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RN4962FE
东芝晶体管硅NPN · PNP外延型
（ PCT程序） （偏置电阻内置晶体管）
RN4962FE
开关，逆变电路，接口电路和
驱动器电路应用。
·
·
两个设备被结合到一个极端，超小型（6针）
封装。
结合偏置电阻变成晶体管减少了部件数量。
减少元件数量实现了前所未有的制造
紧凑型设备，节省组装成本。
单位：mm
等效电路和偏置电阻值
Q1
C
Q2
C
B
R1
R2
B
R1
R2
JEDEC
E
E
―
―
―
G（典型值）。
JEITA
东芝
重量：
R1 ： 10千瓦
R2 ： 10千瓦
（ Q1 ， Q2常见）
记号
等效电路
（ TOP VIEW ）
6
5
4
17B
Q1
Q2
1
2
3
1
2002-01-31
RN4962FE
最大额定值
（大
=
25℃） （Q1）的
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
等级
50
50
10
100
单位
V
V
V
mA
最大额定值
（大
=
25 ℃）（ Q 2）
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
等级
-50
-50
-10
-100
单位
V
V
V
mA
最大额定值
（大
=
25 ° C） （ Q1 ， Q2公用）
特征
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
符号
P
C
（注）
T
j
T
英镑
等级
100
150
-55~150
单位
mW
°C
°C
注：总的评价
2
2002-01-31
RN4962FE
电气特性
（大
=
25℃） （Q1）的
特征
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
输入电压（ ON）的
输入电压（OFF）的
跃迁频率
集电极输出电容
符号
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
V
CE （SAT）
V
我（上）
V
我（关闭）
f
T
C
ob
测试条件
V
CB
=
50 V，I
E
=
0
V
CE
=
50 V，I
B
=
0
V
EB
=
10 V，I
C
=
0
V
CE
=
5 V，I
C
=
10毫安
I
C
=
5毫安，我
B
=
0.25毫安
V
CE
=
0.2 V，I
C
=
5毫安
V
CE
=
5 V，I
C
=
0.1毫安
V
CE
=
50 V，I
C
=
0
V
CB
=
50 V，I
E
=
0, f
=
1兆赫
民
0.38
50
1.2
1.0
典型值。
0.1
250
3
最大
100
500
0.71
0.3
2.4
1.5
6
V
V
V
兆赫
pF
单位
nA
mA
电气特性
（大
=
25 ℃）（ Q 2）
特征
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
输入电压（ ON）的
输入电压（OFF）的
跃迁频率
集电极输出电容
符号
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
V
CE （SAT）
V
我（上）
V
我（关闭）
f
T
C
ob
测试条件
V
CB
= -50
V，I
E
=
0
V
CE
= -50
V，I
B
=
0
V
EB
= -10
V，I
C
=
0
V
CE
= -5
V，I
C
= -10
mA
I
C
= -5
妈，我
B
= -0.25
mA
V
CE
= -0.2
V，I
C
= -5
mA
V
CE
= -5
V，I
C
= -0.1
mA
V
CE
= -50
V，I
C
=
0
V
CB
= -50
V，I
E
=
0, f
=
1兆赫
民
-0.38
50
-1.2
-1.0
典型值。
-0.1
200
3
最大
-100
-500
-0.71
-0.3
-2.4
-1.5
6
V
V
V
兆赫
pF
单位
nA
mA
电气特性
（大
=
25 ° C） （ Q1 ， Q2公用）
特征
输入电阻
电阻率
符号
R1
R1/R2
测试条件
民
7
0.9
典型值。
10
1.0
最大
13
1.1
单位
kW
3
2002-01-31
RN4962FE
限制产品使用
000707EAA
·
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过，半导体
在一般的设备可能发生故障或失效，由于其固有的电灵敏度和容易受到物理
压力。它是利用东芝产品时，买方的责任，以符合标准
安全性在制造安全的设计对整个系统，并避免出现在其中一个发生故障或失效
如东芝的产品可能会造成人的生命，人身伤害或财产损失财产。
在开发设计时，请确保东芝产品在规定的工作范围内所用
阐述在最近东芝产品规格。另外，请记住注意事项，
设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性
手册“等。
·
本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用
（计算机，个人设备，办公设备，测量设备，工业机器人，家用电器，
等）。这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法
非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或
人身伤害（ “意外用法” ） 。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表，飞机或
太空船仪器，运输仪器，交通信号仪器仪表，燃烧控制仪表，
医疗器械，各种安全装置等。东芝产品的非预期使用本上市
文件应在客户自己的风险进行。
·
此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。没有
承担责任东芝公司的知识产权或其他任何侵权行为
该第三方可能导致其使用的权利。没有获发牌照以暗示或以其他方式
任何知识产权或东芝或他人的其他权利。
·
此处所包含的信息如有更改，恕不另行通知。
4
2002-01-31
RN4962FE
东芝晶体管硅NPN · PNP外延型
（ PCT程序） （偏置电阻内置晶体管）
RN4962FE
开关，逆变电路，接口电路和
驱动器电路应用。
·
·
两个设备被结合到一个极端，超小型（6针）
封装。
结合偏置电阻变成晶体管减少了部件数量。
减少元件数量实现了前所未有的制造
紧凑型设备，节省组装成本。
单位：mm
等效电路和偏置电阻值
Q1
C
Q2
C
B
R1
R2
B
R1
R2
JEDEC
E
E
―
―
―
G（典型值）。
JEITA
东芝
重量：
R1 ： 10千瓦
R2 ： 10千瓦
（ Q1 ， Q2常见）
记号
等效电路
（ TOP VIEW ）
6
5
4
17B
Q1
Q2
1
2
3
1
2002-01-31
RN4962FE
最大额定值
（大
=
25℃） （Q1）的
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
等级
50
50
10
100
单位
V
V
V
mA
最大额定值
（大
=
25 ℃）（ Q 2）
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
等级
-50
-50
-10
-100
单位
V
V
V
mA
最大额定值
（大
=
25 ° C） （ Q1 ， Q2公用）
特征
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
符号
P
C
（注）
T
j
T
英镑
等级
100
150
-55~150
单位
mW
°C
°C
注：总的评价
2
2002-01-31
RN4962FE
电气特性
（大
=
25℃） （Q1）的
特征
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
输入电压（ ON）的
输入电压（OFF）的
跃迁频率
集电极输出电容
符号
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
V
CE （SAT）
V
我（上）
V
我（关闭）
f
T
C
ob
测试条件
V
CB
=
50 V，I
E
=
0
V
CE
=
50 V，I
B
=
0
V
EB
=
10 V，I
C
=
0
V
CE
=
5 V，I
C
=
10毫安
I
C
=
5毫安，我
B
=
0.25毫安
V
CE
=
0.2 V，I
C
=
5毫安
V
CE
=
5 V，I
C
=
0.1毫安
V
CE
=
50 V，I
C
=
0
V
CB
=
50 V，I
E
=
0, f
=
1兆赫
民
0.38
50
1.2
1.0
典型值。
0.1
250
3
最大
100
500
0.71
0.3
2.4
1.5
6
V
V
V
兆赫
pF
单位
nA
mA
电气特性
（大
=
25 ℃）（ Q 2）
特征
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
输入电压（ ON）的
输入电压（OFF）的
跃迁频率
集电极输出电容
符号
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
V
CE （SAT）
V
我（上）
V
我（关闭）
f
T
C
ob
测试条件
V
CB
= -50
V，I
E
=
0
V
CE
= -50
V，I
B
=
0
V
EB
= -10
V，I
C
=
0
V
CE
= -5
V，I
C
= -10
mA
I
C
= -5
妈，我
B
= -0.25
mA
V
CE
= -0.2
V，I
C
= -5
mA
V
CE
= -5
V，I
C
= -0.1
mA
V
CE
= -50
V，I
C
=
0
V
CB
= -50
V，I
E
=
0, f
=
1兆赫
民
-0.38
50
-1.2
-1.0
典型值。
-0.1
200
3
最大
-100
-500
-0.71
-0.3
-2.4
-1.5
6
V
V
V
兆赫
pF
单位
nA
mA
电气特性
（大
=
25 ° C） （ Q1 ， Q2公用）
特征
输入电阻
电阻率
符号
R1
R1/R2
测试条件
民
7
0.9
典型值。
10
1.0
最大
13
1.1
单位
kW
3
2002-01-31
RN4962FE
限制产品使用
000707EAA
·
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过，半导体
在一般的设备可能发生故障或失效，由于其固有的电灵敏度和容易受到物理
压力。它是利用东芝产品时，买方的责任，以符合标准
安全性在制造安全的设计对整个系统，并避免出现在其中一个发生故障或失效
如东芝的产品可能会造成人的生命，人身伤害或财产损失财产。
在开发设计时，请确保东芝产品在规定的工作范围内所用
阐述在最近东芝产品规格。另外，请记住注意事项，
设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性
手册“等。
·
本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用
（计算机，个人设备，办公设备，测量设备，工业机器人，家用电器，
等）。这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法
非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或
人身伤害（ “意外用法” ） 。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表，飞机或
太空船仪器，运输仪器，交通信号仪器仪表，燃烧控制仪表，
医疗器械，各种安全装置等。东芝产品的非预期使用本上市
文件应在客户自己的风险进行。
·
此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。没有
承担责任东芝公司的知识产权或其他任何侵权行为
该第三方可能导致其使用的权利。没有获发牌照以暗示或以其他方式
任何知识产权或东芝或他人的其他权利。
·
此处所包含的信息如有更改，恕不另行通知。
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2002-01-31
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R5F61663RD50FPV
RS3-0509DH2
R1221N19AG
RL181S-182J-RC
RN5RL41AC-RR
RP132240-2-0
R3112N331A
RJZ-1209SHP
RJ45-8L2-B
RCH106NP-220M
RC0805JR-13
RF-3.33.3S
R65C21P2
RFF500-48S28-5Y
RN2962CT
RC55C-12K1D1
RE5RL58AA-RF
RD74LVC32B
R8830LV
RDAF-9PE-LM
供货商
型号
厂家
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数量
封装
单价/备注
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    RN4962FE
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    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
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联系人：朱
地址：福田区红荔路上步工业区201栋西座316
RN4962FE
TOSHIBA/东芝
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12300
SOT323-6
全新原装现货，原厂代理。
深圳诚思涵科技有限公司
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联系人：朱先生
地址：广东省深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室
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TOSHIBA/东芝
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100%原装正品，可长期订货
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电话：15026993318 // 13764057178 // 15821228847
联系人：销售部
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RN4962FE
TOSHIBA/东芝
2024
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上海原装现货库存，欢迎咨询合作
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联系人：销售部
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原装现货上海库存，欢迎咨询
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联系人：何小姐
地址：海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
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联系人：陈小姐 张先生
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