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RQJ0201UGDQA
硅P沟道MOS场效应晶体管
电源开关
REJ03G1317-0300
Rev.3.00
2006年5月24日
特点
低导通电阻
R
DS （ ON）
= 53 m典型值（V
GS
= -4.5 V，I
D
= –1.8 A)
低驱动电流
高速开关
2.5 V门极驱动
概要
瑞萨封装代码： PLSP0003ZB -A
（包名称： MPAK ）
3
D
3
1
2
2
G
1.源
2.门
3.排水
S
1
注意：
标记为“ UG ” 。
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
符号
漏源极电压
V
DSS
栅极至源极电压
V
GSS
漏电流
I
D
Note1
漏电流峰值
I
D（脉冲）
体 - 漏二极管的反向漏电流
I
DR
散热通道
PCH
（脉冲）注2
通道温度
总胆固醇
储存温度
TSTG
注意事项： 1， PW
≤
10
s,
占空比
≤
1%
2.当使用玻璃环氧基板（FR-4 ： 40 ×40 ×1mm）上
评级
–20
+8 / –12
–3.4
–10
–3.4
0.8
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
W
°C
°C
Rev.3.00 2006年5月24日第1页6
RQJ0201UGDQA
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
漏源击穿电压
栅源击穿电压
门源漏电流
漏极至源极漏电流
门源截止电压
漏极至源极导通电阻
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
打开 - 延迟时间
上升时间
打开 - 关闭延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
身体 - 漏极二极管的正向电压
注： 3.脉冲测试
符号
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） GSS
V
（ BR ） GSS
I
GSS
I
GSS
I
DSS
V
GS （ OFF ）
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
|y
fs
|
西塞
科斯
CRSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Qg
QGS
QGD
V
DF
民
–20
+8
–12
—
—
—
–0.4
—
—
4.5
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
—
—
—
53
80
6.5
597
149
93
18
43
37
12
6.3
1.1
2.5
–0.85
最大
—
—
—
+10
–10
–1
–1.4
69
112
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
–1.1
单位
V
V
V
A
A
A
V
m
m
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
测试条件
I
D
= -10毫安，V
GS
= 0
I
G
= +100
A,
V
DS
= 0
I
G
= –100
A,
V
DS
= 0
V
GS
= +6 V, V
DS
= 0
V
GS
= –10 V, V
DS
= 0
V
DS
= –20 V, V
GS
= 0
V
DS
= -10 V，I
D
= -1毫安
I
D
= -1.8 A，V
GS
= –4.5 V
Note3
I
D
= -1.8 A，V
GS
= –2.5 V
Note3
I
D
= -1.8 A，V
DS
= –10 V
Note3
V
DS
= –10 V
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
I
D
= –1.8 A
V
GS
= –4.5 V
R
L
= 5.5
RG = 4.7
V
DD
= –10 V
V
GS
= –4.5 V
I
D
= –3.4 A
I
F
= -3.4 A，V
GS
= 0
Note3
Rev.3.00 2006年5月24日第2页6
RQJ0201UGDQA
主要特点
最大信道功率
耗散曲线
1
–100
在这一领域
由R有限公司
DS （ ON）
100
s
最高安全工作区
通道耗散P沟（W）的
漏电流I
D
(A)
0.8
–10
1
m
m
s
10
DC
0
O
m
pe
s
ra
TIO
n
0.6
PW
10
s
–1
=
0.4
0.2
0
–0.1
TA = 25°C
1次脉冲
0
50
100
150
–0.01
–0.01
–0.1
–1
–10
–100
环境温度Ta （C ）
*当使用玻璃环氧基板（FR-4 ： 40
×
40
×
1 mm)
漏极至源极电压V
DS
(V)
典型的输出特性
–10
–3 V
–6 V
–10 V
–2.6 V
–2.4 V
脉冲测试
TC = 25
°
C
典型的传输特性
(1)
–10
V
DS
= –10 V
脉冲测试
漏电流I
D
(A)
–2.2 V
漏电流I
D
(A)
–8
–8
–6
–2.0 V
–6
–4
–1.8 V
–4
–2
–1.6 V
V
GS
= 0 V
–2
TC = 75℃
0
0
–1
–25°C
25°C
–2
0
0
–2
–4
–6
–8
–10
–3
–4
漏极至源极电压V
DS
(V)
栅极至源极电压V
GS
(V)
门源截止电压主场迎战
–1
V
DS
= –10 V
脉冲测试
门源截止电压
V
GS （ OFF ）
(V)
典型的传输特性
(2)
外壳温度
–1.5
V
DS
= –10 V
脉冲测试
I
D
= -10毫安
–1
漏电流I
D
(A)
–0.1
-0.01 TC = 75℃
25°C
= 1毫安
–0.5
-0.1毫安
–0.001
–25°C
–0.0001
0
–0.5
–1
–1.5
–2
–2.5
–3
0
–25
0
25
50
75
100 125 150
栅极至源极电压V
GS
(V)
壳温度（ ° C）
Rev.3.00 2006年5月24日第3页6
RQJ0201UGDQA
漏极至源极饱和电压
V
DS （ ON）
（毫伏）
漏极至源极饱和电压与
栅极至源极电压
静态漏极至源极通态电阻
与漏电流
漏极至源极导通电阻
R
DS （ ON）
(m
)
–
400
脉冲测试
TC = 25°C
1000
脉冲测试
TC = 25°C
–
300
–
200
100
V
GS
=
–
2.5 V
–4.5 V
–10 V
I
D
= –3.4 A
–
100
–1.8 A
–1 A
–0.5 A
0
–
2
0
10
–0.1
–1
–10
–100
–
4
–
6
–
8
–10
栅极至源极电压
V
GS
(V)
漏电流
I
D
(A)
静态漏极至源极通态电阻
与外壳温度
静态漏极至源极通态电阻
与外壳温度
漏极至源极导通电阻
R
DS （ ON）
(m
)
130
I
D
= –3.4 A
110
–1.8 A
漏极至源极导通电阻
R
DS （ ON）
(m
)
130
脉冲测试
V
GS
= –4.5 V
110
90
–1 A
70
–0.5 A
90
–1.8 A
70
–1 A
50
30
–25
–0.5 A
I
D
= –3.4 A
50
30
–25
脉冲测试
V
GS
= –
2
.5 V
0
25
50
75
100 125 150
0
25
50
75
100 125 150
外壳温度
TC （
°
C)
外壳温度
TC （
°
C)
零栅极电压漏极电流与
外壳温度
–10000
脉冲测试
V
GS
= 0 V
–1000 V
DS
= –20 V
–100
正向转移导纳
| YFS | （ S）
100
脉冲测试
V
DS
=
–
10 V
10
–25°C
1
25°C
0.1
TC = 75℃
零栅极电压漏极电流
I
DSS
（ nA的）
正向转移导纳主场迎战
漏电流
–10
–1
–0.1
–25
0.01
–0.01
–0.1
–1
–10
0
25
50
75
100 125 150
漏电流
I
D
(A)
外壳温度
TC （
°
C)
Rev.3.00 2006年5月24日第4 6
RQJ0201UGDQA
动态输入特性
漏极至源极电压V
DS
(V)
栅极至源极电压V
GS
(V)
0
V
DS
V
DD
= –20 V
–5 V
–10 V
–20
V
DD
= –20 V
V
GS
I
D
= –3.4 A
TC = 25°C
–40
0
2
4
6
8
10
12
–16
16
–12
–10 V
–5 V
–8
0
1000
开关特性
V
DD
=
–
10 V
V
GS
=
–
4.5 V
RG = 4.7
PW = 5
s
TC = 25°C
tr
–4
开关时间
T（ NS ）
100
TD （关闭）
TD （上）
10
tf
1
–
0.1
–
1
–
10
栅极电荷Qg （ NC ）
漏电流
I
D
(A)
典型的电容比。
漏源极电压
1000
西塞
1100
1050
1000
950
900
V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
输入电容与
栅极至源极电压
西塞，科斯，的Crss （PF ）
科斯
100
CRSS
西塞（PF ）
850
800
V
DS
= 0 V
F = 1 MHz的
0
2
4
6
8
10
10
–0
–5
–10
–15
–20
–
10
–
8
–
6
–
4
–
2
漏源极电压
V
DS
(V)
反向漏电流 -
源极到漏极电压
–10
栅极至源极电压V
GS
(V)
体漏二极管的正向电压 -
外壳温度
–0.6
V
GS
= 0
–0.5
I
D
= -10毫安
–0.4
反向漏电流I
DR
(A)
–
10V
脉冲测试
TC = 25°C
–8
–
5V
–6
–4
体漏二极管的正向电压V
SDF
(V)
–2
0
0
–0.4
–0.8
–0.3
= 1毫安
–0.2
25
50
75
100
125
150
5, 10 V
V
GS
= 0 V
–1.2
–1.6
–2.0
源极到漏极电压V
SD
(V)
壳温度（ ° C）
Rev.3.00 2006年5月24日第5页6的
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