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RN2321ARN2327A
东芝晶体管PNP硅外延型（厘过程）
RN2321A,RN2322A,RN2323A,RN2324A
RN2325A,RN2326A,RN2327A
开关，逆变电路，接口电路
和驱动器电路应用
以毫米单位
高电流驱动是可能的。
自偏压电阻内置于晶体管的小型化
由部件数目的削减装置和节省劳力的
组件是可能的。
多种电阻值的一字排开，以支持各种
各种电路设计。
补充RN1321A RN1327A
低V
CE （ SAT ）
使是在高电流驱动的低功耗。
等效电路和偏置电阻值
型号
RN2321A
RN2322A
RN2323A
RN2324A
RN2325A
RN2326A
RN2327A
R1 （ kΩ的）
1
2.2
4.7
10
0.47
1
2.2
R2值（kΩ ）
1
2.2
4.7
10
10
10
10
1.BASE
2.EMITTER
3.COLLECTOR
JEDEC
JEITA
东芝
―
SC-70
2-2E1A
重0.006克（典型值）。
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
RN2321A~2327A
RN2321A~2324A
发射极 - 基极电压
RN2325A ， 2326A
RN2327A
集电极电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
RN2321A~2327A
I
C
P
C
T
j
T
英镑
V
EBO
符号
V
CBO
V
首席执行官
等级
15
12
10
5
6
500
100
150
55~150
mA
mW
°C
°C
V
单位
V
V
注：在重负载下连续使用（如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化）可能会导致此产品在可靠性，降低显著甚至
如果操作条件（即工作温度/电流/电压等）内的绝对最大
收视率。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
（ “注意事项” / “降额的概念和方法” ）和个人数据的可靠性（即可靠性试验
报告与估计的故障率，等）。
1
2007-11-01
RN2321ARN2327A
电气特性
（ TA = 25°C ）
特征
集电极截止
当前
RN2321A~2327A
RN2321A
RN2322A
RN2323A
发射极截止电流
RN2324A
RN2325A
RN2326A
RN2327A
RN2321A
RN2322A
RN2323A
直流电流增益
RN2324A
RN2325A
RN2326A
RN2327A
集电极 - 发射极
饱和电压
RN2321A
RN2322A~2327A
RN2321A
RN2322A
RN2323A
输入电压（ ON）的
RN2324A
RN2325A
RN2326A
RN2327A
RN2321A~2324A
输入电压（OFF）的
RN2325A ， 2326A
RN2327A
跃迁频率
集电极输出
电容
RN2321A~2327A
RN2321A~2327A
RN2321A
RN2322A
RN2323A
输入电阻
RN2324A
RN2325A
RN2326A
RN2327A
RN2321A~2324A
电阻率
RN2325A
RN2326A
RN2327A
R1/R2
―
―
R1
―
―
f
T
C
ob
―
―
V
CE
= -5V ，我
C
=20mA
V
CB
= 10V ，我
E
= 0,
F = 1MH
z
V
我（关闭）
―
V
CE
=
5V,
I
C
=
0.1mA
V
我（上）
―
V
CE
= -0.2V ，我
C
=50mA
V
CE （SAT）
―
I
C
=
50mA,
I
B
=2mA
I
C
=
50mA,
I
B
=1mA
h
FE
―
V
CE
=
1V,
I
C
=50mA
I
EBO
―
V
EB
=
5V,
I
C
= 0
V
EB
=
6V,
I
C
= 0
V
EB
= -10V ，我
C
= 0
符号
I
CBO
I
首席执行官
TEST
电路
―
测试条件
V
CB
=
15V,
I
E
= 0
V
CE
=
12V,
I
B
= 0
民
―
―
3.85
1.75
0.82
0.38
0.365
0.35
0.378
35
65
100
140
140
140
140
―
1.0
1.1
1.3
1.5
0.5
0.6
0.7
0.8
0.4
0.5
―
―
0.7
1.54
3.29
7
0.329
0.7
1.54
0.85
0.040
0.085
0.187
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
200
5
1
2.2
4.7
10
0.47
1
2.2
1.0
0.047
0.1
0.220
典型值。
―
―
―
―
―
―
―
―
最大
100
500
7.14
3.25
1.52
0.71
0.682
0.65
0.703
―
―
―
―
―
―
―
0.25
2.4
2.7
3.5
5.2
1.2
1.4
1.9
1.4
0.8
1.0
―
―
1.3
2.86
6.11
13
0.611
1.3
2.86
1.15
0.054
0.115
0.253
kΩ
MH
z
pF
V
V
V
mA
单位
nA
2
2007-11-01
RN2321ARN2327A
RN2321A
-1000
集电极电流Ic （ mA）的
Ta=100°C
IC - 六（ ON）
-10000
集电极电流IC （ μA ）
RN2321A IC - 六（OFF ）
-100
-1000
Ta=100°C
25
-
25
25
-10
-
25
-1
共发射极
VCE = - 0.2V
-0.1
-0.1
-1
-10
输入电压Vi （ON）， （V）的
-100
-100
常见
辐射源
VCE = - 5V
-0
-0.5
-1
-1.5
输入电压Vi （关） （V）的
-2
-10
RN2321A
1000
直流电流增益hFE
的hFE - IC
饱和电压VCE （SAT） （V ）
-1
RN2321A
VCE （SAT） - IC
共发射极
IC/IB=25
100
Ta=100°C
25
-
25
Ta=100°C
-0.1
25
-25
10
共发射极
VCE = - 1V
1
-1
-10
-100
-1000
集电极电流Ic （ mA）的
-0.01
-10
-100
-1000
集电极电流Ic （ mA）的
3
2007-11-01
RN2321ARN2327A
RN2322A
-1000
集电极电流Ic （ mA）的
IC - 六（ ON）
-10000
集电极电流IC （ μA ）
RN2322A IC - 六（OFF ）
-100
Ta=100°C
25
-1000
Ta=100°C
25
-
25
-10
-
25
-1
共发射极
VCE = - 0.2V
-1
-10
输入电压Vi （ON）， （V）的
-100
-100
常见
辐射源
VCE = - 5V
-10
-0
-0.5
-1
-1.5
输入电流VI （ OFF） （V ）
-2
-0.1
-0.1
RN2322A
1000
的hFE - IC
-1
COLLCTOR - 发射极饱和
电压VCE （饱和） （V）的
RN2322A
VCE （SAT） - IC
直流电流增益hFE
共发射极
VCE = - 1V
100
Ta=100°C
25
-
25
10
共发射极
IC/IB=50
Ta=100°C
-0.1
25
-
25
1
-1
-10
-100
-1000
集电极电流Ic （ mA）的
-0.01
-10
-100
-1000
集电极电流Ic （ mA）的
4
2007-11-01
RN2321ARN2327A
RN2323A
-1000
集电极电流Ic （ mA）的
IC - 六（ ON）
-10000
集电极电流IC （ μA ）
RN2323A IC - 六（OFF ）
常见
辐射源
VCE = - 5V
-1000
Ta=100°C
25
-
25
-100
Ta=100°C
-10
25
-
25
-1
共发射极
VCE = - 0.2V
-0.1
-0.1
-1
-10
输入电压Vi （ON）， （V）的
-100
-100
-10
-0
-0.5
-1
-1.5
输入电压Vi （关） （V）的
-2
RN2323A
1000
的hFE - IC
-1
COLLCTOR - 发射极饱和
电压VCE （饱和） （V）的
RN2323A
VCE （SAT） - IC
直流电流增益hFE
Ta=100°C
100
-
25
10
共发射极
VCE = - 1V
1
-1
-10
-100
-1000
集电极电流Ic （ mA）的
共发射极
IC/IB=50
Ta=100°C
-0.1
25
-
25
25
-0.01
-10
-100
-1000
集电极电流Ic （ mA）的
5
2007-11-01
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