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RN49P1FS
初步
东芝晶体管硅NPN · PNP外延型
（ PCT程序） （晶体管，内置偏置电阻）
RN49P1FS
开关，逆变电路，接口电路和驱动程序
电路的应用
1.0±0.05
0.1±0.05
0.8±0.05
单位：mm
0.1±0.05
0.15±0.05
(E1)
(E2)
(B2)
(C2)
(B1)
(C1)
0.35 0.35
1.0±0.05
0.7±0.05
两个设备被并入到细间距，小型模具（6针）
封装。
结合偏置电阻变成晶体管减少了器件数量。
减少零件数量使得能够更加制造
紧凑的设备，节省组装成本。
1
2
3
6
5
4
0.1±0.05
Q1
C
Q2
C
0.48
-0.04
+0.02
等效电路和偏置电阻值
B
R1
R2
B
R1
1. EMITTER1
2. EMITTER2
3. BASE2
4. COLLECTOR2
5. BASE1
6. COLLECTOR1
JEDEC
E
E
―
―
―
JEITA
东芝
重量：0.001克（典型值）。
Q1
R1 ：为10kΩ ， R2 ： 10千欧
Q2
R1 ： 10 kΩ的
Q1 ： RN1102FS
Q2 ： RN2111FS
记号
等效电路
（ TOP VIEW ）
6
5
4
6
5
4
X0
Q1
Q2
1
2
3
1
2
3
1
2007-11-01
RN49P1FS
绝对最大额定值
（ TA = 25 ℃） （ Q1 ）
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
等级
20
20
10
50
单位
V
V
V
mA
绝对最大额定值
（ TA = 25 ℃） （ Q2 ）
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
等级
20
20
5
50
单位
V
V
V
mA
绝对最大额定值
（ TA = 25 ℃） （ Q1 ， Q2公用）
特征
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
符号
P
C
（注1 ）
T
j
T
英镑
等级
50
150
55~150
单位
mW
°C
°C
注意：
在重负载下连续使用（如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化）可能会导致此产品的可靠性降低显著
即使在操作条件下（即工作温度/电流/电压等）内的绝对
最大额定值。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
（ “注意事项” / “降额的概念和方法” ）和个人数据的可靠性（即可靠性试验
报告与估计的故障率，等）。
注1 ：总的评价
2
2007-11-01
RN49P1FS
电气特性
（ TA = 25 ℃） （ Q1 ）
特征
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
输入电压（ ON）的
输入电压（OFF）的
集电极输出电容
输入电阻
电阻率
符号
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
V
CE （SAT）
V
我（上）
V
我（关闭）
C
ob
R1
R1/R2
测试条件
V
CB
=
20 V，I
E
=
0
V
CE
=
20 V，I
B
=
0
V
EB
=
10 V，I
C
=
0
V
CE
=
5 V，I
C
=
10毫安
I
C
=
5毫安，我
B
=
0.25毫安
V
CE
=
0.2 V，I
C
=
5毫安
V
CE
=
5 V，I
C
=
0.1毫安
V
CB
=
10 V，I
E
=
0, f
=
1兆赫
民
0.41
60
1.0
0.8
8
0.8
典型值。
1.2
10
1.0
最大
100
500
0.63
0.15
2.2
1.5
12
1.2
V
V
V
pF
kΩ
单位
nA
mA
电气特性
（ TA = 25 ℃） （ Q2 ）
特征
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
集电极输出电容
输入电阻
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE （SAT）
C
ob
R1
测试条件
V
CB
= 20
V，I
E
=
0
V
EB
= 5
V，I
C
=
0
V
CE
= 5
V，I
C
= 1
mA
I
C
= 5
妈，我
B
= 0.25
mA
V
CB
= 10
V，I
E
=
0, f
=
1兆赫
民
300
8
典型值。
1.2
10
最大
100
100
0.15
12
V
pF
kΩ
单位
nA
mA
3
2007-11-01
RN49P1FS
Q1
IC - 六（ ON）
100
集电极电流Ic （ mA）的
集电极电流IC （ μA ）
10000
共发射极
VCE = 5V
IC - 六（OFF ）
10
TA = 100℃
1000
TA = 100℃
25
-25
25
1
-25
共发射极
VCE = 0.2V
0.1
0.1
1
10
100
输入电压Vi （ON）， （V）的
100
10
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
输入电压Vi （关） （V）的
的hFE - IC
1000
集电极 - 发射极饱和
电压VCE （SAT） （MV ）
1000
VCE （SAT） - IC
共发射极
IC / IB = 20
直流电流增益hFE
TA = 100℃
100
-25
25
100
TA = 100℃
25
-25
10
共发射极
VCE = 5V
10
1
10
集电极电流Ic （ mA）的
100
1
10
集电极电流Ic （ mA）的
100
4
2007-11-01
RN49P1FS
Q2
IC - 六（ ON）
-100
集电极电流Ic （ mA）的
集电极电流IC （ μA ）
-10000
IC - 六（OFF ）
TA = 100℃
-10
-1000
TA = 100℃
-100
发射器通用
VCE = -5V
-10
25
25
-1
-25
发射器通用
VCE = -0.2V
-0.1
-0.1
-25
-1
-10
输入电压VI （ON ） （V ）
-100
0
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1
-1.2
-1.4
输入OFF电压Vi （ OFF） （V ）
的hFE - IC
10000
-1000
集电极 - 发射极饱和
电压VCE （SAT） （MV ）
VCE （SAT） - IC
直流电流增益hFE
TA = 100℃
1000
-100
TA = 100℃
25
100
-25
发射器通用
VCE = -5V
10
-0.1
-10
25
-25
发射器通用
IC / IB = 20
-1
-10
-100
-1
-0.1
-1
-10
-100
集电极电流Ic （ mA）的
集电极电流Ic （ mA）的
5
2007-11-01
查看更多RN49P1FSPDF信息
推荐型号
RL103GP
REC10-2412DRWLZ
RN5VD11CC-TL
RUEF800
RP1H
RC56DDP
RN5RT46A
RFP-250250N4AA1
R5016FNX
RI-I02-112B
RGP804
RT1A1108T089
RN5VS19AC
RCH654NP-390K
R1162N301B
RN5VD46CC
RH5RH271A-T2
R1WV3216RSD-8SR
RX314615C
RA7H3E
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厂家
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封装
单价/备注
操作
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    RN49P1FS
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    -
    -
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