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RN2101MFVRN2106MFV
东芝晶体管PNP硅外延型(厘过程)
RN2101MFV,RN2102MFV,RN2103MFV
RN2104MFV,RN2105MFV,RN2106MFV
开关,逆变电路,接口电路和
驱动器电路应用
0.22 ± 0.05
单位:mm
1.2 ± 0.05
0.32 ± 0.05
0.80 ± 0.05
超小型封装,适用于非常高密度安装
掺入一个偏置电阻到晶体管减少部件的数量,
因此启用了更加紧凑的设备的制造,降低
装配成本。
广泛的电阻值可以在各种电路中使用。
互补的RN1101MFV到RN1106MFV
0.8 ± 0.05
1
1.2 ± 0.05
0.4
0.4
1
3
2
0.13 ± 0.05
等效电路和偏置电阻值
型号
RN2101MFV
RN2102MFV
RN2103MFV
RN2104MFV
RN2105MFV
RN2106MFV
R1 ( kΩ的)
4.7
10
22
47
2.2
4.7
R2值(kΩ )
4.7
10
22
47
47
47
0.5 ± 0.05
1.基地
VESM
2.辐射源
3.收集
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
RN2101MFV到2106MFV
RN2101MFV到2106MFV
RN2101MFV到2104MFV
RN2105MFV , 2106MFV
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
(注1 )
T
j
T
英镑
等级
50
50
10
5
100
150
150
55
150
JEDEC
JEITA
东芝
2-1L1A
重量: 1.5毫克(典型值)。
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
注意:
在重负载下连续使用(如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化)可能会导致此产品的可靠性降低显著
即使在操作条件下(即工作温度/电流/电压等)内的绝对
最大额定值。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
( “注意事项” / “降额的概念和方法” )和个人数据的可靠性(即可靠性试验
报告与估计的故障率,等)。
注1 :安装在FR4电路板(25.4毫米
×
25.4 mm
×
1.6 mm)
0.5
0.45
盘图形示例
单位:mm
1.15
0.4
0.45
0.4
0.4
1
2010-04-06
RN2101MFVRN2106MFV
电气特性
( TA = 25°C )
特征
集电极截止
当前
RN2101MFV到
2106MFV
RN2101MFV
RN2102MFV
发射Cuto FF电流
RN2103MFV
RN2104MFV
RN2105MFV
RN2106MFV
RN2101MFV
RN2102MFV
直流电流增益
RN2103MFV
RN2104MFV
RN2105MFV
RN2106MFV
集电极 - 发射极
饱和电压
RN2101MFV到
2106MFV
RN2101MFV
RN2102MFV
输入电压( ON)的
RN2103MFV
RN2104MFV
RN2105MFV
RN2106MFV
RN2101MFV到
2104MFV
RN2105MFV,
2106MFV
跃迁频率
集电极输出
电容
RN2101MFV到
2106MFV
RN2101MFV到
2106MFV
RN2101MFV
RN2102MFV
输入电阻
RN2103MFV
RN2104MFV
RN2105MFV
RN2106MFV
RN2101MFV到
2104MFV
电阻率
RN2105MFV
RN2106MFV
R1/R2
R1
V
CE
=
5
V,
I
C
=
0.1
mA
V
CE
=
10V,
I
C
=
5mA
V
CB
=
10
V,I
E
= 0,
F = 1 MHz的
V
我(上)
V
CE
=
0.2
V,
I
C
=
5
mA
V
CE (SAT)
I
C
=
5
毫安,
I
B
=
0.5
mA
h
FE
V
CE
=
5
V,
I
C
=
10
mA
I
EBO
V
EB
=
10
V,I
C
= 0
符号
I
CBO
I
首席执行官
TEST
电路
测试条件
V
CB
=
50
V,I
E
= 0
V
CE
=
50
V,I
B
= 0
0.82
0.38
0.17
0.082
V
EB
=
5
V,I
C
= 0
0.078
0.074
30
50
70
80
80
80
1.1
1.2
1.3
1.5
0.6
0.7
1.0
0.5
3.29
7
15.4
32.9
1.54
3.29
0.8
0.0376
典型值。
0.1
250
0.9
4.7
10
22
47
2.2
4.7
1.0
0.0468
最大
100
500
1.52
0.71
0.33
0.15
0.145
0.138
0.3
2.0
2.4
3.0
5.0
1.1
1.3
1.5
V
0.8
6.11
13
28.6
61.1
2.86
6.11
1.2
0.0562
k
兆赫
pF
V
V
mA
单位
nA
输入电压(OFF)的
V
我(关闭)
f
T
C
ob
0.08
0.1
0.12
2
2010-04-06
RN2101MFVRN2106MFV
RN2101MFV
-100
IC - 六( ON)
-100
RN2102MFV
IC - 六( ON)
集电极电流Ic ( mA)的
-10
TA = 100℃
集电极电流Ic ( mA)的
-10
TA = 100℃
25
-1
-25
EMMITER COMMON
VCE = -0.2V
-0.1
-0.1
-1
-10
-100
25
-1
-25
EMMITER COMMON
VCE = -0.2V
-0.1
-0.1
-1
-10
-100
输入电压Vi (ON), (V)的
输入电压Vi (ON), (V)的
RN2103MFV
-100
集电极电流Ic ( mA)的
IC - 六( ON)
RN2104MFV
-100
IC - 六( ON)
集电极电流Ic ( mA)的
-10
TA = 100℃
25
-1
-25
EMMITER COMMON
VCE = -0.2V
-0.1
-0.1
-1
-10
-100
-10
TA = 100℃
25
-1
-25
EMMITER COMMON
VCE = -0.2V
-0.1
-0.1
-1
-10
-100
输入电压Vi (ON), (V)的
输入电压
 
六(ON), (V)的
RN2105MFV
-100
IC - 六( ON)
-100
RN2106MFV
IC - 六( ON)
集电极电流Ic ( mA)的
TA = 100℃
-10
集电极电流Ic ( mA)的
TA = 100℃
-10
25
-1
25
-1
-25
EMMITER COMMON
VCE = -0.2V
-25
EMMITER COMMON
VCE = -0.2V
-0.1
-0.1
-1
-10
-100
-0.1
-0.1
-1
-10
-100
输入电压Vi (ON), (V)的
输入电压
 
六(ON), (V)的
3
2010-04-06
RN2101MFVRN2106MFV
RN2101MFV
-10000
辐射源
常见
VCE = -5V
-1000
TA = 100℃
25
-25
IC - 六(OFF )
-10000
RN2102MFV
IC - 六(OFF )
集电极电流IC ( μA )
集电极电流IC ( μA )
-1000
TA = 100℃
25
-25
-100
-100
辐射源
常见
VCE = -5V
-10
-0.4
-0.6
-0.8
-1
-1.2
-1.4
-1.6
-1.8
-2
-10
-0.4
-0.6
-0.8
-1
-1.2
-1.4
-1.6
-1.8
-2
输入电压
 
六(关) (V)的
输入电压
 
六(关) (V)的
RN2103MFV
-10000
辐射源
常见
VCE = -5V
-1000
IC - 六(OFF )
-10000
RN2104MFV
IC - 六(OFF )
集电极电流IC ( μA )
集电极电流IC ( μA )
TA = 100℃
25
-25
-1000
TA = 100℃
25
-25
-100
-100
辐射源
常见
VCE = -5V
-10
-0.4
-0.6
-0.8
-1
-1.2
-1.4
-1.6
-1.8
-2
-10
-0.4
-0.6
-0.8
-1
-1.2
-1.4
-1.6
-1.8
-2
输入电压
 
六(关) (V)的
输入电压Vi (关) (V)的
RN2105MFV
-10000
IC - 六(OFF )
-10000
RN2106MFV
IC - 六(OFF )
集电极电流IC ( μA )
-1000
TA = 100℃
25
-25
集电极电流IC ( μA )
辐射源
常见
VCE = -5V
-1000
TA = 100℃
25
-25
-100
-100
辐射源
常见
VCE = -5V
-10
0
-0
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1
-1.2
-1.4
-10
0
-0
-0.2 -0.4 -0.6 -0.8
-1
-1.2
输入电压
 
六(关) (V)的
-1.4
输入电压Vi (关) (V)的
4
2010-04-06
RN2101MFVRN2106MFV
RN2101MFV
1000
的hFE - IC
1000
RN2102MFV
的hFE - IC
直流电流增益hFE
100
TA = 100℃
25
-25
直流电流增益hFE
TA = 100℃
100
-25
25
10
发射器通用
VCE = -5V
1
-1
-10
集电极电流
 
IC (MA )
-100
发射器通用
VCE = -5V
10
-1
-10
集电极电流
 
IC (MA )
-100
RN2103MFV
RN2963FS
1000
的hFE - IC
1000
RN2104MFV
的hFE - IC
TA = 100℃
直流电流增益hFE
直流电流增益hFE
TA = 100℃
25
100
-25
25
-25
100
发射器通用
VCE = -5V
10
-1
-10
集电极电流
 
IC (MA )
-100
发射器通用
VCE = -5V
10
-1
-10
集电极电流
 
IC (MA )
-100
1000
RN2105MFV
的hFE - IC
1000
RN2106MFV
的hFE - IC
TA = 100℃
直流电流增益hFE
直流电流增益hFE
TA = 100℃
25
-25
100
25
100
-25
发射器通用
VCE = -5V
10
-1
-10
集电极电流
 
IC (MA )
-100
发射器通用
VCE = -5V
10
-1
-10
集电极电流Ic ( mA)的
-100
5
2010-04-06
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    RN2105MFV
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
RN2105MFV
东芝
22+
32570
SOD-723
全新原装正品/质量有保证
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:565106636 复制 点击这里给我发消息 QQ:414322027 复制
电话:15026993318 // 13764057178 // 15821228847
联系人:销售部
地址:门市:上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
RN2105MFV
TOSHIBA/东芝
2024
18000
NA
上海原装现货库存,欢迎咨询合作
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电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
RN2105MFV
TOSHIBA/东芝
24+
12300
NA
全新原装现货,原厂代理。
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电话:15821228847 // 13764057178 // 15026993318
联系人:销售部
地址:门市:上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
RN2105MFV
TOSHIBA/东芝
2024
18000
NA
原装现货上海库存,欢迎咨询
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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
RN2105MFV
东芝
22+
32570
SOD-723
全新原装正品/质量有保证
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电话:0755-28227524/89202071/82704952/13430681361
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TOSHIBA
2346+
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联系人:李
地址:深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室
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