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RN2712JE,RN2713JE
东芝晶体管PNP硅外延型（厘过程）
RN2712JE ， RN2713JE
开关，逆变电路，接口电路和
驱动器电路应用
两个设备被结合到一个极端，超小型（5针）
封装。
结合偏置电阻变成晶体管减少了部件数量。
减少零件数量使得能够更加紧凑的制造
设备并降低组装成本。
广泛的电阻值可以在各种电路中使用。
单位：mm
等效电路
1.BASE1
(B1)
2.EMITTER
(E)
3.BASE2
(B2)
4.COLLECTOR2 （C2）的
5.COLLECTOR1 （C1）的
绝对最大额定值
（大
=
25°C)
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
*
T
j
T
英镑
等级
50
50
5
100
100
150
55~150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
JEDEC
JEITA
东芝
重量： 0.003克（典型值）。
―
―
2-2P1D
注：在重负载下连续使用（如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化）可能会导致此产品在可靠性，降低显著甚至
如果操作条件（即工作温度/电流/电压等）内的绝对最大
收视率。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
（ “注意事项” / “降额的概念和方法” ）和个人数据的可靠性（即可靠性试验
报告与估计的故障率，等）。
* ：总分
等效电路
（ TOP VIEW ）
5
Q1
4
Q2
1
2
3
1
2007-11-01
RN2712JE,RN2713JE
电气特性
（大
=
25°C)
特征
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
输入电阻
RN2712JE
RN2713JE
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE （SAT）
f
T
C
ob
R1
TEST
电路
―
―
―
―
―
―
―
测试条件
V
CB
=
50V,
I
E
= 0
V
EB
=
5V,
I
C
= 0
V
CE
=
5V,
I
C
=
1mA
I
C
=
5mA,
I
B
=
0.25mA
V
CE
=
10V,
I
C
=
5mA
V
CB
=
10V,
I
E
= 0中，f = 1MHz的
―
民
―
―
120
―
―
―
15.4
32.9
典型值。
―
―
―
0.1
200
3
22
47
最大
100
100
400
0.3
―
6
28.6
61.1
单位
nA
nA
―
V
兆赫
pF
kΩ
2
2007-11-01
RN2712JE,RN2713JE
RN2712JE
RN2712JE
RN2713JE
RN2713JE
3
2007-11-01
RN2712JE,RN2713JE
RN2712JE
RN2712JE
RN2713JE
RN2713JE
4
2007-11-01
RN2712JE,RN2713JE
型号名称
记号
型号名称
RN2712JE
YN
型号名称
RN2713JE
YP
5
2007-11-01
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RE5RL56AC-RF
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RQC
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型号
厂家
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封装
单价/备注
操作
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