通电阻
漏极至源极导通电阻
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
打开 - 延迟时间
上升时间
打开 - 关闭延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
身体 - 漏极二极管的正向电压
注： 3.脉冲测试
符号
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） GSS
V
（ BR ） GSS
I
GSS
I
GSS
I
DSS
V
GS （ OFF ）
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
|y
fs
|
西塞
科斯
CRSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Qg
QGS
QGD
V
DF
民
–30
+8
–12
—
—
—
–0.4
—
—
1.8
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
—
—
—
195
300
2.5
185
45
25
18
33
22
5
1.9
0.4
0.7
–0.9
最大
—
—
—
+10
–10
–1
–1.4
245
420
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
–1.3
单位
V
V
V
μA
μA
μA
V
mΩ
mΩ
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
测试条件
I
D
= -10毫安，V
GS
= 0
I
G
= +100
μA,
V
DS
= 0
I
G
= –100
μA,
V
DS
= 0
V
GS
= +6 V, V
DS
= 0
V
GS
= –10 V, V
DS
= 0
V
DS
= –30 V, V
GS
= 0
V
DS
= -10 V，I
D
= -1毫安
I
D
= -1.0 A，V
GS
= –4.5 V
Note3
I
D
= -1.0 A，V
GS
= –2.5 V
Note3
I
D
= -1.0 A，V
DS
= –10 V
Note3
V
DS
= –10 V, V
GS
= 0,
F = 1 MHz的
I
D
= –1.0 A
V
GS
= –4.5 V
R
L
= 10
Ω
R
g
= 4.7
Ω
V
DD
= –10 V
V
GS
= –4.5 V
I
D
= –2.0 A
I
F
= -2.0 A，V
GS
= 0
Note3
R07DS0296EJ0200 Rev.2.00
2011年3月28日
第2 7
RQJ0304DQDQA
初步
主要特点
最大信道功率
耗散曲线
1
–10
0
10
最高安全工作区
通道耗散P沟（W）的
1
m
s
μ
s
漏电流I
D
(A)
0.8
s
s
m
m
10
100
–1
DC
0.6
Op
at
er
离子
0.4
–0.1
在这一领域
由R有限公司
DS （ ON）
TA = 25°C
1次脉冲
0.2
0
0
25
50
75
100
125
150
–0.01
–0.01
–0.1
–1
–10
–100
环境温度Ta （C ）
*当使用玻璃环氧基板（FR-4 40 ×40 ×1mm）上
漏极至源极电压V
DS
(V)
典型的输出特性
–8 V
典型的传输特性
(1)
–4.4 V
–4.2 V
–4.0 V
–3.8 V
–3.6 V
–3.4 V
–3.2 V
–3.0 V
–2.8 V
–2.6 V
–2.4 V
–10
–10 V
–5 V
–4.8 V
脉冲测试
TC = 25
°
C
–2.0
V
DS
= –10 V
脉冲测试
漏电流I
D
(A)
–6
漏电流I
D
(A)
–8
–1.6
–1.2
–4
–2.0 V
–1.6 V
V
GS
= 0V
–0.8
TC = 75℃
–0.4
25°C
–25°C
0
0
1
2
3
4
–2
0
0
–2
–4
–6
–8
–10
漏极至源极电压V
DS
(V)
栅极至源极电压V
GS
(V)
门源截止电压主场迎战
门源截止电压
V
GS （ OFF ）
(V)
典型的传输特性
(2)
–1
TC = 75℃
外壳温度
–1.5
漏电流I
D
(A)
–0.1
25°C
–25°C
= 1毫安
–1.0
I
D
= -10毫安
–0.01
–0.5
-0.1毫安
–0.001
V
DS
= –10 V
脉冲测试
–0.0001
0
–0.5
–1
–1.5
–2
–2.5
–3
V
DS
= –10 V
脉冲测试
0
–25
0
25
50
75
100 125 150
栅极至源极电压V
GS
(V)
壳温度（ ° C）
R07DS0296EJ0200 Rev.2.00
2011年3月28日
第3页7
RQJ0304DQDQA
漏极至源极饱和电压与
栅极至源极电压
初步
静态漏极至源极通态电阻
与漏电流
漏极至源极导通电阻
R
DS （ ON）
(
Ω
)
漏极至源极饱和电压
V
DS （ ON）
(V)
–0.8
脉冲测试
TC = 25°C
1
V
GS
= –2.5 V
–4.5 V
–0.6
–0.4
I
D
= –2.0 A
–1.5 A
0.1
–10 V
–0.2
–1.0 A
–0.5 A
0
0
–2
–4
–6
–8
–10
0.01
–0.1
脉冲测试
TC = 25°C
–1
–10
栅极至源极电压
V
GS
(V)
静态漏极至源极通态电阻
与外壳温度（ 1 ）
漏电流
I
D
(A)
静态漏极至源极通态电阻
与外壳温度（ 2 ）
漏极至源极导通电阻
R
DS （ ON）
(
Ω
)
漏极至源极导通电阻
R
DS （ ON）
(
Ω
)
0.6
I
D
= –2.0 A
0.5
–1.5 A
0.4
–1.0 A
0.3
–0.5A
0.2
0.1
0
–25
0.35
0.3
–1.5 A
0.25
0.2
0.15
0.1
0.05脉冲测试
V
GS
= –
4.5
V
0
–25 0
25 50
–0.5A
–1.0 A
I
D
= –2.0 A
脉冲测试
V
GS
= –2.5 V
0
25
50
75
100 125 150
75
100 125 150
外壳温度
TC （
°
C)
正向转移导纳主场迎战
漏电流
外壳温度
TC （
°
C)
零栅极电压漏极电流与
外壳温度
–10000
脉冲测试
V
GS
= 0 V
V
DS
= –30 V
10
脉冲测试
V
DS
= –10 V
零栅极电压漏极电流I
DSS
（ nA的）
正向转移导纳
| YFS | （ S）
–1000
–25°C
25°C
–100
TC = 75℃
–10
1
–0.1
1
10
–1
–25
0
25
50
75
100 125 150
漏电流
I
D
(A)
外壳温度
TC （
°
C)
R07DS0296EJ0200 Rev.2.00
2011年3月28日
第4 7
RQJ0304DQDQA
动态输入特性
漏极至源极电压V
DS
(V)
V
DD
= –10 V
–25 V
–10
–2
初步
开关特性
栅极至源极电压V
GS
(V)
0
1000
V
GS
= –4.5 V, V
DD
= –10 V
RG = 4.7
Ω,
税
≤
1 %
TC = 25°C
100
TD （上）
10
TD （关闭）
tr
0
–20
V
DD
= –10 V
–25 V
–4
开关时间
T（ NS ）
–30
–6
tf
–40
0
I
D
=
–
2.0 A
TC = 25
°C
1
2
3
4
5
–8
1
–0.01
–0.1
–1
–10
栅极电荷Qg （ NC ）
漏电流
I
D
(A)
典型的电容比。
漏源极电压
1000
V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
输入电容与
栅极至源极电压
360
340
320
300
280
260
西塞，科斯，的Crss （PF ）
西塞
科斯
CRSS
10
西塞（PF ）
100
1
–0
–5
–10
–15
–20
–25
–30
V
DS
= 0
F = 1MHz的
2
4
6
8 10
240
–10 –8 –6 –4 –2 0
漏源极电压
V
DS
(V)
反向漏电流 -
源极到漏极电压
–10
栅极至源极电压V
GS
(V)
体漏二极管的正向电压 -
外壳温度
–0.6
V
GS
= 0
–0.5
反向漏电流I
DR
(A)
脉冲测试
TC = 25°C
–8
体漏二极管的正向电压V
SDF
(V)
I
D
= -10毫安
–6
–10 V
–4.5 V
–0.4
= 1毫安
–0.3
–4
–2.5 V
V
GS
= 0, 2.5, 4.5, 10 V
–2
0
0
–0.4
–0.8
–1.2
–1.6
–0.2
–25
0
25
50
75
100 125 150
源极到漏极电压V
SD
(V)
壳温度（ ° C）
R07DS0296EJ0200 Rev.2.00
2011年3月28日
第5页第7
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