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RN1972FS,RN1973FS
东芝三极管
NPN硅外延式（ PCT程序） （偏置电阻内置晶体管）
RN1972FS,RN1973FS
开关，逆变电路，接口电路和
驱动器电路应用
两个设备合并到一个细间距小模（ 6引脚）封装
结合偏置电阻变成晶体管减少了部件数量。
减少零件数量使得能够更加制造
紧凑型设备，降低装配成本。
补充RN2972FS ， RN2973FS
0.1±0.05
1.0±0.05
0.8±0.05
0.1±0.05
0.15±0.05
单位：mm
0.35 0.35
1.0±0.05
0.7±0.05
1
2
3
6
5
4
0.1±0.05
0.48
-0.04
+0.02
等效电路和偏置电阻值
fS6
1.EMIITTER1
2.EMITTER2
3.BASE2
4.COLLECTOR2
5.BASE1
6.COLLECTOR1
(E1)
(E2)
(B2)
(C2)
(B1)
(C1)
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
（ Q1 ， Q2常见）
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
（注1 ）
T
j
T
英镑
等级
20
20
5
50
50
150
55~150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
JEDEC
JEITA
东芝
―
―
2-1F1C
重量：0.001克（典型值）。
注意：
在重负载下连续使用（如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化）可能会导致此产品的可靠性降低显著
即使在操作条件下（即工作温度/电流/电压等）内的绝对
最大额定值。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
（ “注意事项” / “降额的概念和方法” ）和个人数据的可靠性（即可靠性试验
报告与估计的故障率，等）。
注1 ：总的评价
等效电路
（ TOP VIEW ）
6
5
4
Q1
Q2
1
2
3
1
2007-11-01
RN1972FS,RN1973FS
电气特性
（ TA = 25 ℃） （ Q1 ， Q2公用）
特征
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
集电极输出电容
输入电阻
RN1972FS
RN1973FS
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE （SAT）
C
ob
R1
测试条件
V
CB
=
20 V，I
E
=
0
V
EB
=
5 V，I
C
=
0
V
CE
=
5 V，I
C
=
1毫安
I
C
=
5毫安，我
B
=
0.25毫安
V
CB
=
10 V，I
E
=
0, f
=
1兆赫
民
300
17.6
37.6
典型值。
1.2
22
47
最大
100
100
0.15
26.4
56.4
V
pF
kΩ
单位
nA
nA
2
2007-11-01
RN1972FS,RN1973FS
（ Q1 ， Q2常见）
RN1972FS
100
IC - 六（ ON）
10000
RN1972FS
IC - 六（OFF ）
集电极电流Ic （ mA）的
Ta=100°C
10
集电极电流IC （ μA ）
1000
Ta=100°C
100
25
25
1
-25
发射器通用
VCE=0.2V
1
10
100
-25
发射器通用
VCE=5V
10
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
0.1
0.1
输入电压Vi （ON）， （V）的
输入电压Vi （关） （V）的
RN1973FS
100
IC - 六（ ON）
10000
集电极电流IC （ μA ）
RN1973FS
IC - 六（OFF ）
集电极电流Ic （ mA）的
10
Ta=100°C
1000
Ta=100°C
25
-25
100
25
发射器通用
VCE=5V
10
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1
-25
发射器通用
VCE=0.2V
0.1
0.1
1
10
100
输入电压VI （ON ） （V ）
输入电压VI （ OFF） （V ）
3
2007-11-01
RN1972FS,RN1973FS
（ Q1 ， Q2常见）
RN1972FS
1000
的hFE - IC
集电极 - 发射极饱和
电压VCE （SAT） （MV ）
1000
RN1972FS
VCE （SAT） - IC
直流电流增益hFE
Ta=100°C
25
-25
100
100
Ta=100°C
10
25
-25
1
0.1
发射器通用
IC / IB = 20
100
发射器通用
VCE=5V
10
0.1
1
10
100
集电极电流Ic （ mA）的
1
10
集电极电流Ic （ mA）的
RN1973FS
1000
的hFE - IC
Ta=100°C
集电极 - 发射极饱和
电压VCE （SAT） （MV ）
1000
RN1973FS
VCE （SAT） - IC
直流电流增益hFE
25
-25
100
100
Ta=100°C
10
-25
25
发射器通用
IC / IB = 20
发射器通用
VCE=5V
10
0.1
1
10
100
集电极电流Ic （ mA）的
1
0.1
1
10
100
集电极电流Ic （ mA）的
4
2007-11-01
RN1972FS,RN1973FS
型号名称
记号
6
5
4
型号名称
RN1972FS
JH
1
6
2
5
3
4
型号名称
RN1973FS
JJ
1
2
3
操作注意事项
当处理单个设备（其尚未安装在电路板），可确保环境是
防止静电放电。操作人员应穿防静电服装，以及集装箱和其他对象
该直接接触与设备应当由防静电材料。
5
2007-11-01
查看更多RN1972FSPDF信息
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