RQA0010VXDQS
硅N沟道MOS FET
REJ03G1692-0100
Rev.1.00
2008年6月11日
特点
高输出功率，高增益，高效率
POUT = 31.8 dBm时，线性增益= 20 dB时， PAE = 60 ％
（ F = 450兆赫）
可表面贴装的小型封装
静电放电抗扰度试验
（ IEC 61000-4-2标准，等级4 ）
概要
瑞萨封装代码： PLZZ0004CA -A
（包名称： UPAK
R
)
3
2
1
1.门
2.源
3.排水
4
4.源
注意：
标记为“ VX ” 。
* UPAK是瑞萨科技公司的商标。
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
散热通道
通道温度
储存温度
注意：
在Tc值= 25°C
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
PCH
记
总胆固醇
TSTG
评级
16
±5
1.2
9
150
-55到+150
单位
V
V
A
W
°C
°C
REJ03G1692-0100 Rev.1.00 2008年6月11日
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RQA0010VXDQS
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
门源截止电压
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
输出功率
功率附加效率
符号
I
DSS
I
GSS
V
GS （ OFF ）
| YFS |
西塞
科斯
CRSS
噘
PAE
分钟。
—
—
0.35
0.7
—
—
—
30.5
1.12
55
典型值
—
—
0.6
1.2
20
12
1.5
31.8
1.5
60
马克斯。
10
±2
0.8
1.6
—
—
—
—
—
—
单位
A
A
V
S
pF
pF
pF
DBM
W
%
测试条件
V
DS
= 16 V, V
GS
= 0
V
GS
= ±5 V, V
DS
= 0
V
DS
= 4.5 V，I
D
= 1毫安
V
DS
= 4.5 V，I
D
= 600毫安
V
GS
= 5 V, V
DS
= 0中，f = 1 MHz的
V
DS
= 4.5 V, V
GS
= 0中，f = 1 MHz的
V
DG
= 4.5 V, V
GS
= 0中，f = 1 MHz的
V
DS
= 4.5 V，I
D
= 150毫安
F = 450兆赫，
PIN = +17 dBm的（ 50毫瓦）
主要特点
最大信道功率
耗散曲线
信道功率耗散P沟道（W ）
10
典型的输出特性
1.5
2.25 V
2.0 V
脉冲测试
漏电流I
D
(A)
8
1.25
1.0
1.75 V
1.5 V
6
0.75
0.5
0.25
4
1.25 V
2
V
GS
= 1.0 V
0
0.0
0
50
100
150
200
0
2
4
6
8
10
案例温度T
C
(°C)
漏极至源极电压V
DS
(V)
正向转移导纳
与漏电流
正向转移导纳| YFS | （ S）
10.0
V
DS
= 4.5 V
脉冲测试
典型的传输特性研究
漏电流I
D
(A)
正向转移导纳| YFS | （ S）
2.0
V
DS
= 4.5 V
脉冲测试
1.5
1.0
| YFS |
1.0
I
D
0.1
0.5
0.0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0.01
0.01
0.1
1.0
10.0
栅极至源极电压V
GS
(V)
漏电流I
D
(A)
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RQA0010VXDQS
输入电容与
栅极至源极电压
30
100
输出电容与
漏源极电压
25
20
输出电容科斯（PF ）
输入电容西塞（PF ）
10
15
10
V
DS
= 0
F = 1 MHz的
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
5
-5 -4 -3 -2 -1
0
1
2
3
4
5
1
0.1
1
10
栅极至源极电压V
GS
(V)
反向传输电容主场迎战
漏极至栅极电压
10
漏极至源极电压V
DS
(V)
反向传输电容的Crss （PF ）
最大稳定增益MSG（ dB）的
最高可用增益MAG （分贝）
正向传输系数| S21 |
2
（ dB）的
味精， MAG ， | S21 |
2
与频率的关系
30
25
味精
20
15
10
5
2
MAG
1
|S21|
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
0
-5
V
DS
= 4.5 V
I
D
= 150毫安
0.1
0.1
1
10
0
500
1000
1500
2000
漏极至栅极电压V
DG
(V)
最大稳定增益， | S21 |
2
与漏电流
30
25
味精
频率f（ MHz）的
最大稳定增益MSG（ dB）的
正向传输系数| S21 |
2
（ dB）的
20
|S21|
2
15
10
5
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
V
DS
= 4.5 V
F = 450 MHz的
漏电流I
D
(A)
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RQA0010VXDQS
输出功率大，漏电流
随输入功率
40
0.8
噘
功率增益，功率附加效率，
随输入功率
PAE
30
0.6
I
D
功率增益PG （分贝）
漏电流I
D
(A)
20
80
15
PG
10
V
DS
= 4.5 V
I
DQ
= 150毫安
F = 450 MHz的
0
5
10
15
20
60
20
0.4
40
10
V
DS
= 4.5 V
I
DQ
= 150毫安
F = 450 MHz的
0
5
10
15
0.2
5
20
0
0.0
20
0
0
输入功率Pin （ DBM）
输入功率Pin （ DBM）
输出功率与输入功率
36
0.8
6.0 V
32
漏电流与输入功率
额定功率Pout （ dBm的）
6.0 V
漏电流I
D
(A)
4.5 V
0.6
4.5 V
28
V
DS
= 3.6 V
0.4
V
DS
= 3.6 V
24
I
DQ
= 150毫安
F = 450 MHz的
20
0
5
10
15
20
0.2
I
DQ
= 150毫安
F = 450 MHz的
0
0
5
10
15
20
输入功率Pin （ DBM）
输入功率Pin （ DBM）
输出功率与输入功率
36
0.8
300毫安
32
150毫安
漏电流与输入功率
额定功率Pout （ dBm的）
漏电流I
D
(A)
300毫安
0.6
150毫安
0.4
I
DQ
= 50毫安
0.2
V
DS
= 4.5 V
F = 450 MHz的
28
I
DQ
= 50毫安
24
V
DS
= 4.5 V
F = 450 MHz的
20
0
5
10
15
20
0
0
5
10
15
20
输入功率Pin （ DBM）
输入功率Pin （ DBM）
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功率附加效率PAE （ ％ ）
25
100
额定功率Pout （ dBm的）
RQA0010VXDQS
输出功率与频率的关系
35
0.8
20分贝
17分贝
0.6
20分贝
漏电流与频率的关系
额定功率Pout （ dBm的）
31
P
in
- 14分贝
29
漏电流I
D
(A)
33
17分贝
0.4
P
in
- 14分贝
27
0.2
V
DS
= 4.5 V
I
DQ
= 150毫安
V
DS
= 4.5 V
I
DQ
= 150毫安
420
440
460
480
500
0.0
400
420
440
25
400
460
480
500
频率f（ MHz）的
频率f（ MHz）的
输出功率大，漏电流
与漏极至源极电压
36
0.8
36
输出功率大，漏电流
与空载电流
0.8
额定功率Pout （ dBm的）
漏电流I
D
(A)
噘
32
I
D
30
I
DQ
= 150毫安
F = 450 MHz的
P
in
= 17 dBm的
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
32
噘
30
I
D
0.6
0.5
28
I
DQ
= 150毫安
F = 450 MHz的
P
in
= 17 dBm的
2
4
6
8
0.4
28
0.4
26
0.3
26
0.3
0.5
漏极至源极电压V
DS
(V)
空载电流I
DQ
(A)
REJ03G1692-0100 Rev.1.00 2008年6月11日
第17页5
漏电流I
D
(A)
34
0.7
额定功率Pout （ dBm的）
34
0.7
QQ：2881677436 复制
