【RQJ0204XGDQA硅P沟道MOS场效应晶体管电源开关REJ03G1320-0300Rev.3.】,IC型号RQJ0204XGDQA,RQJ0204XGDQA PDF资料,RQJ0204XGDQA经销商,ic,电子元器件-51电子网

RQJ0204XGDQA

硅P沟道MOS场效应晶体管

电源开关

REJ03G1320-0300

Rev.3.00

2006年5月24日

特点

低导通电阻

DS （ ON）

= 219 m典型值（V

= -4.5 V，I

= –0.8 A)

低驱动电流

高速开关

2.5 V门极驱动

概要

瑞萨封装代码： PLSP0003ZB -A

（包名称： MPAK ）

1.源

2.门

3.排水

注意：

标记为“ XG ” 。

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

符号

漏源极电压

DSS

栅极至源极电压

GSS

漏电流

Note1

漏电流峰值

D（脉冲）

体 - 漏二极管的反向漏电流

散热通道

PCH

Note2

通道温度

总胆固醇

储存温度

TSTG

注意事项： 1， PW

≤

占空比

≤

2.当使用玻璃环氧基板（FR-4 ： 40 ×40 ×1mm）上

评级

–20

+8 / –12

–1.6

–4.0

–1.6

0.8

150

-55到+150

单位

°C

Rev.3.00 2006年5月24日第1页6

RQJ0204XGDQA

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

漏源击穿电压

栅源击穿电压

门源漏电流

漏极至源极漏电流

门源截止电压

漏极至源极导通电阻

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

打开 - 延迟时间

上升时间

打开 - 关闭延迟时间

下降时间

总栅极电荷

门源费

栅漏电荷

身体 - 漏极二极管的正向电压

注： 3.脉冲测试

符号

（ BR ） DSS

（ BR ） GSS

GSS

DSS

GS （ OFF ）

DS （ ON）

西塞

科斯

CRSS

D（上）

D（关闭）

QGS

QGD

民

–20

–12

—

–0.4

—

1.3

—

典型值

—

219

363

1.9

153

2.2

0.5

0.9

–0.85

最大

—

+10

–10

–1

–1.4

280

510

—

–1.1

单位

测试条件

= -10毫安，V

= 0

= +100

= 0

= –100

= 0

= +6 V, V

= 0

= –10 V, V

= 0

= –20 V, V

= 0

= -10 V，I

= -1毫安

= -0.8 A，V

= –4.5 V

Note3

= -0.8 A，V

= –2.5 V

Note3

= -0.8 A，V

= –10 V

Note3

= –10 V

= 0

F = 1 MHz的

= –0.8 A

= –4.5 V

= 12.5

RG = 4.7

= –10 V

= –4.5 V

= –1.6A

= -1.6 A，V

= 0

Note3

Rev.3.00 2006年5月24日第2页6

RQJ0204XGDQA

主要特点

最大信道功率

耗散曲线

–100

在这一领域

由R有限公司

DS （ ON）

100

最高安全工作区

通道耗散P沟（W）的

漏电流I

(A)

0.8

–10

0.6

–1

0.4

–0.1

TA = 25°C

1次脉冲

0 m

TIO

0.2

100

150

–0.01

–0.1

–1

–10

–100

环境温度Ta （C ）

*当使用玻璃环氧基板（FR-4 ： 40

1 mm)

漏极至源极电压V

(V)

–7 V

典型输出

–10 V –6 V

–4.5 V

特征

–4

–3.0 V

典型的传输特性

(1)

= –10 V

脉冲测试

–4

漏电流I

(A)

–3

漏电流I

(A)

–3.2 V

–3.4 V

–3.6 V

–3.8 V

–4.0 V

–2.8 V

–2.6 V

–3

–2

–2.4 V

–2.2 V

–2

–1

脉冲测试

TC = 25

–2.0 V

–1

TC = 75℃

25°C

–25°C

–2

–3

= 0 V

–2

–4

–6

–8

–10

–1

–4

–5

漏极至源极电压V

(V)

栅极至源极电压V

(V)

门源截止电压主场迎战

–1

= –10 V

脉冲测试

门源截止电压

GS （ OFF ）

(V)

典型的传输特性

(2)

外壳温度

–1.5

= –10 V

脉冲测试

= -10毫安

= 1毫安

漏电流I

(A)

–0.1

–1

–0.01

TC = 75℃

–0.001

25°C

–25°C

–0.5

-0.1毫安

–0.0001

–0.5

–1

–1.5

–2

–2.5

–3

–25

100 125 150

栅极至源极电压V

(V)

壳温度（ ° C）

Rev.3.00 2006年5月24日第3页6

RQJ0204XGDQA

漏极至源极饱和电压

DS （ ON）

（毫伏）

漏极至源极饱和电压与

栅极至源极电压

静态漏极至源极通态电阻

与漏电流

漏极至源极导通电阻

DS （ ON）

)

–

900

–

800

–

700

–

600

–

500

–

400

–

300

–

200

–

100

脉冲测试

TC = 25°C

10000

脉冲测试

TC = 25°C

1000

–

2.5 V

–4.5 V

–10 V

100

–0.1

–1

–10

–100

–1.6 A

–0.5 A

–0.8 A

–0.2 A

–

–10

栅极至源极电压

(V)

静态漏极至源极通态电阻

与外壳温度

漏电流

(A)

静态漏极至源极通态电阻

与外壳温度

漏极至源极导通电阻

DS （ ON）

)

漏极至源极导通电阻

DS （ ON）

)

800

700

600

–0.8 A

500

400

–0.5 A

300

200

100

–25

–0.2 A

脉冲测试

= –

.5 V

100 125 150

= –1.6 A

400

脉冲测试

= –4.5 V

= –1.6 A

300

–0.8 A

–0.5 A

200

–0.2 A

100

–25

100 125 150

外壳温度

TC （

外壳温度

TC （

零栅极电压漏极电流与

外壳温度

–1000

脉冲测试

= 0 V

= –20 V

正向转移导纳

| YFS | （ S）

脉冲测试

–

10 V

25°C

TC = 75℃

–25°C

零栅极电压漏极电流

DSS

（ nA的）

正向转移导纳主场迎战

漏电流

–100

–10

0.1

–1

0.01

–0.01

–0.1

–1

–10

–0.1

–25

100 125 150

漏电流

(A)

外壳温度

TC （

Rev.3.00 2006年5月24日第4 6

RQJ0204XGDQA

动态输入特性

开关特性

漏极至源极电压V

(V)

栅极至源极电压V

(V)

1000

开关时间

T（ NS ）

–

5 V

–

10 V

–

20 V

–

10 V

–

5 V

–

10 V

–

4.5 V

RG = 4.7

PW = 5

100 TC = 25℃

TD （关闭）

TD （上）

–

20 V

–

–1.6

TC = 25°C

–

0.1

–

栅极电荷Qg （ NC ）

漏电流

(A)

典型的电容比。

漏源极电压

1000

= 0 V

F = 1 MHz的

输入电容与

栅极至源极电压

320

西塞，科斯，的Crss （PF ）

300

西塞（PF ）

西塞

100

280

260

科斯

CRSS

–0

–5

–10

–15

–20

240

220

–

= 0 V

F = 1 MHz的

漏源极电压

(V)

反向漏电流 -

源极到漏极电压

–4

栅极至源极电压V

(V)

体漏二极管的正向电压 -

外壳温度

–0.7

= 0

–0.6

–0.5

–0.4

–0.3

–0.2

–0.1

= 1毫安

反向漏电流I

(A)

脉冲测试

TC = 25°C

–3

体漏二极管的正向电压V

SDF

(V)

= -10毫安

–2

–

10V

–

–1

5, 10 V

= 0 V

–0.4

–0.8

–1.2

–1.6

–2.0

100

125

150

源极到漏极电压V

(V)

壳温度（ ° C）

Rev.3.00 2006年5月24日第5页6的

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