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RN2001~RN2006
东芝晶体管PNP硅外延型（厘过程）
RN2001,RN2002,RN2003
RN2004,RN2005,RN2006
开关，逆变电路，接口电路
和驱动器电路应用
l
l
l
l
利用内置的偏置电阻
简化电路设计
减少部件数量和制造工艺的数量
为了配合RN1001 RN1006
单位：mm
等效电路和偏置电阻值的
型号
RN2001
RN2002
RN2003
RN2004
RN2005
RN2006
R1 （ kΩ的）
4.7
10
22
47
2.2
4.7
R2值（kΩ ）
4.7
10
22
47
47
47
JEDEC
EIAJ
东芝
重量： 0.21克
TO-92
SC-43
2-5F1B
最大额定值
（ TA = 25°C ）
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
RN2001~2006
RN2001~2006
RN2001~2004
RN2005 ， 2006年
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
等级
50
50
10
5
100
400
150
55~150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
1
2001-06-07
RN2001~RN2006
电气特性
（ TA = 25°C ）
特征
集电极截止
当前
RN2001~2006
RN2001
RN2002
发射极截止电流
RN2003
RN2004
RN2005
RN2006
RN2001
RN2002
直流电流增益
RN2003
RN2004
RN2005
RN2006
集电极 - 发射极
饱和电压
RN2001~2006
RN2001
RN2002
输入电压（ ON）的
RN2003
RN2004
RN2005
RN2006
输入电压（OFF）的
跃迁频率
集电极输出
电容
RN2001~2004
RN2005 ， 2006年
RN2001~2006
RN2001~2006
RN2001
RN2002
输入电阻
RN2003
RN2004
RN2005
RN2006
RN2001~2004
电阻率
RN2005
RN2006
R1/R2
―
R1
―
V
我（关闭）
f
T
C
ob
―
―
―
V
CE
=
5V,
I
C
=
0.1mA
V
CE
=
10V,
I
C
=
5mA
V
CB
=
10V,
I
E
= 0,
F = 1MHz的
V
我（上）
―
V
CE
=
0.2V,
I
C
=
5mA
V
CE （SAT）
―
I
C
=
5mA,
I
B
=
0.25mA
h
FE
―
V
CE
=
5V,
I
C
=
10mA
I
EBO
―
V
EB
=
10V,
I
C
= 0
符号
I
CBO
I
首席执行官
TEST
电路
―
测试条件
V
CB
=
50V,
I
E
= 0
V
CE
=
50V,
I
B
= 0
民
―
―
0.82
0.38
0.17
0.082
V
EB
=
5V,
I
C
= 0
0.078
0.074
30
50
70
80
80
80
―
1.1
1.2
1.3
1.5
0.6
0.7
1.0
0.5
―
―
3.29
7
15.4
32.9
1.54
3.29
0.9
典型值。
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
0.1
―
―
―
―
―
―
―
―
200
3
4.7
10
22
47
2.2
4.7
1.0
最大
100
500
1.52
0.71
0.33
0.15
0.145
0.138
―
―
―
―
―
―
0.3
2.0
2.4
3.0
5.0
1.1
1.3
1.5
0.8
―
6
6.11
13
28.6
61.1
2.86
6.11
1.1

k
V
兆赫
PFU
V
V
mA
单位
nA
0.0421 0.0468 0.0515
0.09
0.1
0.11
2
2001-06-07
RN2001~RN2006
3
2001-06-07
RN2001~RN2006
4
2001-06-07
RN2001~RN2006
5
2001-06-07
RN2001~RN2006
东芝晶体管PNP硅外延型（厘过程）
RN2001,RN2002,RN2003
RN2004,RN2005,RN2006
开关，逆变电路，接口电路
和驱动器电路应用
l
l
l
l
利用内置的偏置电阻
简化电路设计
减少部件数量和制造工艺的数量
为了配合RN1001 RN1006
单位：mm
等效电路和偏置电阻值的
型号
RN2001
RN2002
RN2003
RN2004
RN2005
RN2006
R1 （ kΩ的）
4.7
10
22
47
2.2
4.7
R2值（kΩ ）
4.7
10
22
47
47
47
JEDEC
EIAJ
东芝
重量： 0.21克
TO-92
SC-43
2-5F1B
最大额定值
（ TA = 25°C ）
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
RN2001~2006
RN2001~2006
RN2001~2004
RN2005 ， 2006年
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
等级
50
50
10
5
100
400
150
55~150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
1
2001-06-07
RN2001~RN2006
电气特性
（ TA = 25°C ）
特征
集电极截止
当前
RN2001~2006
RN2001
RN2002
发射极截止电流
RN2003
RN2004
RN2005
RN2006
RN2001
RN2002
直流电流增益
RN2003
RN2004
RN2005
RN2006
集电极 - 发射极
饱和电压
RN2001~2006
RN2001
RN2002
输入电压（ ON）的
RN2003
RN2004
RN2005
RN2006
输入电压（OFF）的
跃迁频率
集电极输出
电容
RN2001~2004
RN2005 ， 2006年
RN2001~2006
RN2001~2006
RN2001
RN2002
输入电阻
RN2003
RN2004
RN2005
RN2006
RN2001~2004
电阻率
RN2005
RN2006
R1/R2
―
R1
―
V
我（关闭）
f
T
C
ob
―
―
―
V
CE
=
5V,
I
C
=
0.1mA
V
CE
=
10V,
I
C
=
5mA
V
CB
=
10V,
I
E
= 0,
F = 1MHz的
V
我（上）
―
V
CE
=
0.2V,
I
C
=
5mA
V
CE （SAT）
―
I
C
=
5mA,
I
B
=
0.25mA
h
FE
―
V
CE
=
5V,
I
C
=
10mA
I
EBO
―
V
EB
=
10V,
I
C
= 0
符号
I
CBO
I
首席执行官
TEST
电路
―
测试条件
V
CB
=
50V,
I
E
= 0
V
CE
=
50V,
I
B
= 0
民
―
―
0.82
0.38
0.17
0.082
V
EB
=
5V,
I
C
= 0
0.078
0.074
30
50
70
80
80
80
―
1.1
1.2
1.3
1.5
0.6
0.7
1.0
0.5
―
―
3.29
7
15.4
32.9
1.54
3.29
0.9
典型值。
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
0.1
―
―
―
―
―
―
―
―
200
3
4.7
10
22
47
2.2
4.7
1.0
最大
100
500
1.52
0.71
0.33
0.15
0.145
0.138
―
―
―
―
―
―
0.3
2.0
2.4
3.0
5.0
1.1
1.3
1.5
0.8
―
6
6.11
13
28.6
61.1
2.86
6.11
1.1

k
V
兆赫
PFU
V
V
mA
单位
nA
0.0421 0.0468 0.0515
0.09
0.1
0.11
2
2001-06-07
RN2001~RN2006
3
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RN2001~RN2006
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2001-06-07
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RD-123.3DP
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RCH110NP-331K
R29771DM/883B
RT9163-35GGT
RP705/D/10
RF2516_06
R1223N212A
RPE5C2A122J2S1D03A
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厂家
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