【RN1970CT ， RN1971CT东芝三极管PNP硅外延式（ PCT程序）（偏置电阻内置晶体管】,IC型号RN1971CT,RN1971CT PDF资料,RN1971CT经销商,ic,电子元器件-51电子网

RN1970CT ， RN1971CT

东芝三极管

PNP硅外延式（ PCT程序）（偏置电阻内置晶体管）

RN1970CT,RN1971CT

开关，逆变电路，接口电路和

驱动器电路应用

1.0±0.05

单位：mm

0.2±0.03

补充RN2970CT ， RN2971CT

0.2±0.03

结合偏置电阻变成晶体管减少了部件数量。

减少元件数量实现了前所未有的制造

紧凑型设备，节省组装成本。

６

５

４

0.6±0.02

0.9±0.05

１

２

３

0.35±0.02

0.075±0.03

0.7±0.03

等效电路

1.EMITTER1

2.EMITTER2

3.BASE2

4.COLLECTOR2

5.BASE1

6.COLLECTOR1

0.38 +0.02

-0.03

CST6

JEDEC

JEITA

东芝

―

2-1K1A

重量： 1.0毫克（典型值）。

绝对最大额定值

（ TA = 25 ℃）（ Q1 ， Q2公用）

特征

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极耗散功率

结温

存储温度范围

符号

CBO

首席执行官

EBO

C(Note1)

英镑

等级

140

150

单位

°C

等效电路

（ TOP VIEW ）

注1 ：总的评价

注意：

重负载下连续使用（如高温/电流/电压的施加

并在温度等的显著变化）可能会导致该产品以降低

在可靠性显著即使操作条件

（ ieoperatingtemperature /电流/电压等）的绝对最大额定值。

请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性

（ “注意事项” / “降额的概念和方法” ）和个人

可靠性数据（即可靠性测试报告和估计故障率等）。

2009-06-15

0.05±0.03

两个设备合并成细间距小型模具（ 6针）

封装。

0.15±0.03

RN1970CT ， RN1971CT

电气特性

（ TA = 25 ℃）（ Q1 ， Q2公用）

特征

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

集电极 - 发射极饱和电压

集电极输出电容

输入电阻

RN1970CT

RN1971CT

符号

CBO

EBO

CE （SAT）

测试条件

20 V，I

5 V，I

1毫安

5毫安，我

0.25毫安

10 V，I

0, f

1兆赫

民

300

3.76

1.2

4.7

典型值。

最大

100

0.15

5.64

kΩ

单位

2009-06-15

RN1970CT ， RN1971CT

100

RN1970CT

RN1110CT

IC - 六（ ON）

10000

RN1970CT

RN1110CT

IC - 六（OFF ）

集电极电流Ic （ mA）的

集电极电流IC （ μA ）

TA = 100℃

1000

TA = 100℃

100

-25

发射器通用

VCE = 0.2V

发射器通用

VCE = 5V

0.2

0.4

0.6

0.8

1.2

1.4

0.1

100

输入电压Vi （ON），（V）的

输入电压Vi （关）（V）的

RN1111CT

RN1971CT

100

IC - 六（ ON）

10000

RN1111CT

RN1971CT

IC - 六（OFF ）

集电极电流Ic （ mA）的

TA = 100℃

集电极电流IC （ μA ）

1000

TA = 100℃

100

发射器通用

VCE = 5V

0.2

0.4

0.6

0.8

1.2

1.4

-25

发射器通用

VCE = 0.2V

0.1

100

输入电压Vi （ON），（V）的

-25

输入电压Vi （关）（V）的

2009-06-15

RN1970CT ， RN1971CT

RN1110CT

RN1970CT

1000

的hFE - IC

集电极 - 发射极饱和

电压VCE （SAT）（MV ）

TA = 100℃

1000

RN1110CT

RN1970CT

VCE （SAT） - IC

直流电流增益hFE

-25

100

TA = 100℃

-25

发射器通用

IC / IB = 20

0.1

100

发射器通用

VCE = 5V

0.1

100

集电极电流Ic （ mA）的

RN1111CT

RN1971CT

1000

的hFE - IC

1000

集电极 - 发射极饱和

电压VCE （SAT）（MV ）

RN1111CT

RN1971CT

VCE （SAT） - IC

直流电流增益hFE

TA = 100℃

-25

100

TA = 100℃

-25

发射器通用

IC / IB = 20

发射器通用

VCE = 5V

0.1

100

集电极电流Ic （ mA）的

0.1

100

集电极电流Ic （ mA）的

2009-06-15

RN1970CT ， RN1971CT

型号名称

记号

型号名称

RN1970CT

型号名称

RN1971CT

操作注意事项

当处理单个设备（其尚未安装在电路板），可确保环境是

防止静电电。操作人员应穿防静电服装，以及集装箱和其他对象

该直接接触与设备应当由防静电材料。

2009-06-15