RQA0014XXDQS
硅N沟道MOS FET
REJ03G1704-0100
Rev.1.00
二〇〇八年十月二十〇日
特点
高输出功率，高增益，高效率
POUT = 28.5 dBm时，线性增益= 20 dB时， PAE = 60 ％ （ F = 450兆赫）
适用于高功率传输放大器超高频驱动器级
静电放电抗扰度试验（ IEC 61000-4-2标准，等级4 ）
概要
瑞萨封装代码： PLZZ0004CA -A
（包名称： UPAK
R
)
3
2
1
1.门
2.源
4
3.排水
4.源
注意：
标记为“XX” 。
* UPAK是瑞萨科技公司的商标。
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
散热通道
通道温度
储存温度
注：值在Tc = 25C
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
PCH
记
总胆固醇
TSTG
评级
14
±5
0.3
3
150
-55到+150
单位
V
V
A
W
°C
°C
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RQA0014XXDQS
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
门源截止电压
输入电容
输出电容
反向传输电容
输出功率
功率附加效率
符号
I
DSS
I
GSS
V
GS （ OFF ）
西塞
科斯
CRSS
噘
PAE
分钟。
—
—
0.7
—
—
—
27.5
0.56
50
典型值
—
—
1.0
10
6
0.4
28.5
0.71
60
马克斯。
2
±0.5
1.3
—
—
—
—
—
—
单位
A
A
V
pF
pF
pF
DBM
W
%
测试条件
V
DS
= 14 V, V
GS
= 0
V
GS
= ±5 V, V
DS
= 0
V
DS
= 6 V，I
D
= 1毫安
V
GS
= 5 V, V
DS
= 0中，f = 1 MHz的
V
DS
= 6 V, V
GS
= 0中，f = 1 MHz的
V
DG
= 6 V, V
GS
= 0中，f = 1 MHz的
V
DS
= 6 V，I
D
= 50毫安
F = 450兆赫，
PIN = +15 dBm的（ 31.6毫瓦）
主要特点
最大信道功率
耗散曲线
典型的输出特性
1.0
脉冲测试
信道功率耗散P沟道（W ）
5
漏电流I
D
(A)
4
0.8
3.0 V
3
0.6
2.5 V
2
0.4
2.0 V
0.2
1.5 V
V
GS
= 1.0 V
1
0
0.0
0
50
100
150
200
0
2
4
6
8
10
案例温度T
C
(°C)
漏极至源极电压V
DS
(V)
正向转移导纳
与漏电流
典型的传输特性研究
漏电流I
D
(A)
正向转移导纳| YFS | （ S）
正向转移导纳| YFS | （ S）
1.0
V
DS
= 6 V
脉冲测试
1.0
V
DS
= 6 V
脉冲测试
0.8
0.1
0.6
| YFS |
0.4
0.01
0.2
I
D
0.0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0.001
0.001
0.01
0.1
1.0
栅极至源极电压V
GS
(V)
漏电流I
D
(A)
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输入电容与
栅极至源极电压
12
10
输出电容与
漏源极电压
12
输出电容科斯（PF ）
输入电容西塞（PF ）
10
8
6
4
2
0
-5 -4 -3 -2 -1
0
1
2
3
4
5
V
DS
= 0
F = 1 MHz的
8
6
4
2
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
0
0.1
1
10
栅极至源极电压V
GS
(V)
反向传输电容主场迎战
漏极至栅极电压
1.0
漏极至源极电压V
DS
(V)
反向传输电容的Crss （PF ）
最大稳定增益MSG（ dB）的
最高可用增益MAG （分贝）
正向传输系数| S21 |
2
（ dB）的
味精， MAG ， | S21 |
2
与频率的关系
30
25
0.8
味精
MAG
20
15
|S21|
2
0.6
0.4
10
5
V
DS
= 6 V
I
D
= 50毫安
0.2
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
0
0.1
0
0
500
1000
1
10
1500
2000
漏极至栅极电压V
DG
(V)
最大稳定增益， | S21 |
2
与漏电流
30
味精
频率f（ MHz）的
最大稳定增益MSG（ dB）的
正向传输系数| S21 |
2
（ dB）的
25
20
|S21|
2
15
10
5
0
0
50
100
150
V
DS
= 6 V
F = 450 MHz的
漏电流I
D
（MA ）
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RQA0014XXDQS
评估电路（ F = 450兆赫）
C6
C5
C9
C10
VG
VD
R1
L2
L4
L3
C7
C8
C1
C2
C3
C4
L1
OUT
IN
C1, C2, C3, C4, C7
C8
C5, C9
C6, C10
： 10 pF的贴片电容
： 100 pF的贴片电容
1000 pF的贴片电容
: 10
F
贴片电容
L1
L2
L3
L4
R1
： 12 nH的片式电感
： 1 nH的片式电感
： 10 nH的片式电感
： 4打开D： 0.5mm，则
φ2.4
mm的漆包线
： 1 kΩ的片式电阻
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输出功率大，漏电流
随输入功率
30
0.3
噘
0.25
0.2
0.15
0.1
V
DS
= 6 V
I
DQ
= 50毫安
F = 450 MHz的
-5
0
5
10
0.05
0.0
15
35
30
功率增益，功率附加效率
随输入功率
功率增益PG （分贝）
漏电流I
D
(A)
25
20
15
10
5
0
60
PAE
50
25
20
40
I
D
15
10
5
0
-5
0
5
PG
30
20
V
DS
= 6 V
I
DQ
= 50毫安
F = 450 MHz的
10
0
15
10
输入功率Pin （ DBM）
输入功率Pin （ DBM）
PG ， PAE与频率的关系
输入回波损耗与频率的关系
功率附加效率PAE （ ％ ）
20
100
0
功率增益PG （分贝）
16
80
PG
输入回波损耗（dB ）
-15
-10
-15
-20
-25
-30
V
DS
= 6 V
I
DQ
= 50毫安
12
PAE
60
8
40
4
20
0
400
450
500
0
400
450
500
频率f（ MHz）的
频率f（ MHz）的
功率增益主场迎战空载电流
功率附加效率
与空载电流
功率附加效率PAE （ ％ ）
16
PG
80
16
PG
80
12
PAE
60
12
PAE
60
8
I
DQ
= 50毫安
F = 450 MHz的
P
in
= 15 dBm的
40
8
I
DQ
= 50毫安
F = 450 MHz的
P
in
= 15 dBm的
40
4
20
4
20
0
3
4
5
6
7
8
0
0
0
0.05
0.1
0
0.15
漏极至源极电压V
DS
(V)
空载电流I
DQ
(A)
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功率附加效率PAE （ ％ ）
20
100
20
100
功率增益PG （ DBM）
功率增益PG （ DBM）
功率附加效率PAE （ ％ ）
70
额定功率Pout （ dBm的）
QQ：800888908 复制
