RNA51xx系列
CMOS系统，复位IC
REJ03D0505-0300
Rev.3.00
2008年10月10日
概述
该RNA51xx系列提供系统复位信号为微处理器和电气系统。
阈值电压为1.4 V， 2.6 V ， 2.7 V ， 2.8 V， 2.9 V， 3.0 V， 3.1 V， 4.4 V， 4.5 V ， 4.6 V， 5.0 V和精度
±1.0%.
复位输出延迟时间可通过连接到CD端子的外部电容器来设置。
手动复位输入，可输入电阻为2 MΩ （典型值） 。
该系列有两种类型的输出（低电平有效CMOS输出和低电平有效的漏极开路输出） 。
特点
阈值电压： 1.4 V， 2.6 V ， 2.7 V ， 2.8 V， 2.9 V， 3.0 V， 3.1 V， 4.4 V， 4.5 V ， 4.6 V， 5.0 V
阈值电压精度：
±1.0%
阈值电压迟滞： 5 ％ （典型值） 。
低电源电流： 0.7
A
典型值。
电容可调的输出延迟时间
手动复位
VOUT
CMOS输出或漏极开路输出
5引脚SOT- 23封装
温度范围： -40 ° C至85°C
订购信息
部件名称
RNA51A26FLPEL
RNA51A27FLPEL
RNA51A28FLPEL
RNA51A29FLPEL
RNA51A30FLPEL
RNA51A31FLPEL
RNA51A44FLPEL
RNA51A45FLPEL
RNA51A46FLPEL
RNA51B14FLPEL
RNA51B27FLPEL
RNA51B50FLPEL
套餐类型
MPAK-5pin
MPAK-5pin
MPAK-5pin
MPAK-5pin
MPAK-5pin
MPAK-5pin
MPAK-5pin
MPAK-5pin
MPAK-5pin
MPAK-5pin
MPAK-5pin
MPAK-5pin
封装代码
PLSP0005ZB-A
PLSP0005ZB-A
PLSP0005ZB-A
PLSP0005ZB-A
PLSP0005ZB-A
PLSP0005ZB-A
PLSP0005ZB-A
PLSP0005ZB-A
PLSP0005ZB-A
PLSP0005ZB-A
PLSP0005ZB-A
PLSP0005ZB-A
包
缩写
LP
LP
LP
LP
LP
LP
LP
LP
LP
LP
LP
LP
大坪缩写
（数量）
EL （ 3,000pcs /卷）
EL （ 3,000pcs /卷）
EL （ 3,000pcs /卷）
EL （ 3,000pcs /卷）
EL （ 3,000pcs /卷）
EL （ 3,000pcs /卷）
EL （ 3,000pcs /卷）
EL （ 3,000pcs /卷）
EL （ 3,000pcs /卷）
EL （ 3,000pcs /卷）
EL （ 3,000pcs /卷）
EL （ 3,000pcs /卷）
应用
微处理器电源电压监视
电池供电的便携式设备
电脑和笔记本电脑
无线通信系统
数字静态相机，数字视频相机，PDA
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分页： 11 1
RNA51xx系列
管脚配置
VOUT
1
VDD 2
GND 3
5 CD
4 MR
（ TOP VIEW ）
产品列表
阈值电压-V
TH
[V]
1.4
2.6
2.7
2.8
2.9
3.0
3.1
4.4
4.5
4.6
5.0
漏极开路输出
型号
—
RNA51A26FLP
RNA51A27FLP
RNA51A28FLP
RNA51A29FLP
RNA51A30FLP
RNA51A31FLP
RNA51A44FLP
RNA51A45FLP
RNA51A46FLP
—
记号
—
5N
5P
5Q
5R
5S
5T
6G
6H
6J
—
CMOS输出
型号
RNA51B14FLP
—
RNA51B27FLP
—
—
—
—
—
—
—
RNA51B50FLP
记号
6P
—
7C
—
—
—
—
—
—
—
3R
大纲和指示条
RNA51A26FLP （例）
记号
控制代码
5
MPAK-5
N
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第11 2
RNA51xx系列
功能框图&典型应用电路
（1） RNA51Axx产品
动力
供应
MR
VDD
2
4
动力
供应
延迟
1
VOUT
RESET
微处理器
VREF
GND
3
5
CD
（2） RNA51Bxx产品
动力
供应
MR
VDD
2
4
延迟
1
VOUT
RESET
微处理器
VREF
GND
3
5
CD
注意事项： 1，这是很好的稳定运行使用去耦电容具有优良的高频特性
与VDD和GND引脚。
2.电容值由系统条件来决定。
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第11 3
RNA51xx系列
时序图
V
HYS
V
TH
VDD
MR
t
DLY
t
DLY
t
DLY
VOUT
绝对最大额定值
（1） RNA51Axx产品
温度条件TA = 25℃
项
电源电压
输出电压
输入电压
输出电流
连续功率耗散
工作温度范围
存储温度范围
符号
V
DD
V
OUT
V
IN
I
OUT
P
D
T
OPR
T
英镑
针
V
DD
V
OUT
MR， MD
V
OUT
—
—
—
评级
6.0
-0.3 6.0
-0.3到V
DD
+0.3
±50
120
-40至+85
-55到+125
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
（2） RNA51Bxx产品
温度条件TA = 25℃
项
电源电压
输出电压
输入电压
输出电流
连续功率耗散
工作温度范围
存储温度范围
符号
V
DD
V
OUT
V
IN
I
OUT
P
D
T
OPR
T
英镑
针
V
DD
V
OUT
MR， MD
V
OUT
—
—
—
评级
6.0
-0.3到V
DD
+0.3
-0.3到V
DD
+0.3
±50
120
-40至+85
-55到+125
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
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第11 4
RNA51xx系列
电气特性
（1） RNA51Axx产品
温度条件TA = 25℃
项
电源电压
电源电流
阈值电压
温度系数法
Thereshold电压
（参考值）
阈值电压迟滞
VOUT
低电平输出电流
符号
V
DD
I
DD
–V
TH
(–V
TH
)
–V
TH
ΔTa
V
HYS
I
OL
民
1.1
–V
TH
×0.99
典型值
0.7
±100
最大
5.5
4.2
–V
TH
×1.01
单位
V
A
V
PPM /
°C
V
mA
TA = -40 85°C
条件
上拉电阻= 470 kΩ的
V
OUT
≤
0.1×VDD
V
DD
= 5.5 V
–V
TH
×3%
0.2
3.4
10
V
DD
×0.75
1
–V
TH
×5%
1.2
7.0
20
2
–V
TH
×8%
0.1
35
V
DD
×0.25
7
VOUT
输出漏电流
（开漏输出）
Note1
延迟时间
MR低电平输入电压
MR高电平输入电压
MR内部上拉电阻
Note2
I
泄漏
t
DLY
V
IL
V
IH
R
MR
A
ms
V
V
M
V
DD
= 1.3 V
V
DD
= 2.4 V
(–V
TH
≥
2.7 V)
V
DD
= V
OUT
= 5.5 V
V
DD
= 1.1 5.5V ，T
TLH
= 1
s
C
D
= 4.7 nF的
V
OUT
= 0.5 V
（2） RNA51Bxx产品
温度条件TA = 25℃
项
电源电压
电源电流
阈值电压
阈值电压
温度依赖性
（设计参考值）
阈值电压迟滞
VOUT
低电平输出电流
符号
V
DD
I
DD
–V
TH
(–V
TH
)
–V
TH
ΔTa
V
HYS
I
OL
民
1.1
–V
TH
×0.99
典型值
0.7
±100
最大
5.5
4.2
–V
TH
×1.01
单位
V
A
V
PPM /
°C
V
mA
TA = -40 85°C
条件
上拉电阻= 470 kΩ的
V
OUT
≤
0.1×VDD
V
DD
= 5.5 V
–V
TH
×3%
0.2
3.4
–1.4
–1.5
10
V
DD
×0.75
1
–V
TH
×5%
1.2
7.0
–2.7
–3.0
20
2
–V
TH
×8%
35
V
DD
×0.25
7
VOUT
高电平输出电流
（ CMOS输出）
延迟时间
Note1
I
OH
mA
t
DLY
Note2
ms
V
V
M
V
DD
= 1.3 V
V
DD
= 2.4 V
(–V
TH
≥
2.7 V)
V
OUT
=
V
DD
= 4.5 V
V
DD
–0.5 V
(–V
TH
≤
4.0 V)
V
DD
= 5.5 V
V
DD
= 1.1 5.5 V ，T
TLH
= 1
s
C
D
= 4.7 nF的
V
OUT
= 0.5 V
MR低电平输入电压
MR高电平输入电压
MR内部上拉电阻
注意：
V
IL
V
IH
R
MR
在CD引脚完全放电的状态开始充电时指定1.延迟时间。 CD的放电时
销是不完整的即时停止等原因，因为该延迟时间不能保证。因此，当
传球VDD端子的输入电压的立即停止的状态（周期即VDD端子的输入电压低于下
检测到的电压是短）时，外部电容CD放电是不够的，并且延迟时间变短得多
比最低保证值。一定要全面检查，没有问题的系统。
低脉冲宽度的2的最小的值被输入到MR引脚取决于外部电容CD中的值。因此，设置
低脉冲宽度将被输入到MR引脚在图1中以上所示的最小输入的低脉冲宽度。
REJ03D0505-0300 Rev.3.00 2008年10月10日
第11个5
QQ：2880707522 复制
