RN2910FE,RN2911FE
东芝三极管
PNP硅外延式( PCT程序) (偏置电阻内置晶体管)
RN2910FE,RN2911FE
开关,逆变电路,接口电路和
驱动器电路应用
两个设备被结合到一个极端,超小型
(6-pin)
封装。
结合偏置电阻变成晶体管减少了部件数量。
减少零件数量使得能够更加制造
紧凑型设备,降低装配成本。
补充RN1910FE , RN1911FE
单位:mm
等效电路和偏置电阻值
C
B
R1
JEDEC
E
―
―
2-2N1G
JEITA
东芝
重量: 0.003克(典型值)。
等效电路
( TOP VIEW )
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
( Q1 , Q2常见)
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
(注1 )
T
j
T
英镑
等级
50
50
5
100
100
150
55~150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
1
2
3
Q1
Q2
6
5
4
注意:
在重负载下连续使用(如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化)可能会导致此产品的可靠性降低显著
即使在操作条件下(即工作温度/电流/电压等)内的绝对
最大额定值。
请在审查东芝半导体可靠性设计适当的可靠性
手册( “注意事项” / “降额的概念和方法” )和个人可靠性数据(即
可靠性测试报告和估计的故障率,等)。
注1 :总的评价
1
2007-11-01
RN2910FE,RN2911FE
电气特性
( TA = 25 ℃) ( Q1 , Q2公用)
特征
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
输入电阻
RN2910FE
RN2911FE
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE (SAT)
f
T
C
ob
R1
测试条件
V
CB
= 50
V,I
E
=
0
V
EB
= 5
V,I
C
=
0
V
CE
= 5
V,I
C
= 1
mA
I
C
= 5
妈,我
B
= 0.25
mA
V
CE
= 10
V,I
C
= 5
mA
V
CB
= 10
V,I
E
=
0, f
=
1兆赫
民
120
3.29
7
典型值。
0.1
200
3
4.7
10
最大
100
100
400
0.3
6
6.11
13
V
兆赫
pF
kΩ
单位
nA
nA
2
2007-11-01