RN2907AFS~RN2909AFS
东芝三极管
PNP硅外延式（ PCT程序） （晶体管，内置偏置电阻）
RN2907AFS ， RN2908AFS ， RN2909AFS
开关，逆变电路，接口电路和
驱动器电路应用
1.0±0.05
0.1±0.05
0.8±0.05
0.1±0.05
0.15±0.05
4
Q2
3
单位：mm
0.35 0.35
1.0±0.05
结合偏置电阻变成晶体管减少了器件数量。
减少零件数量使得能够更加制造
紧凑的设备和降低组装成本。
0.7±0.05
两个设备被并入到细间距，小型模具（6针）
封装。
1
2
3
6
5
4
0.1±0.05
互补的RN1907AFS到RN1909AFS
0.48
-0.04
+0.02
等效电路和偏置电阻值
C
型号
RN2907AFS
RN2908AFS
RN2909AFS
E
R1 （ kΩ的）
10
22
47
R2值（kΩ ）
47
47
22
B
R1
R2
fS6
JEDEC
JEITA
东芝
1. EMITTER1
2. BASE1
3. COLLECTOR2
4. EMITTER2
5. BASE2
6. COLLECTOR1
(E1)
(B1)
(C2)
(E2)
(B2)
(C1)
―
―
2-1F1D
重量： 1毫克（典型值）。
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
（ Q1 ， Q2常见）
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
RN2907AFS到RN2909AFS
RN2907AFS
发射极 - 基极电压
RN2908AFS
RN2909AFS
集电极电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
RN2907AFS到RN2909AFS
I
C
P
C
（注1 ）
T
j
T
英镑
V
EBO
符号
V
CBO
V
首席执行官
等级
50
50
6
7
15
80
50
150
55
150
mA
mW
°C
°C
1
2
V
Q1
单位
V
V
6
5
等效电路
（ TOP VIEW ）
注意：
在重负载下连续使用（如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化）可能会导致此产品的可靠性降低显著
即使在操作条件下（即工作温度/电流/电压等）内的绝对
最大额定值。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
（ “注意事项” / “降额的概念和方法” ）和个人数据的可靠性（即可靠性试验
报告与估计的故障率，等）。
注1 ：总的评价
1
2010-05-14
RN2907AFS~RN2909AFS
电气特性
（ TA = 25 ℃） （ Q1 ， Q2公用）
特征
收藏家Cuto FF电流
RN2907AFS到2909AFS
RN2907AFS
发射Cuto FF电流
RN2908AFS
RN2909AFS
RN2907AFS
直流电流增益
RN2908AFS
RN2909AFS
集电极 - 发射极
饱和电压
RN2907AFS到2909AFS
RN2907AFS
输入电压（ ON）的
RN2908AFS
RN2909AFS
RN2907AFS
输入电压（OFF）的
RN2908AFS
RN2909AFS
集电极输出
电容
RN2907AFS到2909AFS
RN2907AFS
输入电阻
RN2908AFS
RN2909AFS
RN2907AFS
电阻率
RN2908AFS
RN2909AFS
R1/R2
R1
C
ob
V
CB
= 10
V，I
E
=
0,
f
=
1兆赫
V
我（关闭）
V
CE
= 5
V,
I
C
= 0.1
mA
V
我（上）
V
CE
= 0.2
V,
I
C
= 5
mA
V
CE （SAT）
I
C
= 5
毫安，
I
B
= 0.25
mA
h
FE
V
CE
= 5
V,
I
C
= 10
mA
I
EBO
符号
I
CBO
I
首席执行官
测试条件
V
CB
= 50
V，I
E
=
0
V
CE
= 50
V，I
B
=
0
V
EB
= 6
V，I
C
=
0
V
EB
= 7
V，I
C
=
0
V
EB
= 15
V，I
C
=
0
民
0.088
0.085
0.182
80
80
70
典型值。
最大
100
500
0.131
0.126
0.271
mA
单位
nA
0.9
10
22
47
0.213
0.468
2.14
0.15
1.8
3.0
6.4
0.9
1.2
2.6
12
26.4
56.4
0.255
0.562
2.56
0.8
1.0
2.0
0.6
0.7
1.5
8
17.6
37.6
0.17
0.374
1.71
V
V
V
pF
kΩ
2
2010-05-14
QQ：2881677436 复制
