RQA0008NXAQS
硅N沟道MOS FET
REJ03G1569-0100
Rev.1.00
2007年7月4日
特点
高输出功率，高增益，高效率
POUT = 36 dBm时，线性增益= 18 dB时， PAE为65 ％ （ F = 520兆赫）
可表面贴装的小型封装
概要
瑞萨封装代码： PLZZ0004CA -A
（包名称： UPAK
R
)
3
3
2
1
1
4
1.门
2.源
3.排水
4.源
2, 4
注意：
标记为“ NX ” 。
* UPAK是瑞萨科技公司的商标。
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
散热通道
通道温度
储存温度
注意：
在Tc值= 25°C
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
PCH
记
总胆固醇
TSTG
评级
16
±5
2.4
10
150
-55到+150
单位
V
V
A
W
°C
°C
此设备是静电放电敏感。适当的谨慎处理程序要求。
REJ03G1569-0100 Rev.1.00 2007年7月4日
第1页7
RQA0008NXAQS
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
门源截止电压
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
输出功率
功率附加效率
符号
I
DSS
I
GSS
V
GS （ OFF ）
| YFS |
西塞
科斯
CRSS
噘
PAE
分钟。
—
—
0.15
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
0.4
2.4
44
25
6.0
36
3.98
65
马克斯。
10
±2
0.8
—
—
—
—
—
—
—
单位
A
A
V
S
pF
pF
pF
DBM
W
%
测试条件
V
DS
= 16 V, V
GS
= 0
V
GS
= ±5 V, V
DS
= 0
V
DS
= 6 V，I
D
= 1毫安
V
DS
= 6 V，I
D
= 1.2 A
V
GS
= 5 V, V
DS
= 0中，f = 1 MHz的
V
DS
= 6 V, V
GS
= 0中，f = 1 MHz的
V
DG
= 6 V, V
GS
= 0中，f = 1 MHz的
V
DS
= 6 V，I
DQ
= 400毫安
F = 520兆赫，引脚= +20 dBm的
主要特点
最大信道功率
耗散曲线
典型的输出特性
5
脉冲测试
3.0 V
10
信道功率耗散P沟道（W ）
12
漏电流I
D
(A)
4
2.5 V
3
2.0 V
8
6
4
2
0
2
1.5 V
1
V
GS
= 1.0 V
0
50
100
150
200
0
0
2
4
6
8
10
案例温度T
C
(°C)
漏极至源极电压V
DS
(V)
正向转移导纳
与漏电流
典型的传输特性
漏电流I
D
(A)
正向转移导纳| YFS | （ S）
正向转移导纳| YFS | （ S）
3.0
2.5
2.0
| YFS |
1.5
1.0
I
D
0.5
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
V
DS
= 6 V
脉冲测试
10
V
DS
= 6 V
脉冲测试
1
0.1
0.1
1
10
栅极至源极电压V
GS
(V)
漏电流I
D
(A)
REJ03G1569-0100 Rev.1.00 2007年7月4日
第2 7
RQA0008NXAQS
输入电容与
栅极至源极电压
55
50
45
40
35
30
25
-5 -4 -3 -2 -1
V
DS
= 0
F = 1 MHz的
0
1
2
3
4
5
100
输出电容与
漏源极电压
输出电容科斯（PF ）
输入电容西塞（PF ）
10
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
1
0.01
0.1
1
10
栅极至源极电压V
GS
(V)
反向传输电容主场迎战
漏极至栅极电压
100
漏极至源极电压V
DS
(V)
最大稳定增益， | S21 |
2
与频率的关系
30
反向传输电容的Crss （PF ）
最大稳定增益MSG（ dB）的
正向传输系数| S21 |
2
（ dB）的
20
味精
10
10
0
|S21|
2
-10
V
DS
= 6 V
I
D
= 400毫安
0
500
1000
1500
2000
2500
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
1
0.01
0.1
1
10
-20
漏极至栅极电压V
DG
(V)
最大稳定增益， | S21 |
2
与漏电流
25
20
15
10
5
0
-5
味精
频率f（ MHz）的
最大稳定增益MSG（ dB）的
正向传输系数| S21 |
2
（ dB）的
|S21|
2
V
DS
= 6 V
F = 500 MHz的
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
漏电流I
D
(A)
REJ03G1569-0100 Rev.1.00 2007年7月4日
第3页7
RQA0008NXAQS
评估电路（ F = 520兆赫）
C7
VG
C6
C12
C13
VD
R3
C11
C5
L1
R2
50
C1
IN
C2 C3 C4
R1
C8 C9
L2
L3
C10
50
OUT
C1 ， C5 ， C10 ， C11 ： 100 pF的贴片电容
C2, C3, C8:
C4:
C6, C12:
C7, C13:
C9:
L1:
L2:
L3:
R1:
R2:
R3:
10 pF的贴片电容
5 pF的贴片电容
1000 pF的电容芯片
0.01
F
贴片电容
11 pF的贴片电容
8打开D： 0.5mm时，
φ
2.4毫米漆包线
1.2 nH的片式电感
1.0 nH的片式电感
51
贴片电阻
510
贴片电阻
3.3 kΩ的片式电阻器
REJ03G1569-0100 Rev.1.00 2007年7月4日
第4 7
RQA0008NXAQS
输出功率大，漏电流
随输入功率
40
2.0
40
PAE
30
60
功率增益，功率附加效率
随输入功率
30
1.5
20
I
D
10
1.0
漏电流I
D
(A)
噘
20
PG
40
V
DS
= 6 V
F = 520兆赫
I
DQ
= 400毫安
0
5
10
15
20
0.5
10
V
DS
= 6 V
F = 520兆赫
I
DQ
= 400毫安
0
5
10
15
20
20
0
0
25
0
0
25
输入功率Pin （ DBM）
输入功率Pin （ DBM）
功率增益，功率附加效率
与频率的关系
输入回波损耗与频率的关系
输入回波损耗RL （分贝）
功率增益PG （分贝）
PG
15
PAE
10
40
60
功率附加效率PAE （ ％ ）
20
80
0
-2
-4
-6
-8
-10
-12
450
V
DS
= 6 V
I
DQ
= 400毫安
PIN = 20 dBm的
470
490
510
530
550
5
V
DS
= 6 V
I
DQ
= 400毫安
PIN = 20 dBm的
450
470
490
510
530
20
0
0
550
频率f（ MHz）的
频率f（ MHz）的
功率增益，功率附加效率
与漏极至源极电压
功率增益，功率附加效率
与空载电流
功率附加效率PAE （ ％ ）
PG
PG
15
PAE
10
70
15
PAE
10
70
60
60
5
F = 520兆赫
I
DQ
= 400毫安
PIN = 20 dBm的
4
5
6
7
8
50
5
V
DS
= 6 V
F = 520兆赫
PIN = 20 dBm的
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
50
0
40
0
40
漏极至源极电压V
DS
(V)
空载电流I
DQ
(A)
REJ03G1569-0100 Rev.1.00 2007年7月4日
第5页第7
功率附加效率PAE （ ％ ）
20
80
20
80
功率增益PG （分贝）
功率增益PG （分贝）
功率附加效率PAE （ ％ ）
80
额定功率Pout （ dBm的）
功率增益PG （分贝）
QQ：2881677436 复制
