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RN2114MFVRN2118MFV
东芝晶体管PNP硅外延型(厘过程)
RN2114MFV,RN2115MFV,RN2116MFV
RN2117MFV,RN2118MFV
切换应用程序
逆变器电路中的应用
接口电路中的应用
驱动器电路应用
1.2±0.05
0.8±0.05
0.4
单位:mm
0.22±0.05
1.2±0.05
0.8±0.05
0.32±0.05
0.13±0.05
1.BASE
2.EMITTER
3.COLLECTOR
超小型封装,适用于非常高密度安装
掺入一个偏置电阻到晶体管减少部件的数量,
因此启用了更加紧凑的设备制造和
降低装配成本。
广泛的电阻值可以在各种电路中使用。
补充RN1114MFV到RN1118MFV
0.4
1
2
3
等效电路和偏置电阻值
VESM
型号
RN2114MFV
RN2115MFV
RN2116MFV
RN2117MFV
RN2118MFV
R1 ( kΩ的)
1
2.2
4.7
10
47
R2值(kΩ )
10
10
10
4.7
10
JEDEC
JEITA
东芝
2-1L1A
重量: 1.5毫克(典型值)。
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
RN2114MFV
to
RN2118MFV
RN2114MFV
发射极 - 基极电压
RN2115MFV
RN2116MFV
RN2117MFV
RN2118MFV
集电极电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
RN2114MFV
to
RN2118MFV
I
C
P
C
(Note1)
T
j
T
英镑
V
EBO
符号
V
CBO
V
首席执行官
等级
50
50
5
6
7
15
25
100
150
150
55
150
mA
mW
°C
°C
V
单位
V
V
在重负载下连续使用(如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化)可能会导致此产品的可靠性降低显著
即使在操作条件下(即工作温度/电流/电压等)内的绝对
最大额定值。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
( “注意事项” / “降额的概念和方法” )和个人数据的可靠性(即可靠性试验
报告与估计的故障率,等)。
注1 :安装在FR4板
(25.4
mm
×
25.4 mm
×
1.6mmt
)
注意:
0.5±0.05
1
2009-04-17
RN2114MFVRN2118MFV
盘图形示例
0.5
0.45
单位:mm
1.15
0.4
0.45
0.4
0.4
电气特性
( TA = 25°C )
特征
集电极截止
当前
RN2114MFV到2118MFV
RN2114MFV
RN2115MFV
发射极截止电流
RN2116MFV
RN2117MFV
RN2118MFV
直流电流增益
RN2114MFV到16MFV ,
18MFV
RN2117MFV
集电极 - 发射极
饱和电压
RN2114MFV到2118MFV V
CE ( SAT )
RN2114MFV
RN2115MFV
输入电压( ON)的
RN2116MFV
RN2117MFV
RN2118MFV
RN2114MFV
RN2115MFV
输入电压(OFF)的
RN2116MFV
RN2117MFV
RN2118MFV
集电极输出
电容
RN2114MFV到2118MFV
RN2114MFV
RN2115MFV
输入电阻
RN2116MFV
RN2117MFV
RN2118MFV
RN2114MFV
RN2115MFV
电阻率
RN2116MFV
RN2117MFV
RN2118MFV
R1/R2
R1
C
ob
V
CB
=
10V,
I
E
= 0,
F = 1MHz的
V
我(关闭)
V
CE
=
5V,
I
C
=
0.1mA
V
我(上)
V
CE
=
0.2V,
I
C
=
5mA
I
C
=
5mA,
I
B
=
0.5mA
h
FE
I
EBO
符号
I
CBO
I
首席执行官
TEST
电路
测试条件
V
CB
=
50V,
I
E
= 0
V
CE
=
50V,
I
B
= 0
V
EB
=
5V,
I
C
= 0
V
EB
=
6V,
I
C
= 0
V
EB
=
7V,
I
C
= 0
V
EB
=
15V,
I
C
= 0
V
EB
=
25V,
I
C
= 0
V
CE
=
5V,
I
C
=
10mA
0.35
0.37
0.36
0.78
0.33
50
30
0.5
0.6
0.7
1.5
2.5
0.3
0.3
0.3
0.3
0.5
0.7
1.54
3.29
7
32.9
典型值。
0.1
0.9
1.0
2.2
4.7
10
47
0.1
0.22
0.47
2.13
4.7
最大
100
500
0.65
0.71
0.68
1.46
0.63
0.3
2.0
2.5
2.5
3.5
10.0
0.9
1.0
1.1
3.0
5.7
1.3
2.86
6.11
13
61.1
k
pF
V
V
V
mA
单位
nA
2
2009-04-17
RN2114MFVRN2118MFV
RN2114MFV
IC - 六( ON)
-100
集电极电流IC (MA )
共发射极
VCE = -0.2V
-10
TA = 100℃
-25
25
-1
共发射极
VCE = -0.2V
RN2115MFV
IC - 六( ON)
-100
集电极电流Ic ( mA)的
-10
TA = 100℃
-25
25
-1
-0.1
-0.1
-1
输入电压
 
六(ON), (V)的
-10
-0.1
-0.1
-1
输入电压
 
六(ON), (V)的
-10
RN2116MFV
-100
集电极电流IC (MA )
IC - 六( ON)
-100
集电极电流IC (MA )
RN2117MFV
IC - 六( ON)
共发射极
VCE = -0.2V
-10
TA = 100℃
共发射极
VCE = -0.2V
-10
-25
TA = 100℃
-1
25
25
-1
-25
-0.1
-0.1
-1
-10
-100
-0.1
-0.1
-1
-10
-100
输入电压
 
六(ON), (V)的
输入电压
 
六(ON), (V)的
-100
集电极电流IC (MA )
RN2118MFV
IC - 六( ON)
共发射极
VCE = -0.2V
-10
TA = 100℃
-25
25
-1
-0.1
-1
-10
输入电压
 
六(ON), (V)的
-100
3
2009-04-17
RN2114MFVRN2118MFV
IC - 六(OFF )
-10000
集电极电流IC ( μA )
共发射极
VCE = -5V
共发射极
VCE = -5V
IC - 六(OFF )
RN2114MFV
-10000
集电极电流IC ( μA )
RN2115MFV
-1000
TA = 100℃
-25
-1000
TA = 100℃
25
-25
25
-100
-100
-10
-0
0
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1
-1.2
-1.4
输入电压
 
六(关) (V)的
-10
-0
0
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1
-1.2
-1.4
输入电压
 
六(关) (V)的
RN2116MFV
-10000
集电极电流IC ( μA )
IC - 六(OFF )
-10000
集电极电流IC ( μA )
RN2117MFV
IC - 六(OFF )
共发射极
VCE = -5V
共发射极
VCE = -5V
-1000
TA = 100℃
25
-25
-100
-1000
TA = 100℃
25
-25
-100
-10
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1
-1.2
-1.4
-1.6
-10
-0.8
-1.2
-1.6
-2
-2.4
-2.8
-3.2
输入电压
 
六(关) (V)的
IC - 六(OFF )
输入电压
 
六(关) (V)的
RN2118MFV
-10000
集电极电流IC ( μA )
共发射极
VCE = -5V
-1000
TA = 100℃
25
-25
-100
-10
-1
-2
-3
-4
-5
-6
输入电压
 
六(关) (V)的
4
2009-04-17
RN2114MFVRN2118MFV
RN2114MFV
1000
共发射极
VCE = -5V
直流电流增益hFE
直流电流增益hFE
的hFE - IC
1000
共发射极
VCE = -5V
RN2115MFV
的hFE - IC
TA = 100℃
100
25
-25
100
TA = 100℃
25
-25
10
-1
-10
集电极电流
  
IC (MA )
-100
10
-1
-10
集电极电流
  
IC (MA )
-100
1000
RN2116MFV
的hFE - IC
RN2117MFV
1000
的hFE - IC
直流电流增益hFE
直流电流增益hFE
共发射极
VCE = -5V
共发射极
VCE = -5V
100
TA = 100℃
25
-25
100
TA = 100℃
25
-25
10
10
-1
-10
集电极电流
  
IC (MA )
-100
1
-1
-10
集电极电流
  
IC (MA )
-100
1000
RN2118MFV
的hFE - IC
共发射极
VCE = -5V
直流电流增益hFE
100
TA = 100℃
25
-25
10
-1
-10
集电极电流
  
IC (MA )
-100
5
2009-04-17
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    RN2115MFV
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    -
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