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RN2112ACT,RN2113ACT
东芝三极管
PNP硅外延式( PCT程序) (偏置电阻内置晶体管)
RN2112ACT,RN2113ACT
切换应用程序
逆变器电路中的应用
接口电路中的应用
驱动器电路应用
1.0±0.05
单位:mm
0.6±0.05
0.5±0.03
0.25±0.03
减少零件数量使得能够更加制造
紧凑型设备,降低装配成本。
补充RN1112CT , RN1113CT
0.25±0.03
结合偏置电阻变成晶体管减少了部件数量。
0.35±0.02
0.15±0.03
0.65±0.02
0.05±0.03
超小型封装( CST3 )适用于超高密度
捏造。
等效电路
C
1.BASE
CST3
B
R1
2.EMITTER
3.COLLECOTR
JEDEC
JEITA
E
东芝
2-1J1A
重量: 0.75毫克(典型值)。
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
等级
50
50
5
80
100 *
150
55
150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
* :装在FR4电路板(10毫米
×
10 mm
×
1 MMT)
注:在重负载下连续使用(如高温/电流/电压和显著的应用
温度变化等)可能会导致本产品的可靠性降低显著即使操作
条件( ieoperatingtemperature /电流/电压等)的绝对最大额定值。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
( “注意事项” / “降额的概念和方法” )和个人数据的可靠性(即可靠性试验报告
和估计故障率等)。
1
2009-04-17
0.38 +0.02
-0.03
0.05±0.03
RN2112ACT,RN2113ACT
电气特性(Ta = 25 ° C)
特征
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
集电极输出电容
输入电阻
RN2112ACT
RN2113ACT
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE (SAT)
C
ob
R1
测试条件
V
CB
= 50
V,I
E
=
0
V
EB
= 5
V,I
C
=
0
V
CE
= 5
V,I
C
= 1
mA
I
C
= 5
妈,我
B
= 0.25
mA
V
CB
= 10
V,I
E
=
0, f
=
1兆赫
120
17.6
37.6
0.9
22
47
典型值。
最大
100
100
400
0.15
26.4
56.4
V
pF
单位
nA
nA
2
2009-04-17
RN2112ACT,RN2113ACT
RN2112ACT
-100
集电极电流Ic ( mA)的
集电极电流Ic
(μA
( UA)
共发射极
VCE = -0.2V
IC - 六( ON)
-10000
共发射极
VCE = -5V
RN2112ACT
IC - 六(OFF )
-10
Ta=100°C
25
-1
-25
-1000
Ta=100°C
25
-25
-100
-0.1
-0.1
-1
-10
-100
-10
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1
-1.2
输入电压
 
六(ON), (V)的
输入电压
 
六(关) (V)的
-100
集电极电流Ic ( mA)的
RN2113ACT
IC - 六( ON)
-10000
RN2113ACT
IC - 六(OFF )
-10
Ta=100°C
25
-25
-1
(μA
集电极电流Ic (微安)
共发射极
VCE = -0.2V
共发射极
VCE = -5V
-1000
Ta=100°C
-25
25
-100
-0.1
-0.1
-10
-1
-10
-100
-0
-0.4
-0.8
-1.2
-1.6
-2
输入电压
 
六(ON), (V)的
输入电压
 
六(关) (V)的
3
2009-04-17
RN2112ACT,RN2113ACT
RN2112ACT
1000
的hFE - IC
-1
Ta=100°C
集电极 - 发射极饱和
电压VCE (饱和) (V)的
RN2112ACT
VCE (SAT) - IC
共发射极
IC / IB = 20
直流电流增益
②hFE
100
25
-25
-0.1
Ta=100°C
共发射极
VCE = -5V
10
-0.1
-25
25
-1
-10
-100
-0.01
-0.1
-1
-10
-100
集电极电流
 
IC (MA )
集电极电流
 
IC (MA )
RN2113ACT
1000
hFE- IC
-1
Ta=100°C
集电极 - 发射极饱和
电压VCE (饱和) (V)的
RN2113ACT
VCE (SAT) - IC
共发射极
IC / IB = 20
直流电流增益
②hFE
100
25
-25
-0.1
Ta=100°C
共发射极
VCE = -5V
10
-0.1
-25
25
-1
-10
-100
-0.01
-0.1
-1
-10
-100
集电极电流
 
IC (MA )
集电极电流
 
IC (MA )
4
2009-04-17
RN2112ACT,RN2113ACT
型号名称
记号
型号名称
RN2112ACT
1
DH
2
3
型号名称
1
RN2113ACT
DJ
2
3
5
2009-04-17
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