【RN2107MFVRN2109MFV东芝晶体管PNP硅外延型（厘过程）RN2107MFV,RN210】,IC型号RN2108MFV,RN2108MFV PDF资料,RN2108MFV经销商,ic,电子元器件-51电子网

RN2107MFVRN2109MFV

东芝晶体管PNP硅外延型（厘过程）

RN2107MFV,RN2108MFV,RN2109MFV

开关，逆变电路，接口电路

和驱动器电路应用

0.22±0.05

单位：mm

1.2±0.05

0.8±0.05

0.32±0.05

0.13±0.05

1.基地

2.辐射源

3.收集

超小型封装，适用于非常高密度安装

掺入一个偏置电阻到晶体管减少部件的数量，所以

实现了更加紧凑的设备的制造，降低

装配成本。

广泛的电阻值可以在各种电路中使用。

互补的RN1107MFV RN1109MFV

铅（Pb ） - 免费

0.5±0.05

1.2±0.05

0.8±0.05

0.4

等效电路和偏置电阻值

VESM

型号

RN2107MFV

RN2108MFV

RN2109MFV

R1 （ kΩ的）

R2值（kΩ ）

JEDEC

JEITA

东芝

―

2-1L1A

重量0.0015克（典型值）。

最大额定值

（ TA = 25°C ）

特征

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

RN2107MFV

~RN2109MFV

RN2107MFV

发射极 - 基极电压

RN2108MFV

RN2109MFV

集电极电流

集电极耗散功率

结温

存储温度范围

RN2107MFV

~RN2109MFV

（注）

英镑

EBO

符号

CBO

首席执行官

等级

100

150

55~150

°C

单位

注：安装在FR4电路板（25.4毫米

25.4 mm

1.6万吨）

0.5

0.45

1.15

0.4

0.45

0.4

2005-03-30

RN2107MFVRN2109MFV

电气特性

（ TA = 25°C ）

特征

集电极截止

当前

RN2107MFV~

2109MFV

RN2107MFV

发射Cuto FF电流

RN2108MFV

RN2109MFV

RN2107MFV

直流电流增益

RN2108MFV

RN2109MFV

集电极 - 发射极

饱和电压

RN2107MFV~

2109MFV

RN2107MFV

输入电压（ ON）的

RN2108MFV

RN2109MFV

RN2107MFV

输入电压（OFF）的

RN2108MFV

RN2109MFV

集电极输出

电容

RN2107MFV~

2109MFV

RN2107MFV

输入电阻

RN2108MFV

RN2109MFV

RN2107MFV

电阻率

RN2108MFV

RN2109MFV

R1/R2

―

V，I

= 0,

F = 1 MH

我（关闭）

―

0.1

我（上）

―

0.2

CE （SAT）

―

毫安，

0.25

―

EBO

―

符号

CBO

首席执行官

TEST

电路

―

测试条件

V，I

= 0

V，I

= 0

V，I

= 0

V，I

= 0

V，I

= 0

民

―

0.081

0.078

0.167

―

0.7

1.0

2.2

0.5

0.6

1.5

―

15.4

32.9

0.17

0.374

1.71

典型值。

―

0.1

―

0.9

0.213

0.468

2.14

最大

100

500

0.15

0.145

0.311

―

0.3

1.8

2.6

5.8

1.0

1.16

2.6

―

28.6

61.1

0.255

0.562

2.56

―

单位

2005-03-30

RN2107MFVRN2109MFV

RN2107MFV

-100

集电极电流Ic （ mA）的

IC - 六（ ON）

-10000

RN2107MFV

IC - 六（OFF ）

-10

TA = 100℃

集电极电流IC （ μA ）

-1000

TA = 100℃

-25

-1

-25

发射器通用

VCE = -0.2V

-0.1

-100

发射器通用

VCE = -5V

-10

-0.2

-1

-10

-100

-0.4

-0.6

-0.8

-1

-1.2

-1.4

输入电压

六（ON），（V）的

输入电压

六（关）（V）的

RN2108MFV

-100

IC - 六（ ON）

-10000

集电极电流IC （ μA ）

RN2108MFV IC - 六（OFF ）

发射器通用

VCE = -5V

集电极电流Ic （ mA）的

-10

TA = 100℃

-1

-1000

TA = 100℃

-25

发射器通用

VCE = -0.2V

-100

-0.1

-1

-10

-100

-10

-0.2

-0.4

-0.6

-0.8

-1

-1.2

-1.4

-1.6

输入电压

六（ON），（V）的

输入电压

六（关）（V）的

RN219MFV

-100

集电极电流Ic （ mA）的

IC - 六（ ON）

-10000

RN2109MFV

IC - 六（OFF ）

集电极电流IC （ μA ）

发射器通用

VCE = -0.2V

-10

发射器通用

VCE = -5V

-1000

TA = 100℃

-25

TA = 100℃

-1

-25

-100

-0.1

-1

-10

-100

-10

-0.6

-1

-1.4

-1.8

-2.2

-2.6

-3

输入电压

六（ON），（V）的

输入电压

六（关）（V）的

2005-03-30

RN2107MFVRN2109MFV

RN2107MFV

1000

的hFE - IC

-1

RN2107MFV

VCE （SAT） - IC

100

集电极 - 发射极饱和

电压VCE （饱和）（V）的

直流电流增益

②hFE

共发射极

VCE = -5V

TA = 100℃

共发射极

IC / IB = 10

-25

-0.1

TA = 100℃

-25

-1

-10

集电极电流Ic （ mA）的

-100

-0.01

-1

-10

集电极电流

（MA ）

-100

RN2108MFV

1000

的hFE - IC

-1

RN2108MFV

VCE （SAT） - IC

100

集电极 - 发射极饱和

电压VCE （饱和）（V）的

直流电流增益

②hFE

共发射极

VCE = -5V

TA = 100℃

共发射极

IC / IB = 10

-25

-0.1

TA = 100℃

-25

-1

-10

集电极电流Ic （ mA）的

-100

-0.01

-1

-10

集电极电流

IC （MA ）

-100

RN2109MFV

1000

hFE- IC

-1

RN2109MFV

VCE （SAT） - IC

TA = 100℃

100

-25

集电极 - 发射极饱和

电压VCE （饱和）（V）的

共发射极

VCE = -5V

直流电流增益

②hFE

共发射极

IC / IB = 10

-0.1

TA = 100℃

-25

-1

-10

集电极电流Ic （ mA）的

-100

-0.01

-1

-10

集电极电流

IC （MA ）

-100

2005-03-30

RN2107MFVRN2109MFV

型号名称

记号

RN2107MFV

RN2108MFV

RN2109MFV

2005-03-30

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