【初步数据表RQJ0303PGDQA硅P沟道MOS场效应晶体管电源开关特点低导通电阻RDS （ ON）】,IC型号RQJ0303PGDQATL-H,RQJ0303PGDQATL-H PDF资料,RQJ0303PGDQATL-H经销商,ic,电子元器件-51电子网

初步

数据表

RQJ0303PGDQA

硅P沟道MOS场效应晶体管

电源开关

特点

低导通电阻

DS （ ON）

= 54毫欧（典型值）（V

= -10 V，I

= –1.6 A)

低驱动电流

高速开关

4.5 V门极驱动

R07DS0295EJ0500

（上一篇： REJ03G1272-0400 ）

Rev.5.00

2011年3月28日

概要

瑞萨封装代码： PLSP0003ZB -A

（包名称： MPAK ）

1.源

2.门

3.排水

注意：

标记为“ PG ” 。

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

漏电流峰值

体 - 漏二极管的反向漏电流

散热通道

通道温度

储存温度

符号

DSS

GSS

D（脉冲）注1

PCH

Note2

总胆固醇

TSTG

评级

–30

+10 / –20

–3.3

–5

–3.3

0.8

150

-55到+150

单位

°C

注意事项： 1， PW

≤

μs,

占空比

≤

2.当使用玻璃环氧基板（FR-4 ： 40

1 mm)

R07DS0295EJ0500 Rev.5.00

2011年3月28日

第1页6

RQJ0303PGDQA

初步

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

漏源击穿电压

栅源击穿电压

门源漏电流

漏极至源极漏电流

门源截止电压

漏极至源极导通电阻

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

打开 - 延迟时间

上升时间

打开 - 关闭延迟时间

下降时间

总栅极电荷

门源费

栅漏电荷

身体 - 漏极二极管的正向电压

注： 3.脉冲测试

符号

（ BR ） DSS

（ BR ） GSS

GSS

DSS

GS （ OFF ）

DS （ ON）

西塞

科斯

CRSS

D（上）

D（关闭）

QGS

QGD

民

–30

+10

–20

—

–1.0

—

2.5

—

典型值

—

4.2

625

111

5.7

1.5

2.9

–0.9

最大

—

+10

–10

–1

–2.0

107

—

单位

μA

mΩ

测试条件

= -10毫安，V

= 0

= +100

μA,

= 0

= –100

μA,

= 0

= +8 V, V

= 0

= –16 V, V

= 0

= –30 V, V

= 0

= -10 V，I

= -1毫安

= -1.6 A，V

= –10 V

Note3

= -1.6 A，V

= –4.5 V

Note3

= -1.6 A，V

= –10 V

Note3

= –10 V, V

= 0,

F = 1 MHz的

= -1 A，V

= –10 V,

= 6.6

Ω,

RG = 4.7

= –10 V, V

= –10 V,

= –3.3A

= -1.5 A，V

= 0

Note3

R07DS0295EJ0500 Rev.5.00

2011年3月28日

第2 6

RQJ0303PGDQA

初步

主要特点

最大信道功率

耗散曲线

1.2

–100

在这一领域

由R有限公司

DS （ ON）

最高安全工作区

通道耗散P沟（W）的

漏电流I

(A)

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

–10

100

μs

–1

TIO

–0.1

TC = 25

100

125

150

–0.01

–0.1

–1

–10

–100

环境温度Ta （C ）

*当使用玻璃环氧基板（FR-4 ： 40

1 mm)

漏极至源极电压V

(V)

典型的输出特性

–2.5

典型的传输特性

(1)

–1.0

= –10 V

脉冲测试

–1.0

–0.8

–4

–

10 V

–3

–2.4

脉冲测试

TC = 25

–2.3 V

漏电流I

(A)

漏电流I

(A)

–0.8

25°C

–0.6

–2.2

–0.6

–0.4

–2.1

–2

–1.9

–0.4

TC = 75℃

–0.2

–25°C

= 0 V

–1

–2

–3

–4

–5

–0.5

–1

–1.5

–2

–2.5

漏极至源极电压V

(V)

栅极至源极电压V

(V)

门源截止电压主场迎战

门源截止电压

GS （ OFF ）

(V)

典型的传输特性

(2)

–0.1

= –10 V

脉冲测试

外壳温度

–2.0

= -10毫安

–1.5

= 1毫安

–1.0

-0.1毫安

–0.5

= –10 V

脉冲测试

–25

100 125

150

漏电流I

(A)

–0.01

TC = 75℃

25°C

–25°C

–0.001

–0.0001

–0.5

–1

–1.5

–2

–2.5

–3

栅极至源极电压V

(V)

壳温度（ ° C）

R07DS0295EJ0500 Rev.5.00

2011年3月28日

第3页6

RQJ0303PGDQA

漏极至源极饱和电压与

栅极至源极电压

初步

静态漏极至源极通态电阻

与漏电流

漏极至源极饱和电压V

DS （ ON）

(V)

漏极至源极导通电阻

DS （ ON）

(Ω)

–0.3

脉冲

TEST

TC =

25°C

–0.2

–1.0

–0.1

–0.5

–0.2

–4

–8

–12

–16

–20

1.0

脉冲

TEST

TC =

25°C

0.3

0.1

= -4.5

–10

0.03

0.01

–0.1

–0.3

–1

–3

–10

栅极至源极电压V

(V)

静态漏极至源极通态电阻

与案例

温度

漏电流

(A)

静态漏极至源极通态电阻

与案例

温度

漏极至源极导通电阻

DS （ ON）

(mΩ)

漏极至源极导通电阻

DS （ ON）

(mΩ)

120

110

100

–25

脉冲

TEST

= –4.5

= –1

–0.5

–0.2

脉冲

TEST

= –10

= –1

–0.5

–0.2

100 125 150

–25

100 125

150

例

温度Tc

(°C)

例

温度Tc

(°C)

零栅极电压漏极电流与

例

温度

–

10000

脉冲

TEST

= –10

–25°C

零栅极电压漏极电流

DSS

（ nA的）

正向传递

导纳主场迎战

漏电流

正向传递

导纳

(S)

–

1000

脉冲

TEST

0 V

–3

0 V

TC =

75°C

25°C

–

100

–

0.1

–

0.1

–

0.3

–

–25

100 125 150

漏电流

(A)

例

温度Tc

(°C)

R07DS0295EJ0500 Rev.5.00

2011年3月28日

第4 6

RQJ0303PGDQA

动态输入特性

漏极至源极电压V

(V)

栅极至源极电压V

(V)

= –25 V

–10 V

–40 V

= –25 V

–60

= –3.3 A

TC = 25°C

–100

–20

–10 V

–8

1000

初步

开关特性

= -10 V

RG = 4.7

PW = 5

μs

TC = 25°C

开关时间t（ NS ）

–20

–4

100

TD （关闭）

TD （上）

–12

10 t

–80

–16

–0.01

–0.1

–1

–10

栅极电荷Qg （ NC ）

漏电流I

(A)

典型的电容比。

漏源极电压

10000

= 0 V

F = 1 MHz的

1000

1050

输入电容与

栅极至源极电压

= 0 V

F = 1 MHz的

西塞，科斯，的Crss （PF ）

西塞（PF ）

–30

西塞

950

科斯

100

CRSS

900

850

–10

–20

800

–10

–5

漏极至源极电压V

(V)

反向漏电流 -

源极到漏极电压

–1.0

栅极至源极电压V

(V)

体漏二极管的正向电压 -

外壳温度

–0.9

= 0

–0.8

–0.7

–0.6

–0.5

–0.4

–0.3

= 1毫安

= -10毫安

反向漏电流I

(A)

= –10 V

–0.8

–5 V

脉冲测试

TC = 25°C

–0.6

–0.4

= 5 V

–0.2

体漏二极管的正向电压V

SDF

(V)

–0.4

–0.8

–1.2

–1.6

–2.0

100

125

150

源极到漏极电压V

(V)

壳温度（ ° C）

R07DS0295EJ0500 Rev.5.00

2011年3月28日

分页： 5 6

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