RQA0011DNS
硅N沟道MOS FET
REJ03G1600-0100
Rev.1.00
2007年11月8日
特点
高输出功率，高增益，高效率
POUT = 39.6 dBm时，线性增益= 20 dB时， PAE = 68 ％ （ F = 520兆赫）
小外形封装（ WSON0504-2 ： 5.0
×
4.0
×
0.8 mm)
静电放电抗扰度试验
（ IEC标准61000-4-2 ，级别4 ）
概要
瑞萨封装代码： PWSN0002ZA -B
（包名称： HWSON - 2 <WSON0504-2> ）
3
3
2
1
1
2
3
1.门
2.源
3.排水
1
2
注意：
标记为“ RQA0011 ” 。
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
散热通道
通道温度
储存温度
注：值在Tc = 25C
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
PCH
记
总胆固醇
TSTG
评级
16
±5
3.8
15
150
-55到+150
单位
V
V
A
W
°C
°C
此设备是静电放电敏感。适当的谨慎处理程序要求。
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RQA0011DNS
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
门源截止电压
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
输出功率
功率附加效率
输出功率
功率附加效率
符号
I
DSS
I
GSS
V
GS
（关闭）
|y
fs
|
西塞
科斯
CRSS
噘
PAE
噘
PAE
分钟。
—
—
0.25
3.8
—
—
—
38.7
7.41
60
—
—
—
典型值
—
—
0.4
4.8
102
50
4.5
39.6
9.12
68
35.8
3.8
60
马克斯。
20
±3
0.75
5.8
—
—
—
—
—
—
—
—
—
单位
A
A
V
S
pF
pF
pF
DBM
W
%
DBM
W
%
测试条件
V
DS
= 16 V, V
GS
= 0
V
GS
= ±5 V, V
DS
= 0
I
D
= 1mA时， V
DS
= 7.5 V
V
DS
= 7.5 V，I
D
= 2 A
V
GS
= 5 V, V
DS
= 0中，f = 1 MHz的
V
DS
= 7.5 V, V
GS
= 0中，f = 1 MHz的
V
DG
= 7.5 V, V
GS
= 0中，f = 1 MHz的
V
DS
= 7.5 V，I
DQ
= 200毫安，
F = 520兆赫，
PIN = +25 dBm的（ 316毫瓦）
V
DS
= 3.6 V，I
DQ
= 200毫安，
F = 520兆赫，
PIN = +25 dBm的（ 316毫瓦）
主要特点
最大信道功率
耗散曲线
典型的输出特性
4
2.25 V
2.0 V
脉冲测试
1.75 V
15
信道功率耗散P沟道（W ）
20
漏电流I
D
(A)
3
1.5 V
2
10
5
1
1.25 V
V
GS
= 1.0 V
0
0
50
100
150
200
0
0
2
4
6
8
10
案例温度T
C
(°C)
漏极至源极电压V
DS
(V)
正向转移导纳
与漏电流
典型的传输特性研究
漏电流I
D
(A)
正向转移导纳| YFS | （ S）
6
5
4
3
I
D
2
1
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
V
DS
= 7.5 V
PULS测试
| YFS |
正向转移导纳| YFS | （ S）
10.0
V
DS
= 7.5 V
PULS测试
1.0
0.1
0.1
1.0
10.0
栅极至源极电压V
GS
(V)
漏电流I
D
(A)
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输入电容与
栅极至源极电压
140
1000
输出电容与
漏源极电压
输出电容科斯（PF ）
输入电容西塞（PF ）
120
100
100
80
60
40
-5 -4 -3 -2 -1
V
DS
= 0
F = 1 MHz的
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
0
1
2
3
4
5
10
0.1
1
10
栅极至源极电压V
GS
(V)
反向传输电容主场迎战
漏极至栅极电压
100
漏极至源极电压V
DS
(V)
最大稳定增益， | S21 |
2
与漏电流
30
25
20
15
10
5
0
-5
0
0.1
0.2
|S21|
2
V
DS
= 7.5 V
F = 520兆赫
味精
反向传输电容的Crss （PF ）
10
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
1
0.1
1
10
最大稳定增益MSG（ dB）的
正向传输系数| S21 |
2
（ dB）的
0.3
0.4
漏极至栅极电压V
DG
(V)
漏电流I
D
(A)
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评估电路（ @V
DD
= 7.5 V调整， F = 520兆赫）
C7
C6
R2
C9
C10
VG
VD
C5
C8
R1
C2
50
C1
L2
C12
L1
L3
L4
C15
50
IN
C3
C4
C11
C13
C14
OUT
C1 ， C6 ， C9 ， C15 ： 1000 pF的贴片电容
C2:
C3:
C4, C11:
C5, C8:
C7, C10:
C12, C14:
C13:
L1:
L2:
L3:
L4:
R1:
R2:
4 pF的电容芯片
15 pF的贴片电容
5 pF的贴片电容
100pF电容贴片电容
1
F
电解电容
10 pF的贴片电容
7 pF的贴片电容
1.8 nH的片式电感
8打开D： 0.5mm时，
φ2.4
mm的漆包线
1.0 nH的片式电感
1.5 nH的片式电感
6.8 kΩ的片式电阻器
40 kΩ的片式电阻器
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输出功率大，漏电流
随输入功率
50
2.5
功率增益，功率附加效率
随输入功率
40
噘
2.0
30
PAE
60
30
I
D
1.5
20
PG
40
20
V
DS
= 7.5 V
F = 520兆赫
I
DQ
= 200毫安
1.0
10
0
0
5
10
0.5
0
25
10
V
DS
= 7.5 V
F = 520兆赫
I
DQ
= 200毫安
20
0
0
5
10
15
20
15
20
0
25
输入功率Pin （ DBM）
输入功率Pin （ DBM）
功率增益，功率附加效率
与频率的关系
输入回波损耗与频率的关系
输入回波损耗RL （分贝）
PAE
功率附加效率PAE （ ％ ）
20
80
0
功率增益PG （分贝）
15
PG
60
-5
10
40
-10
5
V
DS
= 7.5 V
I
DQ
= 200毫安
PIN = 25 dBm的
20
-15
V
DS
= 7.5 V
I
DQ
= 200毫安
PIN = 25 dBm的
0
450
470
490
510
530
0
550
-20
450
470
490
510
530
550
频率f（ MHz）的
频率f（ MHz）的
功率增益，功率附加效率，
与漏极至源极电压
功率增益，功率附加效率
与空载电流
功率附加效率PAE （ ％ ）
15
PG
功率增益PG （分贝）
功率增益PG （分贝）
PG
75
15
75
10
PAE
70
10
PAE
70
5
F = 520兆赫
I
DQ
= 200毫安
PIN = 25 dBm的
5
6
7
8
9
65
5
V
DS
= 7.5 V
F = 520兆赫
PIN = 25 dBm的
65
0
4
60
0
0
60
0.2
0.4
0.6
0.8
1
漏极至源极电压V
DS
(V)
空载电流I
DQ
(A)
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功率附加效率PAE （ ％ ）
20
80
20
80
功率附加效率PAE （ ％ ）
40
80
额定功率Pout （ dBm的）
功率增益PG （分贝）
QQ：2880707522 复制
