RQA0009TXDQS
硅N沟道MOS FET
REJ03G1520-0100
Rev.1.00
2007年7月4日
特点
高输出功率，高增益，高效率
POUT = 37.8 dBm时，线性增益= 18 dB时， PAE = 65 ％
(V
DS
= 6 V ， F = 520兆赫）
可表面贴装的小型封装
静电放电抗扰度试验
（ IEC标准61000-4-2 ，级别4 ）
概要
瑞萨封装代码： PLZZ0004CA -A
（包名称： UPAK
R
)
3
3
2
1
1
4
1.门
2.源
3.排水
4.源
2, 4
注意：
标记为“TX” 。
* UPAK是瑞萨科技公司的商标。
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
散热通道
通道温度
储存温度
注：值在Tc = 25C
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
PCH
记
总胆固醇
TSTG
评级
16
±5
3.2
15
150
-55到+150
单位
V
V
A
W
°C
°C
此设备是静电放电敏感。适当的谨慎处理程序要求。
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RQA0009TXDQS
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
门源截止电压
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
输出功率
功率附加效率
输出功率
功率附加效率
符号
I
DSS
I
GSS
V
GS （ OFF ）
| YFS |
西塞
科斯
CRSS
噘
PAE
噘
PAE
分钟。
—
—
0.15
2.2
—
—
—
36.8
4.8
60
—
—
—
典型值
—
—
0.5
3.2
76
40
3.5
37.8
6.0
65
35.2
3.3
60
马克斯。
15
±2
0.8
4.4
—
—
—
—
—
—
—
—
—
单位
A
A
V
S
pF
pF
pF
DBM
W
%
DBM
W
%
测试条件
V
DS
= 16 V, V
GS
= 0
V
GS
= ±5 V, V
DS
= 0
V
DS
= 6 V，I
D
= 1毫安
V
DS
= 6 V，I
D
= 1.6 A
V
GS
= 5 V, V
DS
= 0中，f = 1 MHz的
V
DS
= 6 V, V
GS
= 0中，f = 1 MHz的
V
DG
= 6 V, V
GS
= 0中，f = 1 MHz的
V
DS
= 6 V，I
DQ
= 180毫安
F = 520兆赫，
PIN = +25 dBm的（ 316毫瓦）
V
DS
= 4.8 V，I
DQ
= 300毫安
F = 465 MHz时，
PIN = +17 dBm的（ 50毫瓦）
主要特点
最大信道功率
耗散曲线
典型的输出特性
4
2.0 V
15
脉冲测试
1.75 V
信道功率耗散P沟道（W ）
20
漏电流I
D
(A)
3
1.5 V
2
1.25 V
1
10
5
V
GS
= 1.0 V
0
0
50
100
150
200
0
0
2
4
6
8
10
案例温度T
C
(°C)
漏极至源极电压V
DS
(V)
正向转移导纳
与漏电流
典型的传输特性研究
漏电流I
D
(A)
正向转移导纳| YFS | （ S）
4
V
DS
= 6 V
脉冲测试
3
| YFS |
正向转移导纳| YFS | （ S）
10.0
V
DS
= 6 V
脉冲测试
2
I
D
1.0
1
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
0.1
0.1
1.0
10.0
栅极至源极电压V
GS
(V)
漏电流I
D
(A)
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RQA0009TXDQS
输入电容与
栅极至源极电压
90
1000
输出电容与
漏源极电压
输出电容科斯（PF ）
输入电容西塞（PF ）
80
70
100
60
50
V
DS
= 0
F = 1 MHz的
40
-5 -4 -3 -2 -1
0
1
2
3
4
5
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
10
0.1
1
10
栅极至源极电压V
GS
(V)
反向传输电容主场迎战
漏极至栅极电压
100
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
漏极至源极电压V
DS
(V)
反向传输电容的Crss （PF ）
味精， MAG与频率的关系
最大稳定增益MSG（ dB）的
最高可用增益MAG （分贝）
30
25
味精
20
15
MAG
10
5
0
0
500
1000
1500
2000
V
DS
= 6 V
I
D
= 180毫安
10
1
0.1
1
10
漏极至栅极电压V
DG
(V)
频率f（ MHz）的
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RQA0009TXDQS
评估电路（ F = 520兆赫）
C6
VG
R2
C4
C5
C12
C13
VD
C11
R1
L1
L2
L3
C10 50
OUT
50
C1
IN
C2
C3
C7
C8
C9
C1, C4, C10, C11
C2
C3
C5, C12
C6, C13
C7
C8
C9
L1
L2
L3
R1
R2
100 pF的电容芯片
22 pF的贴片电容
5 pF的贴片电容
1000 pF的电容芯片
1
F
片式钽电容器
18 pF的贴片电容
10 pF的贴片电容
7 pF的贴片电容
8打开D： 0.5mm时，
φ
2.4毫米漆包线
1 nH的片式电感
1.8 nH的片式电感
670
贴片电阻
6.8 kΩ的片式电阻器
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输出功率大，漏电流
随输入功率
40
1.6
噘
1.4
25
功率增益，功率附加效率
随输入功率
35
30
25
20
15
10
5
0
0
5
1.2
1.0
I
D
0.8
0.6
V
DS
= 6 V
F = 520兆赫
I
DQ
= 180毫安
10
15
20
25
0.4
0.2
0
30
漏电流I
D
(A)
20
PG
80
15
PAE
10
V
DS
= 6 V
F = 520兆赫
I
DQ
= 180毫安
0
5
10
15
20
25
60
40
5
20
0
0
30
输入功率Pin （ DBM）
输入功率Pin （ DBM）
功率增益，功率附加效率
与频率的关系
输入回波损耗与频率的关系
功率附加效率PAE （ ％ ）
20
PAE
15
PG
10
80
0
60
输入回波损耗RL （分贝）
功率增益PG （分贝）
-5
40
-10
5
V
DS
= 6 V
I
DQ
= 180毫安
PIN = 25 dBm的
470
490
510
530
20
-15
V
DS
= 6 V
I
DQ
= 180毫安
PIN = 25 dBm的
470
490
510
530
550
0
450
0
550
-20
450
频率f（ MHz）的
频率f（ MHz）的
功率增益，功率附加效率，
与漏极至源极电压
功率增益，功率附加效率
与空载电流
功率附加效率PAE （ ％ ）
PAE
15
60
15
PG
10
75
PG
10
50
PAE
70
5
I
DQ
= 180毫安
F = 520兆赫
PIN = 25 dBm的
4
5
6
7
8
9
40
5
V
DS
= 6 V
F = 520兆赫
PIN = 25 dBm的
0.1
0.2
0.3
0.4
65
0
3
30
0
0
60
0.5
漏极至源极电压V
DS
(V)
空载电流I
DQ
(A)
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功率附加效率PAE （ ％ ）
20
70
20
80
功率增益PG （分贝）
功率增益PG （分贝）
功率附加效率PAE （ ％ ）
100
的Pout （ dBm的）
输出功率
功率增益PG （分贝）
QQ：2881677436 复制
