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RN4911
东芝三极管
PNP硅外延型（厘过程） NPN硅外延式（ PCT程序）
RN4911
开关，逆变电路，接口电路
和驱动器电路应用
l
在US6包括，两个设备（超超迷你型6引脚）
l
利用内置的偏置电阻
l
简化电路设计
l
减少部件数量和制造工艺的数量
单位：mm
等效电路和偏置电阻值的
R1 ： 10kΩ的
（ Q1 ， Q2常见）
Q1最大额定值
（ TA = 25°C ）
°
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
等级
50
50
5
100
单位
V
V
V
mA
JEDEC
EIAJ
东芝
重量： 6.8mg
―
―
2-2J1A
Q2最大额定值
（ TA = 25°C ）
°
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
等级
50
50
5
100
单位
V
V
V
mA
1
2001-06-07
RN4911
Q1 ， Q2通用最大额定值
（ TA = 25°C ）
°
特征
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
符号
P
C
*
T
j
T
英镑
等级
200
150
55~150
单位
mW
°C
°C
*
总评分
记号
等效电路
（ TOP VIEW ）
2
2001-06-07
RN4911
Q1电气特性
（ TA = 25°C ）
特征
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE （SAT）
f
T
C
ob
TEST
电路
―
―
―
―
―
―
测试条件
V
CB
=
50V,
I
E
= 0
V
EB
=
5V,
I
C
= 0
V
CE
=
5V,
I
C
=
1mA
I
C
=
5mA,
I
B
=
0.25mA
V
CE
=
10V,
I
C
=
5mA
V
CB
=
10V,
I
E
= 0中，f = 1MHz的
民
―
―
120
―
―
―
典型值。
―
―
―
0.1
200
3
最大
100
100
400
0.3
―
6
单位
nA
mA
―
V
兆赫
pF
Q2电气特性
（ TA = 25°C ）
特征
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE （SAT）
f
T
C
ob
TEST
电路
―
―
―
―
―
―
测试条件
V
CB
= 50V ，我
E
= 0
V
EB
= 5V ，我
C
= 0
V
CE
= 5V ，我
C
= 1毫安
I
C
= 5毫安，我
B
= 0.25毫安
V
CE
= 10V ，我
C
= 5毫安
V
CB
= 10V ，我
E
= 0中，f = 1 MHz的
民
―
―
120
―
―
―
典型值。
―
―
―
0.1
250
3
最大
100
100
700
0.3
―
6
单位
nA
mA
―
V
兆赫
pF
Q1 ， Q2通用电气特性
（ TA = 25°C ）
特征
输入电阻
符号
R1
TEST
电路
―
测试条件
―
民
7
典型值。
10
最大
13
单位
k
3
2001-06-07
RN4911
Q1
4
2001-06-07
RN4911
Q2
5
2001-06-07
RN4911
东芝三极管
PNP硅外延型（厘过程） NPN硅外延式（ PCT程序）
RN4911
开关，逆变电路，接口电路
和驱动器电路应用
l
在US6包括，两个设备（超超迷你型6引脚）
l
利用内置的偏置电阻
l
简化电路设计
l
减少部件数量和制造工艺的数量
单位：mm
等效电路和偏置电阻值的
R1 ： 10kΩ的
（ Q1 ， Q2常见）
Q1最大额定值
（ TA = 25°C ）
°
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
等级
50
50
5
100
单位
V
V
V
mA
JEDEC
EIAJ
东芝
重量： 6.8mg
―
―
2-2J1A
Q2最大额定值
（ TA = 25°C ）
°
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
等级
50
50
5
100
单位
V
V
V
mA
1
2001-06-07
RN4911
Q1 ， Q2通用最大额定值
（ TA = 25°C ）
°
特征
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
符号
P
C
*
T
j
T
英镑
等级
200
150
55~150
单位
mW
°C
°C
*
总评分
记号
等效电路
（ TOP VIEW ）
2
2001-06-07
RN4911
Q1电气特性
（ TA = 25°C ）
特征
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE （SAT）
f
T
C
ob
TEST
电路
―
―
―
―
―
―
测试条件
V
CB
=
50V,
I
E
= 0
V
EB
=
5V,
I
C
= 0
V
CE
=
5V,
I
C
=
1mA
I
C
=
5mA,
I
B
=
0.25mA
V
CE
=
10V,
I
C
=
5mA
V
CB
=
10V,
I
E
= 0中，f = 1MHz的
民
―
―
120
―
―
―
典型值。
―
―
―
0.1
200
3
最大
100
100
400
0.3
―
6
单位
nA
mA
―
V
兆赫
pF
Q2电气特性
（ TA = 25°C ）
特征
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE （SAT）
f
T
C
ob
TEST
电路
―
―
―
―
―
―
测试条件
V
CB
= 50V ，我
E
= 0
V
EB
= 5V ，我
C
= 0
V
CE
= 5V ，我
C
= 1毫安
I
C
= 5毫安，我
B
= 0.25毫安
V
CE
= 10V ，我
C
= 5毫安
V
CB
= 10V ，我
E
= 0中，f = 1 MHz的
民
―
―
120
―
―
―
典型值。
―
―
―
0.1
250
3
最大
100
100
700
0.3
―
6
单位
nA
mA
―
V
兆赫
pF
Q1 ， Q2通用电气特性
（ TA = 25°C ）
特征
输入电阻
符号
R1
TEST
电路
―
测试条件
―
民
7
典型值。
10
最大
13
单位
k
3
2001-06-07
RN4911
Q1
4
2001-06-07
RN4911
Q2
5
2001-06-07
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RL1605CT
RN5VS38CC-TR
RL855-100M-RC
RMS132AW-6E
R440001800003000
RD40120J
RE5RL58AC-TR
RN5RT32AA-TR
R3111Q451A-TR
RN5VL47C
RN5VD22CC
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封装
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    RN4911
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SOT-363
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SOT363
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SOT363
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RN4911
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联系人：销售部1部
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RN4911
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RN4911
TOSHIBA/东芝
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联系人：李小姐/李先生/罗小姐/汪先生
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