【RQJ0301HGDQS硅P沟道MOS场效应晶体管电源开关REJ03G1265-0300Rev.3.】,IC型号RQJ0301HGDQSTL-E,RQJ0301HGDQSTL-E PDF资料,RQJ0301HGDQSTL-E经销商,ic,电子元器件-51电子网

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RQJ0301HGDQS

硅P沟道MOS场效应晶体管

电源开关

REJ03G1265-0300

Rev.3.00

2006年6月5日

特点

低导通电阻

R

DS （ ON）

= 38 m

典型值（V

GS

= -10 V，I

D

= –2.6 A)

低驱动电流

高速开关

4.5 V门极驱动

概要

瑞萨封装代码： PLZZ0004CA -A

（包名称： UPAK

R

)

2, 4

D

2

3

1G

4

S

3

1

1.门

2.漏

3.源

4.漏

注意：

标记为“HG” 。

* UPAK是瑞萨科技公司的商标。

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

评级

–30

+10 / –20

–5.2

–7.6

–5.2

1.5

5

150

-55到+150

单位

V

V

A

A

A

W

W

°C

°C

漏电流峰值

I

D（脉冲）注1

体 - 漏二极管的反向漏电流

I

DR

散热通道

PCH

Note2

散热通道

PCH

(pulse)Note1

通道温度

总胆固醇

储存温度

TSTG

注意事项： 1， PW

≤

1秒，占空比

≤

1%

2.当使用玻璃环氧基板（FR-4 ： 40 ×40 ×1mm）上

Rev.3.00 2006年6月5日第1页6

RQJ0301HGDQS

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

漏源击穿电压

栅源击穿电压

栅源击穿电压

门源漏电流

门源漏电流

漏极至源极漏电流

门源截止电压

漏极至源极导通电阻

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

打开 - 延迟时间

上升时间

打开 - 关闭延迟时间

下降时间

总栅极电荷

门源费

栅漏电荷

身体 - 漏极二极管的正向电压

注： 3.脉冲测试

符号

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） GSS

V

（ BR ） GSS

I

GSS

I

GSS

I

DSS

V

GS （ OFF ）

R

DS （ ON）

R

DS （ ON）

|y

fs

|

西塞

科斯

CRSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Qg

QGS

QGD

V

DF

民

–30

+10

–20

—

—

—

–1.0

—

—

4.1

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

典型值

—

—

—

—

—

—

—

38

56

6.8

845

153

118

22

41

50

6.8

18

1.6

6.0

–0.8

最大

—

—

—

+10

–10

–1

–2.0

48

79

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

单位

V

V

V

A

A

A

V

m

m

S

pF

pF

pF

ns

ns

ns

ns

nC

nC

nC

V

测试条件

I

D

= -10毫安，V

GS

= 0

I

G

= +100

A,

V

DS

= 0

I

G

= –100

A,

V

DS

= 0

V

GS

= +8 V, V

DS

= 0

V

GS

= –16 V, V

DS

= 0

V

DS

= –30 V, V

GS

= 0

V

DS

= -10 V，I

D

= -1毫安

I

D

= -2.6 A，V

GS

= –10 V

Note3

I

D

= -2.6 A，V

GS

= –4.5 V

Note3

I

D

= -2.6 A，V

DS

= –10 V

Note3

V

DS

= –10 V, V

GS

= 0,

F = 1 MHz的

I

D

= -1 A，V

GS

= –10 V,

R

L

= 10

,

RG = 4.7

V

DD

= -10 V, V

GS

= -10 V,

I

D

= –5.2 A

I

F

= -1.5 A，V

GS

= 0

Note3

Rev.3.00 2006年6月5日第2 6

RQJ0301HGDQS

主要特点

最大信道功率

耗散曲线

2.0

–100

在这一领域

由R有限公司

DS （ ON）

–10

PW

1

m

s

最高安全工作区

通道耗散P沟（W）的

1.5

漏电流I

D

(A)

100

s

=

1.0

–1

DC

10

O

pe

ra

m

s

TIO

n

0.5

–0.1

TA = 25°C

1次脉冲

0

0

25

50

75

100

125

150

–0.01

–0.01

–0.1

–1

–10

–100

环境温度Ta （C ）

*当使用玻璃环氧基板（FR-4 ： 40

×

40

×

1 mm)

漏极至源极电压V

DS

(V)

典型的输出特性

–10 V

典型的传输特性

(1)

–6

–5

V

DS

= –10 V

脉冲测试

–6

–5

–4

–3

–2

–1

0

脉冲测试

TC = 25

°

C

–2.9 V

–3.0 V

–3.5 V

–2.8 V

–2.7 V

漏电流I

D

(A)

漏电流I

D

(A)

–2.6 V

–2.5 V

–2.4 V

–2.3 V

–2.2 V

–4

–3

–2

–1

25°C

TC = 75℃

0

0

–1

–2

–25°C

–3

–4

–5

V

GS

= 0 V

0

–2

–4

–6

–8

–10

漏极至源极电压V

DS

(V)

栅极至源极电压V

GS

(V)

门源截止电压主场迎战

–0.1

V

DS

= –10 V

脉冲测试

门源截止电压

V

GS （ OFF ）

(V)

典型的传输特性

(2)

外壳温度

–2

漏电流I

D

(A)

TC = 75℃

–0.01

25°C

–1.5

I

D

= -10毫安

= 1毫安

–1

-0.1毫安

V

DS

= –10 V

脉冲测试

–0.5

–25

0

25 50

–0.001

–25°C

–0.0001

0

–0.5

–1

–1.5

–2

–2.5

–3

75

100 125 150

栅极至源极电压V

GS

(V)

壳温度（ ° C）

Rev.3.00 2006年6月5日第3页6

RQJ0301HGDQS

漏极至源极饱和电压与

栅极至源极电压

–0.3

–0.25

–0.2

–0.15

–0.1

–

1 A

–

2.6 A

–

2 A

–

1.5 A

漏极至源极饱和电压V

DS （ ON）

(V)

静态漏极至源极通态电阻

与漏电流

漏极至源极导通电阻

R

DS （ ON）

()

100

脉冲测试

TC = 25°C

V

DS

=

–

4.5 V

脉冲测试

TC = 25°C

–

10 V

30

–0.05

0

0

–

0.5 A

–4

–8

–12

–16

–20

10

–0.1

–1

–10

栅极至源极电压V

GS

(V)

漏电流I

D

(A)

静态漏极至源极通态电阻

与外壳温度

静态漏极至源极通态电阻

与外壳温度

漏极至源极导通电阻

R

DS （ ON）

(m)

漏极至源极导通电阻

R

DS （ ON）

(m)

90

80

70

60

50

–

0.5 A

70

60

50

40

–

0.5 A

脉冲测试

V

GS

=

–

4.5 V

I

D

=

–

2.6 A

–

1.5 A

脉冲测试

V

GS

=

–

10 V

I

D

=

–

2.6 A

–

1.5 A

40

30

20

10

–25

0

25

50

75

100 125 150

30

20

10

–25

0

25

50

75

100 125

150

壳温度（ ° C）

壳温度（ ° C）

零栅极电压漏极电流I

DSS

（ nA的）

正向转移导纳主场迎战

漏电流

零栅极电压漏极电流与

外壳温度

–1000

脉冲测试

V

GS

= 0 V

V

DS

=

–

30 V

–100

正向转移导纳| YFS | （ S）

100

脉冲测试

V

DS

=

–

10 V

10

–25°C

TC = 75℃

1

25°C

–10

0.1

–0.1

–1.0

–10.0

–1

–25

0

25

50

75

100 125 150

漏电流I

D

(A)

壳温度（ ° C）

Rev.3.00 2006年6月5日第4 6

RQJ0301HGDQS

动态输入特性

漏极至源极电压V

DS

(V)

V

DS

–

20

开关特性

栅极至源极电压V

GS

(V)

0

1000

tr

0

V

DD

=

–

10 V

–

40

–

25 V

–

10 V

–

8

开关时间t（ NS ）

V

DD

=

–

25 V

–

4

100

TD （上）

10

TD （关闭）

–

60

V

GS

–

12

–

80

–

16

I

D

=

–

5.2 A

TC = 25°C

–10

0

–

20

0

4

8

12

16

20

–

0.01

1

V

DD

=

–

10 V

V

GS

=

–

10 V

RG = 4.7

PW = 5

s

TC = 25°C

–

0.1

–

1

tf

–

10

栅极电荷Qg （ NC ）

漏电流I

D

(A)

典型的电容比。

漏源极电压

10000

V

GS

= 0 V

F = 1 MHz的

输入电容与

栅极至源极电压

1500

V

DS

= 0 V

F = 1 MHz的

1400

西塞

西塞，科斯，的Crss （PF ）

西塞（PF ）

1000

1300

科斯

100

CRSS

1200

1100

10

–0

–10

–20

–30

1000

–10

–5

0

5

10

漏极至源极电压V

DS

(V)

反向漏电流 -

源极到漏极电压

–

6

栅极至源极电压V

GS

(V)

体漏二极管的正向电压 -

外壳温度

–

0.8

体漏二极管的正向电压V

SDF

(V)

反向漏电流I

DR

(A)

–

5

–

10V

–

4

–

5V

–

3

–

2

脉冲测试

TC = 25°C

V

GS

= 0

–

0.7

–

0.6

I

D

=

–

10毫安

–

0.5

–

0.4

–

0.3

–

0.2

–

0.1

–

1毫安

V

GS

= 0 V,5 V

–

1

0

0

–

0.4

–

0.8

–

1.2

–

1.6

–

2.0

–25

0

25

50

75

100 125 150

漏源电压V

SD

(V)

壳温度（ ° C）

Rev.3.00 2006年6月5日第5 6

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