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RN2207~RN2209
东芝晶体管PNP硅外延型(厘过程)
RN2207,RN2208,RN2209
开关,逆变电路,接口电路
和驱动器电路应用
l
利用内置的偏置电阻
l
简化电路设计
l
减少部件数量和制造工艺的数量
l
为了配合RN1207 RN1209
单位:mm
等效电路和偏置电阻值
型号
RN2207
RN2208
RN2209
R1 ( kΩ的)
10
22
47
R2值(kΩ )
47
47
22
JEDEC
EIAJ
东芝
重量: 0.13克
2-4E1A
最大额定值
( TA = 25°C )
°
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
RN2207
发射极 - 基极电压
RN2208
RN2209
集电极电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
I
C
P
C
T
j
T
英镑
V
EBO
符号
V
CBO
V
首席执行官
等级
50
50
6
7
15
100
300
150
55~150
mA
mW
°C
°C
V
单位
V
V
1
2001-06-07
RN2207~RN2209
电气特性
( TA = 25°C )
°
特征
集电极截止电流
RN2207
发射极截止电流
RN2208
RN2209
RN2207
直流电流增益
RN2208
RN2209
集电极 - 发射极饱和电压
RN2207
输入电压( ON)的
RN2208
RN2209
RN2207
输入电压(OFF)的
RN2208
RN2209
转换频率
集电极输出电容
RN2207
输入电阻
RN2208
RN2209
RN2207
电阻率
RN2208
RN2209
R1/R2
R1
f
T
C
ob
V
我(关闭)
V
我(上)
V
CE (SAT)
h
FE
I
EBO
符号
I
CBO
I
首席执行官
TEST
电路
V
CE
=
10V,
I
C
=
5mA
V
CB
=
10V,
I
E
= 0,
F = 1MHz的
V
CE
=
5V,
I
C
=
0.1mA
V
CE
=
0.2V,
I
C
=
5mA
I
C
=
5mA,
I
B
=
0.25mA
V
CE
=
5V,
I
C
=
10mA
测试条件
V
CB
=
50V,
I
E
= 0
V
CE
=
50V,
I
B
= 0
V
EB
=
6V,
I
C
= 0
V
EB
=
7V,
I
C
= 0
V
EB
=
15V,
I
C
= 0
0.081
0.078
0.167
80
80
70
0.7
1.0
2.2
0.5
0.6
1.5
7
15.4
32.9
0.191
0.421
1.92
典型值。
0.1
200
3
10
22
47
0.213
0.468
2.14
最大
100
500
0.15
0.145
0.311
0.3
1.8
2.6
5.8
1.0
1.16
2.6
6
13
28.6
61.1
0.232
0.515
2.35
k
兆赫
pF
V
V
V
mA
单位
nA
2
2001-06-07
RN2207~RN2209
3
2001-06-07
RN2207~RN2209
4
2001-06-07
RN2207~RN2209
限制产品使用
000707EAA
·
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过,半导体
在一般的设备可能发生故障或失效,由于其固有的电灵敏度和容易受到物理
压力。它是利用东芝产品时,买方的责任,以符合标准
安全性在制造安全的设计对整个系统,并避免出现在其中一个发生故障或失效
如东芝的产品可能会造成人的生命,人身伤害或财产损失财产。
在开发设计时,请确保东芝产品在规定的工作范围内所用
阐述在最近东芝产品规格。另外,请记住注意事项,
设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性
手册“等。
·
本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用
(计算机,个人设备,办公设备,测量设备,工业机器人,家用电器,
等)。这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法
非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或
人身伤害( “意外用法” ) 。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表,飞机或
太空船仪器,运输仪器,交通信号仪器仪表,燃烧控制仪表,
医疗器械,各种安全装置等。东芝产品的非预期使用本上市
文件应在客户自己的风险进行。
·
此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。没有
承担责任东芝公司的知识产权或其他任何侵权行为
该第三方可能导致其使用的权利。没有获发牌照以暗示或以其他方式
任何知识产权或东芝或他人的其他权利。
·
此处所包含的信息如有更改,恕不另行通知。
5
2001-06-07
RN2207~RN2209
东芝晶体管PNP硅外延型(厘过程)
RN2207,RN2208,RN2209
开关,逆变电路,接口电路
和驱动器电路应用
l
利用内置的偏置电阻
l
简化电路设计
l
减少部件数量和制造工艺的数量
l
为了配合RN1207 RN1209
单位:mm
等效电路和偏置电阻值
型号
RN2207
RN2208
RN2209
R1 ( kΩ的)
10
22
47
R2值(kΩ )
47
47
22
JEDEC
EIAJ
东芝
重量: 0.13克
2-4E1A
最大额定值
( TA = 25°C )
°
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
RN2207
发射极 - 基极电压
RN2208
RN2209
集电极电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
I
C
P
C
T
j
T
英镑
V
EBO
符号
V
CBO
V
首席执行官
等级
50
50
6
7
15
100
300
150
55~150
mA
mW
°C
°C
V
单位
V
V
1
2001-06-07
RN2207~RN2209
电气特性
( TA = 25°C )
°
特征
集电极截止电流
RN2207
发射极截止电流
RN2208
RN2209
RN2207
直流电流增益
RN2208
RN2209
集电极 - 发射极饱和电压
RN2207
输入电压( ON)的
RN2208
RN2209
RN2207
输入电压(OFF)的
RN2208
RN2209
转换频率
集电极输出电容
RN2207
输入电阻
RN2208
RN2209
RN2207
电阻率
RN2208
RN2209
R1/R2
R1
f
T
C
ob
V
我(关闭)
V
我(上)
V
CE (SAT)
h
FE
I
EBO
符号
I
CBO
I
首席执行官
TEST
电路
V
CE
=
10V,
I
C
=
5mA
V
CB
=
10V,
I
E
= 0,
F = 1MHz的
V
CE
=
5V,
I
C
=
0.1mA
V
CE
=
0.2V,
I
C
=
5mA
I
C
=
5mA,
I
B
=
0.25mA
V
CE
=
5V,
I
C
=
10mA
测试条件
V
CB
=
50V,
I
E
= 0
V
CE
=
50V,
I
B
= 0
V
EB
=
6V,
I
C
= 0
V
EB
=
7V,
I
C
= 0
V
EB
=
15V,
I
C
= 0
0.081
0.078
0.167
80
80
70
0.7
1.0
2.2
0.5
0.6
1.5
7
15.4
32.9
0.191
0.421
1.92
典型值。
0.1
200
3
10
22
47
0.213
0.468
2.14
最大
100
500
0.15
0.145
0.311
0.3
1.8
2.6
5.8
1.0
1.16
2.6
6
13
28.6
61.1
0.232
0.515
2.35
k
兆赫
pF
V
V
V
mA
单位
nA
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RN2207~RN2209
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RN2207~RN2209
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RN2207~RN2209
限制产品使用
000707EAA
·
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过,半导体
在一般的设备可能发生故障或失效,由于其固有的电灵敏度和容易受到物理
压力。它是利用东芝产品时,买方的责任,以符合标准
安全性在制造安全的设计对整个系统,并避免出现在其中一个发生故障或失效
如东芝的产品可能会造成人的生命,人身伤害或财产损失财产。
在开发设计时,请确保东芝产品在规定的工作范围内所用
阐述在最近东芝产品规格。另外,请记住注意事项,
设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性
手册“等。
·
本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用
(计算机,个人设备,办公设备,测量设备,工业机器人,家用电器,
等)。这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法
非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或
人身伤害( “意外用法” ) 。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表,飞机或
太空船仪器,运输仪器,交通信号仪器仪表,燃烧控制仪表,
医疗器械,各种安全装置等。东芝产品的非预期使用本上市
文件应在客户自己的风险进行。
·
此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。没有
承担责任东芝公司的知识产权或其他任何侵权行为
该第三方可能导致其使用的权利。没有获发牌照以暗示或以其他方式
任何知识产权或东芝或他人的其他权利。
·
此处所包含的信息如有更改,恕不另行通知。
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