RN2112ACT,RN2113ACT
东芝三极管
PNP硅外延式( PCT程序) (偏置电阻内置晶体管)
RN2112ACT,RN2113ACT
切换应用程序
逆变器电路中的应用
接口电路中的应用
驱动器电路应用
1.0±0.05
单位:mm
0.6±0.05
0.5±0.03
0.25±0.03
减少零件数量使得能够更加制造
紧凑型设备,降低装配成本。
补充RN1112CT , RN1113CT
0.25±0.03
结合偏置电阻变成晶体管减少了部件数量。
1
2
0.35±0.02
0.15±0.03
0.65±0.02
0.05±0.03
超小型封装( CST3 )适用于超高密度
捏造。
3
等效电路
C
1.BASE
CST3
B
R1
2.EMITTER
3.COLLECOTR
JEDEC
JEITA
E
东芝
2-1J1A
重量: 0.75毫克(典型值)。
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
等级
50
50
5
80
100 *
150
55
150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
* :装在FR4电路板(10毫米
×
10 mm
×
1 MMT)
注:在重负载下连续使用(如高温/电流/电压和显著的应用
温度变化等)可能会导致本产品的可靠性降低显著即使操作
条件( ieoperatingtemperature /电流/电压等)的绝对最大额定值。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
( “注意事项” / “降额的概念和方法” )和个人数据的可靠性(即可靠性试验报告
和估计故障率等)。
1
2009-04-17
0.38 +0.02
-0.03
0.05±0.03
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