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RN2910AFS , RN2911AFS
东芝三极管
PNP硅外延式( PCT程序) (晶体管,内置偏置电阻)
RN2910AFS , RN2911AFS
开关,逆变电路,接口电路和
驱动器电路应用
两个设备被并入到细间距,小型模具(6针)
封装。
结合偏置电阻变成晶体管减少了器件数量。
减少零件数量使得能够更加制造
紧凑的设备和降低组装成本。
互补的RN1910AFS / RN1911AFS
0.1±0.05
0.35 0.35
单位:mm
1.0±0.05
0.8±0.05
0.1±0.05
0.15±0.05
(E1)
(B1)
(C2)
(E2)
(B2)
(C1)
单位
nA
nA
V
pF
1.0±0.05
0.7±0.05
1
2
3
6
5
4
0.1±0.05
C
0.48
-0.04
+0.02
等效电路和偏置电阻值
B
R1
E
fS6
JEDEC
JEITA
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
(注1 )
T
j
T
英镑
等级
50
50
5
80
50
150
55~150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
Q1
1. EMITTER1
2. BASE1
3. COLLECTOR2
4. EMITTER2
5. BASE2
6. COLLECTOR1
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
( Q1 , Q2常见)
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
2-1F1D
东芝
重量:0.001克(典型值)。
等效电路(顶视图)
6
5
4
Q2
注:在重负载下连续使用的(如高的应用
1
2
3
温度/电流/电压和温度的显著变化等)
可能会导致该产品在可靠性,降低显著,即使工作条件(即工作
温度/电流/电压等)的绝对最大额定值。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
( “注意事项” / “降额的概念和方法” )和个人数据的可靠性(即可靠性试验
报告与估计的故障率,等)。
注1 :总的评价
电气特性
( TA = 25 ℃) ( Q1 , Q2公用)
特征
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
集电极输出电容
输入电阻
RN2910AFS
RN2911AFS
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE (SAT)
C
ob
R1
测试条件
V
CB
= 50
V,I
E
=
0
V
EB
= 5
V,I
C
=
0
V
CE
= 5
V,I
C
= 1
mA
I
C
= 5
妈,我
B
= 0.25
mA
V
CB
=
10 V,I
E
=
0, f
=
1兆赫
120
典型值。
最大
100
100
400
3.76
8
0.9
4.7
10
0.15
5.64
12
1
2007-11-01
RN2910AFS , RN2911AFS
RN2910AFS
-100
集电极电流Ic ( mA)的
IC - 六( ON)
-10000
集电极电流Ic (微安)
RN2910AFS
IC - 六(OFF )
共发射极
VCE = -0.2 V
共发射极
VCE = -5V
-10
TA = 100℃
-1000
TA = 100℃
25
-25
25
-1
-25
-100
-0.1
-0.1
-1
-10
-100
-10
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1
-1.2
输入电压
 
六(ON), (V)的
输入电压
 
六(关) (V)的
RN2911AFS
-100
集电极电流Ic ( mA)的
IC - 六( ON)
-10000
RN2911AFS
IC - 六(OFF )
-10
TA = 100℃
集电极电流Ic (微安)
共发射极
VCE = -0.2 V
共发射极
VCE = -5V
-1000
TA = 100℃
25
-25
25
-1
-25
-100
-0.1
-0.1
-1
-10
-100
-10
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1
-1.2
输入电压
 
六(ON), (V)的
输入电压
 
六(关) (V)的
2
2007-11-01
RN2910AFS , RN2911AFS
RN2910AFS
1000
的hFE - IC
-1
TA = 100℃
集电极 - 发射极饱和
电压VCE (饱和) (V)的
RN2910AFS
VCE (SAT) - IC
共发射极
IC / IB = 20
直流电流增益
②hFE
100
25
-25
-0.1
TA = 100℃
共发射极
VCE = -5V
10
-0.1
-25
25
-1
-10
-100
-0.01
-0.1
-1
-10
-100
集电极电流
 
IC (MA )
集电极电流
 
IC (MA )
RN2911AFS
1000
的hFE - IC
-1
TA = 100℃
集电极 - 发射极饱和
电压VCE (饱和) (V)的
RN2911AFS
VCE (SAT) - IC
共发射极
IC / IB = 20
直流电流增益
②hFE
100
25
-25
-0.1
TA = 100℃
共发射极
VCE = -5V
10
-0.1
-25
25
-1
-10
-100
-0.01
-0.1
-1
-10
-100
集电极电流
 
IC (MA )
集电极电流
 
IC (MA )
3
2007-11-01
RN2910AFS , RN2911AFS
型号名称
记号
6
5
4
型号名称
RN2910AFS
D9
1
6
2
5
3
4
型号名称
RN2911AFS
DF
1
2
3
4
2007-11-01
RN2910AFS , RN2911AFS
限制产品使用
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也指并遵守第(一)所有相关信息东芝的最新版本,包括但不限于本文件,
规格,数据表和应用笔记产品的注意事项和条件中所规定的“TOSHIBA
半导体可靠性手册“和(b)对于该产品将具有或所使用的应用程序的说明。客户
独自负责其自己的产品设计或应用程序的所有方面,包括但不限于: (a)确定的
使用此类设计或应用该产品的适当性; ( b)评价和确定的任何适用性
本文档中包含的信息,或图表,图表,程序,算法,样本应用电路,或其他任何
引用的文件; (三)验证了这样的设计和应用的所有工作参数。
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设备,工业机器人和家用电子电器) ,或针对特定应用本文件中的明确规定。
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可靠性和/或故障或故障可能导致人的生命,人身伤害,严重财产损失或严重损失
公众的影响( “误用”)。意想不到的用途包括,但不限于核设施中使用的设备,二手设备
在航空航天工业,医疗设备,用于汽车,火车,轮船等运输,交通信号设备
设备,用来控制发火或爆炸,安全装置,电梯和自动扶梯设备,相关电力设备
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适用于特定用途,精度信息,或不侵权的。
不要使用或以其他方式提供产品或相关软件或技术进行任何军事目的,包括但
限制,在设计,开发,使用,核武器,化学武器或生物武器或导弹储存或生产
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请遵守该规范的受控物质列入或使用的所有适用法律和法规使用的产品,
包括但不限于欧盟的RoHS指令。东芝对发生的结果损害或损失不承担任何责任
不遵守适用的法律和法规。
5
2007-11-01
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