RNA52A10MM
双CMOS系统复位IC
REJ03D0858-0500
Rev.5.00
2008年10月6日
描述
该RNA52A10MM集成了两个复位电路，一个是和一个不带延时功能，让一代
用于微处理器和单独的复位信号相关联的系统的电路。每个复位电路的检测电压为
通过外部电阻器的值确定的，并且所述内部基准电压是1.0伏。 CMOS工艺的
RNA52A10MM意味着该设备仅消耗1.1
A
（典型值） 。复位取消延迟时间设定以高
精度由电容器和电阻器与CD端子连接的值的程度。在MR （手动复位）输入引脚
被设置为复位电路与延迟功能，并且复位信号被输出响应于高级别上的MR
输入引脚。 MR引脚由一个2 MΩ内部电阻下拉。输出引脚Vo1和Vo2的是漏极开路。
特点
两个CMOS复位电路，一个是和一个没有延时功能
参考电压： 1.0 V
基准电压准确度： ± 50 mV的
参考电压滞后： 6 ％ （典型值）
低电流消耗： 1.1
A
（典型值）。
由外部CR电路的延迟时间设置
手动复位输入
漏极开路输出
MMPAK - 8 （ 8引脚）封装
工作温度范围： - 40 85°C
订购信息
部件名称
RNA52A10MMEL
套餐类型
MMPAK - 8针
封装代码
PLSP0008JC-A
包
缩写
MM
大坪缩写
（数量）
EL （ 3000个/卷）
应用
电源监控和复位的微处理器
电源顺序控制微处理器
台式机和笔记本电脑
PC外围设备，如打印机
数码相机，数码摄像机和PDA
电池驱动产品
无线通信系统
REJ03D0858-0500 Rev.5.00 2008年10月6日
分页： 11 1
RNA52A10MM
管脚配置
MR
Vo1
Vo2
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
VDD
Vi1
Vi2
CD
大纲和指示条
RNA52A10MM
指数波段
记号
R 0 1
YMW
MMPAK–8
LOT号
Y：年份代码
（今年的最后一位数字）
M：月份代码
W：星期代码
REJ03D0858-0500 Rev.5.00 2008年10月6日
第11 2
RNA52A10MM
功能框图和典型应用电路
V
DD3
V
DD1
R
S1
Vi1
复位电路1
R
L1
Vo1
7
R
S2
V
DD2
复位电路2
2
V
DD4
R
L2
Vo2
R
S3
3
RESET
Vi2
6
R
S4
MICRO-
电脑
V
REF
1.0V
2M
8
VDD
1
MR
5
CD
GND
4
R
D
V
DD0
C
D
C
1
注：1。请参考下面的公式来设置复位阈值电压为电源V
DD1
和V
DD2
和
设置外部分压电阻对
S1
和R
S2
和R
S3
和R
S4
.
(1) V
DD1
复位门限电压= V
REF
×
(R
S1
+R
S2
)/R
S2
(2) V
DD2
复位门限电压= V
REF
×
(R
S3
+R
S4
)/R
S4
注意，值必须被设置在如下范围内：v
S1
, R
S2
, R
S3
, R
S4
≤
50 k
请参见下面的图中参考电压的变化和选择的值之间的关系
R
S1
, R
S2
, R
S3
和R
S4
.
2.对于电容器C1 ，选择具有优良的频率特性的类型。对于稳定运行，把它
VDD引脚与GND引脚和亲如之间是可能的芯片。
电容C 3的值
1
必须适应系统环境中的电源等的质量上
等等。
参考电压变化与并联电阻
参考电压的变化[ ％ ]
5
4
3
2
1
0
-1
0.1
1
10
100
1000
并联电阻（ RS1 // RS2 ， RS3 // RS4 ） [ kΩ的]
REJ03D0858-0500 Rev.5.00 2008年10月6日
第11 3
RNA52A10MM
时序图
1. I / O表
MR
L
H
VI1 ， Vi2的
≤
V
REF
≥
(V
REF
+V
HYS
)
≤
V
REF
≥
(V
REF
+V
HYS
)
Vo1
L
H
L
H
Vo2
L
H（经T
DLY0
)
L
2.时序图
(V
REF
+V
HYS
)
V
REF
(V
REF
+V
HYS
)
VI1 ， Vi2的
V
DD0
MR
V
DD3
Vo1
T
DLY0
T
DLY0
T
DLY0
V
DD4
Vo2
绝对最大额定值
项
电源电压（ VDD）的
输入电压（的Vi1 ， Vi2的， MR， CD）
输出电压（ Vo1的，
Vo2)
输出电流（ Vo1的，
Vo2)
连续功率耗散
（ TA = 25℃ ，在静止空气中）
工作温度
储存温度
注意：
符号
V
DD
V
IN
V
OUT
I
OUT
P
D
T
OPR
T
英镑
评级
6.0
-0.3到V
DD
-0.3 6.0
30
145
-40到85
-55至125
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
请参阅相关的特性曲线6页的连续输出功率耗散。
推荐工作条件
项
电源电压（ VDD）的
输入电压（的Vi1 ， Vi2的， MR， CD）
输出电压（ Vo1的，
Vo2)
输出电流（ Vo1的，
Vo2)
工作温度
符号
V
DD
V
IN
V
OUT
I
OUT
T
OPR
分钟。
1.4
0
0
0
–40
马克斯。
5.5
V
DD
5.5
15
85
单位
V
V
V
mA
°C
REJ03D0858-0500 Rev.5.00 2008年10月6日
第11 4
RNA52A10MM
电气特性
（ TA = 25℃ ，除非另有说明）
项
电源电压
消耗电流
参考电压
参考电压温度
系数
（设计参考值）
VI1 ， Vi2的输入
滞后电压
VI1 ， Vi2的输入电流
CD输入阈值电压
符号
V
DD
I
DD
V
REF
V
REF
V
REF
T
a
分钟。
1.4
—
0.95
—
28.5
(V
REF
×3%)
—
V
DD
×0.43
典型值。
—
1.1
1.00
±100
60
(V
REF
×6%)
0.6
V
DD
×0.63
马克斯。
5.5
19
1.05
—
94.5
(V
REF
×9%)
2.2
V
DD
×0.83
单位
V
A
V
PPM
°C
T
a
= -40 85 ℃下
2
V
DD
= 5.5 V
V
i1
= V
i2
= 5.5 V
V
DD
= 3.3 V
测试条件
TEST
电路
—
1
2
V
HYS
I
IN
V
DLY
mV
A
V
V
DD
= 3.3 V
V
DD
= 5.5 V
V
i1
= V
i2
= 5.5 V
V
DD
= 3.3 V
V
i1
= V
i2
= 1.2 V
V
DD
= 1.4V
V
i1
= V
i2
= 0 V
I
OL
- 0.5毫安
V
DD
= 3.3V
2
3
4
—
VO1 ， VO2
低电平输出电压
V
OL
—
VO1 ， VO2
输出漏电流
残缺
放电
容量光盘
完整
放电
容量光盘
0.05
0.15
V
5
0.15
0.35
V
V
i1
= V
i2
= 0 V
I
OL
= 5毫安
V
DD
= V
O1
= V
O2
= 5.5 V
V
i1
= V
i2
= 1.2 V
6
I
LK
—
—
100
nA
7
T
DLY
1.1
11
17
ms
Vo2
Note1
延迟时间
V
DD
= 3.3 V
V
i2
= 0 V→1.2 V
C
D
= 0.3
F,
R
D
= 39 k
8
T
DLY0
7
11
17
ms
s
8
Vo1
上升响应时间
VO1 ， VO2
掉落的响应时间
MR低电平输入电压
V
DD
＆ LT ; 4.5V
T
PLH
—
30
300
V
DD
= 3.3 V
V
i1
= 0 V→1.2 V
V
DD
= 3.3 V
V
i1
= V
i2
= 1.2 V→0 V
C
D
= 0.3
F,
R
D
= 39 k
V
DD
= 3.3 V
V
i1
= V
i2
= 1.2 V
V
DD
= 3.3 V
V
i1
= V
i2
= 1.2 V
V
DD
= 5.0 V
V
i1
= V
i2
= 1.2 V
V
DD
= 5.5 V
V
MR
= 5.5 V
9
T
PHL
—
30
800
s
10
V
IL
—
V
DD
×0.75
—
—
—
2
V
DD
×0.2
—
—
—
V
V
V
M
11
11
12
13
MR高层
输入电压
V
IH
V
DD
≥
4.5V
R
MR
V
DD
×0.5
0.5
MR输入
下拉电阻
注意事项： 1.当电容器C
D
完全放电，并开始充电的状态下，
D
脚电压为0V时，
延迟时间T的最小值
DLY0
7毫秒。然而，当放电时间短，充电开始在
的状态下的电压没有完全降低到0V时，延迟时间T的最小值
DLY
为1.1毫秒。然后，
的低电平时间（复位时间）的最小值
Vo2
是1.1毫秒的延迟时间T
DLY
。请参阅条例
电容C的状态
D
放电和10页的详细信息，延迟时间。
2.请参阅特性曲线6页温度的主要特点依赖。
3.请参考测试电路8和第9页。
REJ03D0858-0500 Rev.5.00 2008年10月6日
第11个5
RNA52A10MM
双CMOS系统复位IC
REJ03D0858-0400
Rev.4.00
2007年2月23日
描述
该RNA52A10MM集成了两个复位电路，一个是和一个不带延时功能，让一代
用于微处理器和单独的复位信号相关联的系统的电路。每个复位的检测电压
电路是由一个外部电阻器的值确定的，并且内部基准电压是1.0V。该CMOS
工艺为RNA52A10MM意味着该设备仅消耗1.1
A
（典型值） 。复位取消延迟时间是
置具有高的精确度由一个电容器和电阻器与CD销连接的值。在MR
（人工复位）输入管脚被设置为复位电路与延迟功能，并且复位信号被输出在
响应于高级别上的MR输入引脚。 MR引脚由一个2 MΩ内部电阻下拉。输出引脚
Vo1和Vo2的是漏极开路。
特点
两个CMOS复位电路，一个是和一个没有延时功能
参考电压： 1.0 V
基准电压准确度： ± 50 mV的
参考电压滞后： 6 ％ （典型值）
低电流消耗： 1.1
A
（典型值）。
由外部CR电路的延迟时间设置
手动复位输入
漏极开路输出
MMPAK - 8 （ 8引脚）封装
工作温度范围： - 40 85°C
管脚配置
MR
Vo1
Vo2
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
VDD
Vi1
Vi2
CD
应用
电源监控和复位的微处理器
电源顺序控制微处理器
台式机和笔记本电脑
PC外围设备，如打印机
数码相机，数码摄像机和PDA
电池驱动产品
无线通信系统
Rev.4.00
2007年2月23日
分页： 10 1
RNA52A10MM
功能框图和典型应用电路
V
DD3
V
DD1
R
S1
7
V
DD4
R
S2
V
DD2
复位电路2
R
S3
6
R
S4
V
REF
1.0V
2M
Vi2
R
L2
Vo2
3
RESET
Vi1
复位电路1
Vo1
2
R
L1
MICRO-
电脑
8
VDD
1
MR
5
CD
GND
4
R
D
V
DD0
C
D
C
1
注：1。请参考下面的公式来设置复位阈值电压为电源V
DD1
和V
DD2
,
并设置外部的分压电阻对
S1
和R
S2
和R
S3
和R
S4
.
(1) V
DD1
复位门限电压= V
REF
×
(R
S1
+R
S2
)/R
S2
(2) V
DD2
复位门限电压= V
REF
×
(R
S3
+R
S4
)/R
S4
注意，值必须被设置在如下范围内：v
S1
, R
S2
, R
S3
, R
S4
≤
50 k
请参见下面的曲线图中选择的参考电压变化和所述值之间的关系
对于R
S1
, R
S2
, R
S3
和R
S4
.
2.对于电容器C1 ，选择具有优良的频率特性的类型。对于稳定运行，把它
VDD引脚与GND引脚和亲如之间是可能的芯片。
电容器C的值
1
必须适应系统环境中的电源等的质量上
等等。
参考电压变化与并联电阻
参考电压的变化[ ％ ]
5
4
3
2
1
0
-1
0.1
1
10
100
1000
并联电阻（ RS1 // RS2 ， RS3 // RS4 ） [ kΩ的]
Rev.4.00
2007年2月23日
第10 2
RNA52A10MM
时序图
1. I / O表
MR
L
H
VI1 ， Vi2的
≤
V
REF
≥
(V
REF
+V
HYS
)
≤
V
REF
≥
(V
REF
+V
HYS
)
Vo1
L
H
L
H
Vo2
L
H（经T
DLY0
)
L
2.时序图
(V
REF
+V
HYS
)
V
REF
(V
REF
+V
HYS
)
VI1 ， Vi2的
V
DD0
MR
V
DD3
Vo1
T
DLY0
T
DLY0
T
DLY0
V
DD4
Vo2
绝对最大额定值
项
电源电压（ VDD）的
输入电压（的Vi1 ， Vi2的， MR， CD）
输出电压（ Vo1的，
Vo2)
输出电流（ Vo1的，
Vo2)
符号
V
DD
V
IN
V
OUT
I
OUT
评级
6.0
-0.3到V
DD
-0.3 6.0
30
145
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
P
D
连续功率耗散
（ TA = 25℃ ，在静止空气中）
工作温度
T
OPR
-40到85
储存温度
T
英镑
-55至125
注：请参阅相关的特性曲线第5页连续输出功率耗散。
推荐工作条件
项
电源电压（ VDD）的
输入电压（的Vi1 ， Vi2的， MR， CD）
输出电压（ Vo1的，
Vo2)
输出电流（ Vo1的，
Vo2)
工作温度
符号
V
DD
V
IN
V
OUT
I
OUT
T
OPR
分钟。
1.4
0
0
0
–40
马克斯。
5.5
V
DD
5.5
15
85
单位
V
V
V
mA
°C
Rev.4.00
2007年2月23日
第10 3
RNA52A10MM
电气特性
（ TA = 25℃ ，除非另有说明）
项
电源电压
消耗电流
参考电压
参考电压温度
系数
（设计参考值）
VI1 ， Vi2的输入
滞后电压
VI1 ， Vi2的输入电流
CD输入阈值电压
符号
V
DD
I
DD
V
REF
V
REF
V
REF
T
a
分钟。
1.4
—
0.95
—
28.5
(V
REF
×3%)
—
V
DD
×0.43
典型值。
—
1.1
1.00
±100
60
(V
REF
×6%)
0.6
V
DD
×0.63
马克斯。
5.5
19
1.05
—
94.5
(V
REF
×9%)
2.2
V
DD
×0.83
单位
V
A
V
PPM
°C
T
a
= -40 85 ℃下
2
V
DD
= 5.5 V
V
i1
= V
i2
= 5.5 V
V
DD
= 3.3 V
测试条件
TEST
电路
—
1
2
V
HYS
I
IN
V
DLY
mV
A
V
V
DD
= 3.3 V
V
DD
= 5.5 V
V
i1
= V
i2
= 5.5 V
V
DD
= 3.3 V
V
i1
= V
i2
= 1.2 V
V
DD
= 1.4V
V
i1
= V
i2
= 0 V
I
OL
- 0.5毫安
V
DD
= 3.3V
2
3
4
—
VO1 ， VO2
低电平输出电压
V
OL
—
VO1 ， VO2
输出漏电流
残缺
放电
容量光盘
完整
放电
容量光盘
0.05
0.15
V
5
0.15
0.35
V
V
i1
= V
i2
= 0 V
I
OL
= 5毫安
V
DD
= V
O1
= V
O2
= 5.5 V
V
i1
= V
i2
= 1.2 V
6
I
LK
—
—
100
nA
7
T
DLY
1.1
11
17
ms
Vo2
Note1
延迟时间
V
DD
= 3.3 V
V
i2
= 0 V→1.2 V
C
D
= 0.3
F,
R
D
= 39 k
8
T
DLY0
7
11
17
ms
s
8
Vo1
上升响应时间
VO1 ， VO2
掉落的响应时间
MR低电平输入电压
V
DD
＆ LT ; 4.5V
T
PLH
—
30
300
V
DD
= 3.3 V
V
i1
= 0 V→1.2 V
V
DD
= 3.3 V
V
i1
= V
i2
= 1.2 V→0 V
C
D
= 0.3
F,
R
D
= 39 k
V
DD
= 3.3 V
V
i1
= V
i2
= 1.2 V
V
DD
= 3.3 V
V
i1
= V
i2
= 1.2 V
V
DD
= 5.0 V
V
i1
= V
i2
= 1.2 V
V
DD
= 5.5 V
V
MR
= 5.5 V
9
T
PHL
—
30
800
s
10
V
IL
—
V
DD
×0.75
—
—
—
2
V
DD
×0.2
—
—
—
V
V
V
M
11
11
12
13
MR高层
输入电压
V
IH
V
DD
≥
4.5V
R
MR
V
DD
×0.5
0.5
MR输入
下拉电阻
注意事项： 1.当电容器C
D
完全放电，并开始充电的状态下，
D
脚电压为0V时，
延迟时间T的最小值
DLY0
7毫秒。然而，当放电时间短，充电开始
在该状态下，该电压没有完全降低到0V时，延迟时间T的最小值
DLY
为1.1毫秒。
然后，低时间的最小值（复位时间）
Vo2
是1.1毫秒的延迟时间T
DLY
。请参阅
条例电容C的状态
D
放电和第9页的详细信息，延迟时间。
2.请参阅特性曲线第5页温度的主要特点依赖。
3.参见图7和8为测试电路的页面。
Rev.4.00
2007年2月23日
第10 4
RNA52A10MM
特性曲线
热量减少曲线
电流消耗我
DD
[A]
功耗P
D
[毫瓦]
电流消耗我
DD
20
15
10
V
DD
= 5.5 V ，的Vi1 = Vi2的= 5.5 V
5
0
-50
200
150
100
50
0
0
25
50
75
100
125
150
环境温度Ta [ C]
-25
0
25
50
75
100
环境温度Ta [ C]
参考电压V
REF
参考电压V
REF
[V]
VI1 ， Vi2的输入电流I
IN
2.0
输入电流I
IN
[A]
1.04
1.02
V
DD
= 3.3 V
1.00
0.98
0.96
-50
-25
0
25
50
75
100
环境温度Ta [ C]
1.5
1.0
0.5
0.0
-50
-25
0
25
50
75
100
环境温度Ta [ C]
V
DD
= 5.5 V ，的Vi1 = Vi2的= 5.5 V
VO1 ， Vo2的低电平输出电压V
OL
低电平输出电压V
OL
[V]
延迟时间T
DLY0
20
延迟时间T
DLY0
[女士]
0.4
0.3
V
DD
= 3.3 V，I
OL
= 5毫安
0.2
0.1
0
-50
15
10
5
0
-50
V
DD
= 3.3 V ， Vi2的= 0 1.2 V
CD = 0.3
F,
RD = 39 kΩ的
V
DD
= 1.4 V，I
OL
- 0.5毫安
-25
0
25
50
75
100
-25
0
25
50
75
100
环境温度Ta [ C]
环境温度Ta [ C]
上升响应时间t
PLH
上升响应时间t
PLH
[女士]
秋季响应时间t
PHL
[s]
秋季响应时间t
PHL
1000
V
DD
= 3.3 V ，的Vi1 = Vi2的= 1.2 0 V
CD = 0.3
F,
RD = 39 kΩ的
100
Vi2
10
Vi1
1
-50
1000
100
V
DD
= 3.3 V ，的Vi1 = 0 1.2 V
10
1
-50
-25
0
25
50
75
100
-25
0
25
50
75
100
环境温度Ta [ C]
环境温度Ta [ C]
Rev.4.00
2007年2月23日
第10个5
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