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RN49A1FE

东芝晶体管PNP硅NPN ·外延型

（ PCT程序）（晶体管，内置偏置电阻）

RN49A1FE

开关，逆变电路，接口电路和驱动程序

电路的应用

两个设备被结合到一个极端，超小型（6针）

封装。

结合偏置电阻变成晶体管减少了器件数量。

减少零件数量使得能够更加制造

紧凑的设备，节省组装成本。

单位：mm

等效电路和偏置电阻值

Q1

C

Q2

C

B

R1

R2

B

R1

R2

1.EMITTER1

2.BASE1

3.COLLECTOR2

4.EMITTER2

5.BASE2

6.COLLECTOR1

(E1)

(B1)

(C2)

(E2)

(B2)

(C1)

JEDEC

E

E

―

―

2-2N1G

JEITA

东芝

Q1

R1 ： 2.2千欧， R2 ： 47千欧

Q2

R1 ： 22千欧， R2 ： 47千欧

Q1 ： RN2105F相当于

Q2 ： RN1108F相当于

重0.006克（典型值）。

记号

6

5

4

等效电路

（ TOP VIEW ）

6

5

4

15

Q1

Q2

1

2

3

1

2

3

1

2007-11-01

RN49A1FE

绝对最大额定值

（ TA = 25 ℃）（ Q1 ）

特征

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

等级

50

50

5

100

单位

V

V

V

mA

绝对最大额定值

（ TA = 25 ℃）（ Q2 ）

特征

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

等级

50

50

7

100

单位

V

V

V

mA

绝对最大额定值

（ TA = 25 ℃）（ Q1 ， Q2公用）

特征

集电极耗散功率

结温

存储温度范围

符号

P

C

（注1 ）

T

j

T

英镑

等级

100

150

55~150

单位

mW

°C

°C

注意：

在重负载下连续使用（如高温/电流/电压和应用

在温度等显著变化）可能会导致此产品在可靠性，降低显著甚至

如果操作条件（即工作温度/电流/电压等）内的绝对最大

收视率。

请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性

（ “注意事项” / “降额的概念和方法” ）和个人数据的可靠性（即可靠性试验

报告与估计的故障率，等）。

注1 ：总的评价

2

2007-11-01

RN49A1FE

电气特性

（ TA = 25 ℃）（ Q1 ）

特征

收藏家Cuto FF电流

发射Cuto FF电流

直流电流增益

集电极 - 发射极饱和电压

输入电压（ ON）的

输入电压（OFF）的

跃迁频率

集电极输出电容

输入阻抗

电阻率

符号

I

CBO

I

首席执行官

I

EBO

h

FE

V

CE （SAT）

V

我（上）

V

我（关闭）

f

T

C

ob

R1

R1/R2

测试条件

V

CB

= 50

V，I

E

=

0

V

CE

= 50

V，I

B

=

0

V

EB

= 5

V，I

C

=

0

V

CE

= 5

V，I

C

= 10

mA

I

C

= 5

妈，我

B

= 0.25

mA

V

CE

= 0.2

V，I

C

= 5

mA

V

CE

= 5

V，I

C

= 0.1

mA

V

CE

= 10

V，I

C

= 5

mA

V

CB

= 10

V，I

E

=

0, f

=

1兆赫

民

0.078

80

0.6

0.5

1.54

典型值。

0.1

200

3

2.2

最大

100

500

0.145

0.3

1.1

0.8

2.86

V

V

V

兆赫

pF

kΩ

单位

nA

mA

0.0421 0.0468 0.0515

电气特性

（ TA = 25 ℃）（ Q2 ）

特征

收藏家Cuto FF电流

发射Cuto FF电流

直流电流增益

集电极 - 发射极饱和电压

输入电压（ ON）的

输入电压（OFF）的

跃迁频率

集电极输出电容

输入阻抗

电阻率

符号

I

CBO

I

首席执行官

I

EBO

h

FE

V

CE （SAT）

V

我（上）

V

我（关闭）

f

T

C

ob

R1

R1/R2

测试条件

V

CB

=

50 V，I

E

=

0

V

CE

=

50 V，I

B

=

0

V

EB

=

7 V，I

C

=

0

V

CE

=

5 V，I

C

=

10毫安

I

C

=

5毫安，我

B

=

0.25毫安

V

CE

=

0.2 V，I

C

=

5毫安

V

CE

=

5 V，I

C

=

0.1毫安

V

CE

=

10 V，I

C

=

5毫安

V

CB

=

10 V，I

E

=

0, f

=

1兆赫

民

0.078

80

1.0

0.6

1.54

0.421

典型值。

0.1

250

3

22

0. 468

最大

100

500

0.145

0.3

2.6

1.16

2.86

0. 515

V

V

V

兆赫

pF

kΩ

单位

nA

mA

3

2007-11-01

RN49A1FE

Q1

4

2007-11-01

RN49A1FE

Q2

5

2007-11-01

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