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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符R型号页 > 首字符R的型号第649页 > RN2101
RN2101~RN2106
东芝晶体管PNP硅外延型（厘过程）
RN2101,RN2102,RN2103
RN2104,RN2105,RN2106
开关，逆变电路，接口电路
和驱动器电路应用
l
利用内置的偏置电阻
l
简化电路设计
l
减少部件数量和制造工艺的数量
l
为了配合RN1101 RN1106
单位：mm
等效电路和偏置电阻值的
型号
RN2101
RN2102
RN2103
RN2104
RN2105
RN2106
R1 （ kΩ的）
4.7
10
22
47
2.2
4.7
R2值（kΩ ）
4.7
10
22
47
47
47
JEDEC
EIAJ
东芝
重量： 2.4mg
―
―
2-2H1A
最大额定值
（ TA = 25°C ）
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
RN2101~2106
RN2101~2106
RN2101~2104
RN2105 ， 2106
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
等级
50
50
10
5
100
100
150
55~150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
1
2001-06-07
RN2101~RN2106
电气特性
（ TA = 25°C ）
特征
集电极截止
当前
RN2101~2106
RN2101
RN2102
发射极截止电流
RN2103
RN2104
RN2105
RN2106
RN2101
RN2102
直流电流增益
RN2103
RN2104
RN2105
RN2106
集电极 - 发射极
饱和电压
RN2101~2106
RN2101
RN2102
输入电压（ ON）的
RN2103
RN2104
RN2105
RN2106
输入电压（OFF）的
跃迁频率
集电极输出
电容
RN2101~2104
RN2105 ， 2106
RN2101~2106
RN2101~2106
RN2101
RN2102
输入电阻
RN2103
RN2104
RN2105
RN2106
RN2101~2104
电阻率
RN2105
RN2106
R1/R2
―
R1
―
V
我（关闭）
f
T
C
ob
―
―
―
V
CE
=
5V,
I
C
=
0.1mA
V
CE
=
10V,
I
C
=
5mA
V
CB
=
10V,
I
E
= 0,
F = 1MHz的
V
我（上）
―
V
CE
=
0.2V,
I
C
=
5mA
V
CE （SAT）
―
I
C
=
5mA,
I
B
=
0.25mA
h
FE
―
V
CE
=
5V,
I
C
=
10mA
I
EBO
―
V
EB
=
10V,
I
C
= 0
符号
I
CBO
I
首席执行官
TEST
电路
―
测试条件
V
CB
=
50V,
I
E
= 0
V
CE
=
50V,
I
B
= 0
民
―
―
0.82
0.38
0.17
0.082
V
EB
=
5V,
I
C
= 0
0.078
0.074
30
50
70
80
80
80
―
1.1
1.2
1.3
1.5
0.6
0.7
1.0
0.5
―
―
3.29
7
15.4
32.9
1.54
3.29
0.9
典型值。
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
0.1
―
―
―
―
―
―
―
―
200
3
4.7
10
22
47
2.2
4.7
1.0
最大
100
500
1.52
0.71
0.33
0.15
0.145
0.138
―
―
―
―
―
―
0.3
2.0
2.4
3.0
5.0
1.1
1.3
1.5
0.8
―
6
6.11
13
28.6
61.1
2.86
6.11
1.1

k
V
兆赫
PFU
V
V
mA
单位
nA
0.0421 0.0468 0.0515
0.09
0.1
0.11
2
2001-06-07
RN2101~RN2106
3
2001-06-07
RN2101~RN2106
4
2001-06-07
RN2101~RN2106
5
2001-06-07
RN2101RN2106
东芝晶体管PNP硅外延型（厘过程）
RN2101 ， RN2102 ， RN2103 ，
RN2104 ， RN2105 ， RN2106
开关，逆变电路，接口电路
和驱动器电路应用
内置偏置电阻
简化的电路设计
较少的部件和简化的制造过程
为了配合RN1101 RN1106
单位：mm
等效电路和偏置电阻值
型号
RN2101
RN2102
RN2103
RN2104
RN2105
RN2106
R1 （ kΩ的）
4.7
10
22
47
2.2
4.7
R2值（kΩ ）
4.7
10
22
47
47
47
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
RN2101~2106
RN2101~2106
RN2101~2104
RN2105 ， 2106
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
等级
50
50
10
5
100
100
150
55~150
JEDEC
EIAJ
东芝
重量： 2.4毫克
―
―
2-2H1A
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
注：在重负载下连续使用（如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化）可能会导致此产品在可靠性，降低显著甚至
如果操作条件（即工作温度/电流/电压等）内的绝对最大
收视率。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
（ “注意事项” / “降额的概念和方法” ）和个人数据的可靠性（即可靠性试验
报告与估计的故障率，等）。
1
2007-11-01
RN2101RN2106
电气特性
（ TA = 25°C ）
特征
集电极截止
当前
RN2101~2106
RN2101
RN2102
发射极截止电流
RN2103
RN2104
RN2105
RN2106
RN2101
RN2102
直流电流增益
RN2103
RN2104
RN2105
RN2106
集电极 - 发射极
饱和电压
RN2101~2106
RN2101
RN2102
输入电压（ ON）的
RN2103
RN2104
RN2105
RN2106
输入电压（OFF）的
跃迁频率
集电极输出
电容
RN2101~2104
RN2105 ， 2106
RN2101~2106
RN2101~2106
RN2101
RN2102
输入电阻
RN2103
RN2104
RN2105
RN2106
RN2101~2104
电阻率
RN2105
RN2106
R1/R2
―
R1
―
V
我（关闭）
f
T
C
ob
―
―
―
V
CE
=
5
V,
I
C
=
0.1
mA
V
CE
=
10
V,
I
C
=
5
mA
V
CB
=
10
V，I
E
= 0,
F = 1 MHz的
V
我（上）
―
V
CE
=
0.2
V,
I
C
=
5
mA
V
CE （SAT）
―
I
C
=
5
毫安，
I
B
=
0.25
mA
h
FE
―
V
CE
=
5
V,
I
C
=
10
mA
I
EBO
―
V
EB
=
10
V，I
C
= 0
符号
I
CBO
I
首席执行官
TEST
电路
―
测试条件
V
CB
=
50
V，I
E
= 0
V
CE
=
50
V，I
B
= 0
民
―
―
0.82
0.38
0.17
0.082
V
EB
=
5
V，I
C
= 0
0.078
0.074
30
50
70
80
80
80
―
1.1
1.2
1.3
1.5
0.6
0.7
1.0
0.5
―
―
3.29
7
15.4
32.9
1.54
3.29
0.9
典型值。
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
0.1
―
―
―
―
―
―
―
―
200
3
4.7
10
22
47
2.2
4.7
1.0
最大
100
500
1.52
0.71
0.33
0.15
0.145
0.138
―
―
―
―
―
―
0.3
2.0
2.4
3.0
5.0
1.1
1.3
1.5
0.8
―
6
6.11
13
28.6
61.1
2.86
6.11
1.1
k
V
兆赫
pF
V
V
mA
单位
nA
0.0421 0.0468 0.0515
0.09
0.1
0.11
2
2007-11-01
RN2101RN2106
RN2102
RN2101
RN2103
RN2104
RN2105
RN2106
3
2007-11-01
RN2101RN2106
RN2101
RN2102
RN2103
RN2104
RN2105
RN2106
4
2007-11-01
RN2101RN2106
RN2101
RN2102
RN2103
RN2104
RN2105
RN2106
5
2007-11-01
RN2101~RN2106
东芝晶体管PNP硅外延型（厘过程）
RN2101,RN2102,RN2103
RN2104,RN2105,RN2106
开关，逆变电路，接口电路
和驱动器电路应用
l
利用内置的偏置电阻
l
简化电路设计
l
减少部件数量和制造工艺的数量
l
为了配合RN1101 RN1106
单位：mm
等效电路和偏置电阻值的
型号
RN2101
RN2102
RN2103
RN2104
RN2105
RN2106
R1 （ kΩ的）
4.7
10
22
47
2.2
4.7
R2值（kΩ ）
4.7
10
22
47
47
47
JEDEC
EIAJ
东芝
重量： 2.4mg
―
―
2-2H1A
最大额定值
（ TA = 25°C ）
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
RN2101~2106
RN2101~2106
RN2101~2104
RN2105 ， 2106
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
等级
50
50
10
5
100
100
150
55~150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
1
2001-06-07
RN2101~RN2106
电气特性
（ TA = 25°C ）
特征
集电极截止
当前
RN2101~2106
RN2101
RN2102
发射极截止电流
RN2103
RN2104
RN2105
RN2106
RN2101
RN2102
直流电流增益
RN2103
RN2104
RN2105
RN2106
集电极 - 发射极
饱和电压
RN2101~2106
RN2101
RN2102
输入电压（ ON）的
RN2103
RN2104
RN2105
RN2106
输入电压（OFF）的
跃迁频率
集电极输出
电容
RN2101~2104
RN2105 ， 2106
RN2101~2106
RN2101~2106
RN2101
RN2102
输入电阻
RN2103
RN2104
RN2105
RN2106
RN2101~2104
电阻率
RN2105
RN2106
R1/R2
―
R1
―
V
我（关闭）
f
T
C
ob
―
―
―
V
CE
=
5V,
I
C
=
0.1mA
V
CE
=
10V,
I
C
=
5mA
V
CB
=
10V,
I
E
= 0,
F = 1MHz的
V
我（上）
―
V
CE
=
0.2V,
I
C
=
5mA
V
CE （SAT）
―
I
C
=
5mA,
I
B
=
0.25mA
h
FE
―
V
CE
=
5V,
I
C
=
10mA
I
EBO
―
V
EB
=
10V,
I
C
= 0
符号
I
CBO
I
首席执行官
TEST
电路
―
测试条件
V
CB
=
50V,
I
E
= 0
V
CE
=
50V,
I
B
= 0
民
―
―
0.82
0.38
0.17
0.082
V
EB
=
5V,
I
C
= 0
0.078
0.074
30
50
70
80
80
80
―
1.1
1.2
1.3
1.5
0.6
0.7
1.0
0.5
―
―
3.29
7
15.4
32.9
1.54
3.29
0.9
典型值。
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
0.1
―
―
―
―
―
―
―
―
200
3
4.7
10
22
47
2.2
4.7
1.0
最大
100
500
1.52
0.71
0.33
0.15
0.145
0.138
―
―
―
―
―
―
0.3
2.0
2.4
3.0
5.0
1.1
1.3
1.5
0.8
―
6
6.11
13
28.6
61.1
2.86
6.11
1.1

k
V
兆赫
PFU
V
V
mA
单位
nA
0.0421 0.0468 0.0515
0.09
0.1
0.11
2
2001-06-07
RN2101~RN2106
3
2001-06-07
RN2101~RN2106
4
2001-06-07
RN2101~RN2106
5
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RCG0402100RJNED
RP9-7R-4S
RK09K1110B1R
RC28F512M29EWHB
RJ-1524DHP
RN5RK332A-TR
RJ-0509D
RFH10N45
RV-XX15S
RE5RL25AC-TR
RN73C2A549RBTG
ROM-0909S
RLD60P135X
供货商
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厂家
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数量
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    RN2101
    -
    -
    -
    -
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RN2101
TOSHIBA
24+
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SOT-363
优势现货，只做原装正品
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21+22+
62710
SOT523
原装正品
深圳市芯福林电子科技有限公司
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联系人：张女士
地址：广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
RN2101
TOSHIBA
18+
48000
原装正品，支持实单
深圳市华斯顿电子科技有限公司
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联系人：朱咸华
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联系人：朱
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RN2101
TOSHIBA
24+
18650
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