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RN49A6FS
东芝晶体管硅NPN · PNP外延型
（ PCT程序） （偏置电阻内置晶体管）
RN49A6FS
切换应用程序
逆变器电路中的应用
接口电路中的应用
驱动器电路应用
两个设备合并到一个细间距小模（ 6针）
封装。
结合偏置电阻变成晶体管减少了部件数量。
0.48
-0.04
+0.02
单位：mm
1.0±0.05
0.1±0.05
0.8±0.05
0.1±0.05
0.15±0.05
0.35 0.35
1.0±0.05
0.7±0.05
1
2
3
6
5
4
0.1±0.05
减少零件数量使得能够更加制造
紧凑型设备，降低装配成本。
等效电路和偏置电阻值
Q1
C
Q2
C
fS6
JEDEC
JEITA
1.EMIITTER1
2.BASE1
3 COLLECTOR2 。
4.EMIITTER2
5.BASE2
6.COLLECTOR1
(E1)
(B1)
(C2)
(E2)
(B2)
(C1)
B
R1
R2
B
R1
R2
―
―
2-1F1D
东芝
E
E
重量： 1毫克（典型值）。
Q1 （ R1 ： 47千欧姆
,
R2 ： 47千欧姆）
Q2 （ R1 ： 4.7kΩ
， R2 ： 47千欧姆）
等效电路
（ TOP VIEW ）
6
5
4
记号
6
5
4
型号名称
Q1
Q2
X8
1
2
3
1
2
3
1
2009-04-23
RN49A6FS
绝对最大额定值
（ TA = 25 ℃） （ Q1 ）
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
等级
20
20
10
50
单位
V
V
V
mA
绝对最大额定值
（ TA = 25 ℃） （ Q2 ）
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
等级
20
20
5
50
单位
V
V
V
mA
绝对最大额定值
（ TA = 25 ℃） （ Q1 ， Q2公用）
特征
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
符号
P
C
(Note1)
T
j
T
英镑
等级
50
150
55
150
单位
mW
°C
°C
注1 ：
注意：
总评分
在重负载下连续使用（如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化）可能会导致此产品的可靠性降低显著
即使在操作条件下（即工作温度/电流/电压等）内的绝对
最大额定值。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
（ “注意事项” / “降额的概念和方法” ）和个人数据的可靠性（即可靠性试验
报告与估计的故障率，等）。
2
2009-04-23
RN49A6FS
电气特性
（ TA = 25 ℃） （ Q1 ）
特征
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
输入电压（ ON）的
输入电压（OFF）的
集电极输出电容
输入电阻
电阻率
符号
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
V
CE （SAT）
V
我（上）
V
我（关闭）
C
ob
R1
R1/R2
测试条件
V
CB
=
20 V，I
E
=
0
V
CE
=
20 V，I
B
=
0
V
EB
=
10 V，I
C
=
0
V
CE
=
5 V，I
C
=
10毫安
I
C
=
5毫安，我
B
=
0.25毫安
V
CE
=
0.2 V，I
C
=
5毫安
V
CE
=
5 V，I
C
=
0.1毫安
V
CB
=
10 V，I
E
=
0, f
=
1兆赫
―
―
民
0.088
120
1.2
0.8
37.6
0.8
典型值。
1.2
47
1.0
最大
100
500
0.133
0.15
3.6
1.5
56.4
1.2
V
V
V
pF
k
―
单位
nA
mA
电气特性
（ TA = 25 ℃） （ Q2 ）
特征
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
输入电压（ ON）的
输入电压（OFF）的
集电极输出电容
输入电阻
电阻率
符号
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
V
CE （SAT）
V
我（上）
V
我（关闭）
C
ob
R1
R1/R2
测试条件
V
CB
= 20
V，I
E
=
0
V
CE
= 20
V，I
B
=
0
V
EB
= 5
V，I
C
=
0
V
CE
= 5
V，I
C
= 10
mA
I
C
= 5
妈，我
B
= 0.25
mA
V
CE
= 0.2
V，I
C
= 5
mA
V
CE
= 5
V，I
C
= 0.1
mA
V
CB
= 10
V，I
E
=
0, f
=
1兆赫
民
0.08
120
0.6
0.4
3.76
0.08
典型值。
1.2
4.7
0.1
最大
100
500
0.121
0.15
1.2
0.8
5.64
0.12
V
V
V
pF
k
―
单位
nA
mA
3
2009-04-23
RN49A6FS
Q1
IC - 六（ ON）
100
10000
IC - 六（OFF ）
（MA ）
コレクタ電流
IC
集电极电流
（MA ）
IC
10
集电极电流Ic
コレクタ電流
IC （ μA ）
TA = 100℃
(μA)
发射器通用
エミッタ接地
VCE =
= 5V
VCE
5V
1000
TA = 100℃
25
-25
25
1
-25
100
发射器通用
エミッタ接地
VCE = 0.2V
= 0.2V
VCE
0.1
0.1
1
10
100
10
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
输入电压
VI
第六章（上）
(V)
(V)
（上）
入力オン電圧
输入
入力オフ電圧
六（关） （V）的
(V)
关闭电压Vi （ OFF）
的hFE - IC
1000
1000
VCE （SAT） - IC
25
-25
100
集电极 - 发射极饱和
½½½½½間½和電圧
VCE （ SAT ） （MV ）
电压VCE （SAT） （MV ）
TA = 100℃
发射器通用
エミッタ接地
IC / IB
/
= 20
20
IC IB =
DC
直流电流増幅率的hFE
电流增益
100
TA = 100℃
エミッタ接地
发射器通用
VCE = 5V
= 5V
VCE
10
1
10
100
25
-25
10
1
10
100
集电极电流Ic （ mA）的
コレクタ电流IC （MA ）
集电极电流Ic
コレクタ電流
IC （MA ）
（MA ）
4
2009-04-23
RN49A6FS
Q2
IC - 六（ ON）
-100
-10000
IC - 六（OFF ）
（MA ）
コレクタ电流IC
（MA ）
集电极电流Ic
-10
集电极电流Ic
コレクタ电流IC
(μA)
TA = 100℃
(μA)
-1000
TA = 100℃
25
-25
25
-1
-25
-100
发射器通用
エミッタ接地
VCE
VCE = -0.2V
= -0.2V
-0.1
-0.1
发射器通用
エミッタ接地
VCE
VCE = -5V
= -5V
-10
-1
-10
输入电压VI （ON ） （V ）
入力オン電圧　
六（ON）， （V）的
-100
0
-0
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1
-1.2
输入OFF电压Vi （ OFF） （V ）
入力オフ電圧　
六（关） （V）的
-1.4
的hFE - IC
1000
-1000
VCE （SAT） - IC
集电极 - 发射极饱和
½½½½½間½和電圧　VCE(sat)
（毫伏）
电压VCE （SAT） （MV ）
TA = 100℃
辐射源
エミッタ接地
常见
IC / IB = 20
IC / IB = 20
DC
直流电流増幅的hFE
电流增益hFE
25
-25
100
TA = 100℃
-100
25
-25
-10
发射器通用
エミッタ接地
VCE = -5V
= -5V
VCE
10
-1
-10
-100
-1
集电极电流Ic
コレクタ電流　
IC （MA ）
（MA ）
-10
集电极电流Ic
コレクタ電流　
IC （MA ）
-100
（MA ）
5
2009-04-23
查看更多RN49A6FSPDF信息
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RH5RE26AA-T1
RE5RL21AC-TL
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RC10-14R3-LW
RX-1509S
RX1509S
REC1.5-243.3SRH1SMD
REF01NBC
R1140Q311B-TL
RH5RL36AC-RF
RNA51953BFPH0
RDAD-37PLNA(4-40)
RYA536
RO2188
供货商
型号
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封装
单价/备注
操作
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