【RN2107CT RN2109CT东芝三极管PNP硅外延式（ PCT程序）（偏置电阻内置晶体管）】,IC型号RN2107CT,RN2107CT PDF资料,RN2107CT经销商,ic,电子元器件-51电子网

RN2107CT RN2109CT

东芝三极管

PNP硅外延式（ PCT程序）（偏置电阻内置晶体管）

RN2107CT,RN2108CT,RN2109CT

切换应用程序

逆变器电路中的应用

接口电路中的应用

驱动器电路应用

结合偏置电阻变成晶体管减少了部件数量。

减少元件数量实现了前所未有的制造

紧凑型设备，节省组装成本。

补充RN1107CT到RN1109CT

1.0±0.05

单位：mm

顶视图

0.6±0.05

0.5±0.03

0.25±0.03

３

0.65±0.02

１

0.25±0.03

２

0.35±0.02

0.15±0.03

等效电路和偏置电阻值

0.05±0.03

型号

RN2107CT

RN2108CT

R1 （ kΩ的）

R2值（kΩ ）

CST3

JEDEC

JEITA

东芝

1.BASE

2.EMITTER

3.COLLECOTR

―

2-1J1A

RN2109CT

重量： 0.75毫克（典型值）。

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

特征

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

RN2107CT

RN2109CT

RN2107CT

发射极 - 基极电压

RN2108CT

RN2109CT

集电极电流

集电极耗散功率

结温

存储温度范围

RN2107CT

RN2109CT

英镑

EBO

符号

CBO

首席执行官

等级

150

°C

单位

注：在重负载下连续使用（如高温/电流/电压和应用

在温度等显著变化）可能会导致此产品的可靠性降低显著即使

操作条件（ ieoperatingtemperature /电流/电压等）的绝对最大额定值。

请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性

（ “注意事项” / “降额的概念和方法” ）和个人数据的可靠性（即可靠性试验报告

和估计故障率等）。

2010-08-20

0.38 +0.02

-0.03

0.05±0.03

RN2107CT RN2109CT

电气特性

（ TA = 25°C ）

特征

集电极截止电流

RN2107CT以2109CT

RN2107CT

发射极截止电流

RN2108CT

RN2109CT

RN2107CT

直流电流增益

RN2108CT

RN2109CT

集电极 - 发射极

饱和电压

RN2107CT以2109CT

RN2107CT

输入电压（ ON）的

RN2108CT

RN2109CT

RN2107CT

输入电压（OFF）的

RN2108CT

RN2109CT

集电极输出

电容

RN2107CT以2109CT

RN2107CT

输入电阻

RN2108CT

RN2109CT

RN2107CT

电阻率

RN2108CT

RN2109CT

R1/R2

= 10

V，I

1兆赫

我（关闭）

= 5

= 0.1

毫安，

我（上）

CE （SAT）

EBO

符号

CBO

首席执行官

测试条件

= 20

V，I

= 20

V，I

= 6

V，I

= 7

V，I

= 15

V，I

= 5

= 10

= 5

毫安，

= 0.25

= 0.2

= 5

民

0.088

0.085

0.182

120

100

典型值。

最大

100

500

0.131

0.126

0.271

单位

1.2

0.21

0.47

2.14

0.15

1.5

2.2

5.0

1.0

1.1

2.6

0.7

0.8

1.6

0.5

0.6

1.3

17.6

37.6

0.17

0.37

1.71

26.4

56.4

0.26

0.56

2.56

kΩ

2010-08-20

RN2107CT RN2109CT

RN2107CT

-100

集电极电流Ic （ mA）的

IC - 六（ ON）

-10000

集电极电流IC （ μA ）

RN2107CT

IC - 六（OFF ）

-10

Ta=100°C

-1000

Ta=100°C

-25

-1

-25

发射器通用

VCE = -0.2V

-0.1

-100

发射器通用

VCE = -5V

-10

-0.2

-1

-10

-100

-0.4

-0.6

-0.8

-1

-1.2

-1.4

输入电压Vi （ON），（V）的

输入电压Vi （关）（V）的

RN2108CT

-100

IC - 六（ ON）

-10000

集电极电流IC （ μA ）

RN2108CT

IC - 六（OFF ）

集电极电流Ic （ mA）的

发射器通用

VCE = -5V

-10

Ta=100°C

-1

-1000

Ta=100°C

-25

发射器通用

VCE = -0.2V

-100

-0.1

-1

-10

-100

-10

-0.2

-0.4

-0.6

-0.8

-1

-1.2

-1.4

-1.6

输入电压Vi （ON），（V）的

输入电压Vi （关）（V）的

RN2109CT

-100

集电极电流Ic （ mA）的

IC - 六（ ON）

-10000

集电极电流IC （ μA ）

RN2109CT

IC - 六（OFF ）

发射器通用

VCE = -0.2V

-10

发射器通用

VCE = -5V

-1000

Ta=100°C

-25

Ta=100°C

-1

-25

-100

-0.1

-1

-10

-100

-10

-0.6

-1

-1.4

-1.8

-2.2

-2.6

-3

输入电压Vi （ON），（V）的

输入电压Vi （关）（V）的

2010-08-20

RN2107CT RN2109CT

RN2107CT

1000

Ta=100°C

直流电流增益hFE

RN2107CT

-1000

集电极 - 发射极饱和

电压VCE （SAT）（MV ）

发射器通用

IC / IB = 20

的hFE - IC

VCE （SAT） - IC

100

-25

-100

Ta=100°C

发射器通用

VCE = -5V

-1

-10

集电极电流Ic （ mA）的

-100

-25

-10

-1

-10

集电极电流Ic （ mA）的

-100

RN2108CT

1000

的hFE - IC

-1000

集电极 - 发射极饱和

电压VCE （SAT）（MV ）

RN2108CT

VCE （SAT） - IC

发射器通用

IC / IB = 20

Ta=100°C

直流电流增益hFE

100

-25

-100

Ta=100°C

-25

-10

发射器通用

VCE = -5V

-1

-10

集电极电流Ic （ mA）的

-100

-1

-10

集电极电流Ic （ mA）的

-100

RN2109CT

1000

的hFE - IC

-1000

集电极 - 发射极饱和

电压VCE （SAT）（MV ）

RN2109CT

VCE （SAT） - IC

发射器通用

IC / IB = 20

直流电流增益hFE

Ta=100°C

100

-25

-100

Ta=100°C

-25

发射器通用

VCE = -5V

-1

-10

集电极电流Ic （ mA）的

-100

-10

-1

-10

集电极电流Ic （ mA）的

-100

2010-08-20

RN2107CT RN2109CT

型号名称

记号

型号名称

RN2107CT

型号名称

RN2108CT

型号名称

RN2109CT

操作注意事项

当处理单个设备（其尚未安装在电路板），可确保环境是

防止静电电。操作人员应穿防静电服装，以及集装箱和其他对象

直接接触与设备应当由防静电材料。

2010-08-20