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RN4981FE
东芝晶体管硅NPN · PNP外延型
（ PCT程序） （偏置电阻内置晶体管）
RN4981FE
开关，逆变电路，接口电路和
驱动器电路应用
两个设备被结合到一个极端，超小型（6针）
封装。
结合偏置电阻变成晶体管减少了部件数量。
减少零件数量使得能够更加制造
紧凑型设备，降低装配成本。
单位：mm
等效电路和偏置电阻值
Q1
C
Q2
C
B
R1
R2
B
R1
R2
JEDEC
E
―
―
2-2N1G
E
JEITA
东芝
重量：
R1 ： 4.7千欧
R2 ： 4.7千欧
（ Q1 ， Q2常见）
0.003克（典型值）。
记号
等效电路
（ TOP VIEW ）
6
5
4
6A
Q1
Q2
1
2
3
1
2007-11-01
RN4981FE
绝对最大额定值
（ TA = 25 ℃） （ Q1 ）
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
等级
50
50
10
100
单位
V
V
V
mA
绝对最大额定值
（ TA = 25 ℃） （ Q2 ）
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
等级
50
50
10
100
单位
V
V
V
mA
绝对最大额定值
（ TA = 25 ℃） （ Q1 ， Q2公用）
特征
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
符号
P
C
（注）
T
j
T
英镑
等级
100
150
55~150
单位
mW
°C
°C
注意：
在重负载下连续使用（如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化）可能会导致此产品的可靠性降低显著
即使在操作条件下（即工作温度/电流/电压等）内的绝对
最大额定值。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
（ “注意事项” / “降额的概念和方法” ）和个人数据的可靠性（即可靠性试验
报告与估计的故障率，等）。
注1 ：总的评价
2
2007-11-01
RN4981FE
电气特性
（ TA = 25 ℃） （ Q1 ）
特征
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
输入电压（ ON）的
输入电压（OFF）的
跃迁频率
集电极输出电容
符号
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
V
CE （SAT）
V
我（上）
V
我（关闭）
f
T
C
ob
测试条件
V
CB
=
50 V，I
E
=
0
V
CE
=
50 V，I
B
=
0
V
EB
=
10 V，I
C
=
0
V
CE
=
5 V，I
C
=
10毫安
I
C
=
5毫安，我
B
=
0.25毫安
V
CE
=
0.2 V，I
C
=
5毫安
V
CE
=
5 V，I
C
=
0.1毫安
V
CE
=
10 V，I
C
=
5毫安
V
CB
=
10 V，I
E
=
0, f
=
1兆赫
民
0.82
30
1.1
1.0
典型值。
0.1
250
3
最大
100
500
1.52
0.3
2.0
1.5
6
V
V
V
兆赫
pF
单位
nA
mA
电气特性
（ TA = 25 ℃） （ Q2 ）
特征
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
输入电压（ ON）的
输入电压（OFF）的
跃迁频率
集电极输出电容
符号
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
V
CE （SAT）
V
我（上）
V
我（关闭）
f
T
C
ob
测试条件
V
CB
= 50
V，I
E
=
0
V
CE
= 50
V，I
B
=
0
V
EB
= 10
V，I
C
=
0
V
CE
= 5
V，I
C
= 10
mA
I
C
= 5
妈，我
B
= 0.25
mA
V
CE
= 0.2
V，I
C
= 5
mA
V
CE
= 5
V，I
C
= 0.1
mA
V
CE
= 10
V，I
C
= 5
mA
V
CB
= 10
V，I
E
=
0, f
=
1兆赫
民
0.82
30
1.1
1.0
典型值。
0.1
200
3
最大
100
500
1.52
0.3
2.0
1.5
6
V
V
V
兆赫
pF
单位
nA
mA
电气特性
（ TA = 25 ℃） （ Q1 ， Q2公用）
特征
输入电阻
电阻率
符号
R1
R1/R2
测试条件
民
3.29
0.9
典型值。
4.7
1.0
最大
6.11
1.1
单位
kΩ
3
2007-11-01
RN4981FE
Q1
RN1102FT
4
2007-11-01
RN4981FE
Q2
5
2007-11-01
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