RN2114MFVRN2118MFV
东芝晶体管PNP硅外延型(厘过程)
RN2114MFV,RN2115MFV,RN2116MFV
RN2117MFV,RN2118MFV
切换应用程序
逆变器电路中的应用
接口电路中的应用
驱动器电路应用
1.2±0.05
0.8±0.05
0.4
单位:mm
0.22±0.05
1.2±0.05
0.8±0.05
0.32±0.05
0.13±0.05
1.BASE
2.EMITTER
3.COLLECTOR
超小型封装,适用于非常高密度安装
掺入一个偏置电阻到晶体管减少部件的数量,
因此启用了更加紧凑的设备制造和
降低装配成本。
广泛的电阻值可以在各种电路中使用。
补充RN1114MFV到RN1118MFV
0.4
1
2
3
等效电路和偏置电阻值
VESM
型号
RN2114MFV
RN2115MFV
RN2116MFV
RN2117MFV
RN2118MFV
R1 ( kΩ的)
1
2.2
4.7
10
47
R2值(kΩ )
10
10
10
4.7
10
JEDEC
―
JEITA
―
东芝
2-1L1A
重量: 1.5毫克(典型值)。
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
RN2114MFV
to
RN2118MFV
RN2114MFV
发射极 - 基极电压
RN2115MFV
RN2116MFV
RN2117MFV
RN2118MFV
集电极电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
RN2114MFV
to
RN2118MFV
I
C
P
C
(Note1)
T
j
T
英镑
V
EBO
符号
V
CBO
V
首席执行官
等级
50
50
5
6
7
15
25
100
150
150
55
150
mA
mW
°C
°C
V
单位
V
V
在重负载下连续使用(如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化)可能会导致此产品的可靠性降低显著
即使在操作条件下(即工作温度/电流/电压等)内的绝对
最大额定值。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
( “注意事项” / “降额的概念和方法” )和个人数据的可靠性(即可靠性试验
报告与估计的故障率,等)。
注1 :安装在FR4板
(25.4
mm
×
25.4 mm
×
1.6mmt
)
注意:
0.5±0.05
1
2009-04-17