【RN1967FS~RN1969FS东芝三极管NPN硅外延式（ PCT程序）（偏置电阻内置晶体管）R】,IC型号RN1967FS,RN1967FS PDF资料,RN1967FS经销商,ic,电子元器件-51电子网

RN1967FS~RN1969FS

东芝三极管

NPN硅外延式（ PCT程序）（偏置电阻内置晶体管）

RN1967FS,RN1968FS,RN1969FS

开关，逆变电路，接口电路和

驱动器电路应用

两个设备合并成细间距小型模具（ 6针）

封装。

结合偏置电阻变成晶体管减少了部件数量。

减少元件数量实现了前所未有的制造

紧凑型设备，节省组装成本。

补充RN2967FS RN2969FS

+0.02

单位：mm

1.0±0.05

0.1±0.05

0.8±0.05

0.1±0.05

0.15±0.05

0.35 0.35

1.0±0.05

0.7±0.05

0.1±0.05

等效电路和偏置电阻值

型号

RN1967FS

RN1968FS

RN1969FS

R1 （ kΩ的）

R2值（kΩ ）

0.48

-0.04

fS6

JEDEC

JEITA

1.EMIITTER1

2.EMITTER2

3.BASE2

4.COLLECTOR2

5.BASE1

6.COLLECTOR1

(E1)

(E2)

(B2)

(C2)

(B1)

(C1)

―

2-1F1C

东芝

重量：0.001克（典型值）。

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

（ Q1 ， Q2常见）

特征

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

RN1967FS~

1969FS

RN1967FS

发射极 - 基极电压

RN1968FS

RN1969FS

集电极电流

集电极耗散功率RN1967FS

RN1969FS

结温

存储温度范围

（注1 ）

英镑

EBO

符号

CBO

首席执行官

等级

150

55~150

°C

单位

等效电路

（ TOP VIEW ）

注意：

在重负载下连续使用（如高温/电流/电压和应用

在温度等显著变化）可能会导致此产品的可靠性降低显著

即使在操作条件下（即工作温度/电流/电压等）内的绝对

最大额定值。

请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性

（ “注意事项” / “降额的概念和方法” ）和个人数据的可靠性（即可靠性试验

报告与估计的故障率，等）。

注1 ：总的评价

2007-11-01

RN1967FS~RN1969FS

电气特性

（ TA = 25 ℃）（ Q1 ， Q2公用）

特征

集电极截止电流

RN1967FS~1969FS

RN1967FS

发射极截止电流

RN1968FS

RN1969FS

RN1967FS

直流电流增益

RN1968FS

RN1969FS

集电极 - 发射极

饱和电压

RN1967FS~1969FS

RN1967FS

输入电压（ ON）的

RN1968FS

RN1969FS

RN1967FS

输入电压（OFF）的

RN1968FS

RN1969FS

集电极输出

电容

RN1967FS~1969FS

RN1967FS

输入电阻

RN1968FS

RN1969FS

RN1967FS

电阻率

RN1968FS

RN1969FS

R1/R2

10 V，I

1兆赫

我（关闭）

5 V，I

0.1毫安

我（上）

0.2 V，I

5毫安

CE （SAT）

5毫安，

0.25毫安

5 V，I

10毫安

EBO

符号

CBO

首席执行官

测试条件

20 V，I

6V ，我

7V ，我

15V ，我

民

0.088

0.085

0.182

120

100

0.7

0.8

1.6

0.5

0.6

1.3

17.6

37.6

0.17

0.374

1.71

典型值。

1.2

0.213

0.468

2.14

最大

100

500

0.131

0.126

0.271

0.15

1.5

2.2

5.0

1.0

1.1

2.6

26.4

56.4

0.255

0.562

2.56

kΩ

单位

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RN1967FS~RN1969FS

（ Q1 ， Q2公用）

RN1967FS

100

IC - 六（ ON）

10000

集电极电流IC （ μA ）

共发射极

VCE=5V

1000

Ta=100°C

-25

RN1967FS

IC - 六（OFF ）

集电极电流Ic

（MA ）

Ta=100°C

-25

共发射极

VCE=0.2V

0.1

100

0.1

输入电压Vi （ON），（V）的

0.2

0.4

0.6

0.8

1.2

1.4

输入电压Vi （关）（V）的

RN1968FS

100

集电极电流Ic （ mA）的

IC - 六（ ON）

10000

集电极电流IC （ μA ）

RN1968FS

IC - 六（OFF ）

共发射极

VCE=5V

Ta=100°C

1000

Ta=100°C

-25

共发射极

VCE=0.2V

0.1

100

输入电压Vi （ON），（V）的

100

0.2

0.4

0.6

0.8

1.2

1.4

1.6

输入电压Vi （关）（V）的

RN1969FS

10000

共发射极

VCE=5V

集电极电流IC （ μA ）

RN1969FS

100

集电极电流Ic （ mA）的

IC - 六（ ON）

IC - 六（OFF ）

Ta=100°C

-25

共发射极

VCE=0.2V

0.1

100

输入电压Vi （ON），（V）的

1000

Ta=100°C

-25

100

0.6

1.4

1.8

2.2

2.6

输入电压Vi （关）（V）的

2007-11-01

RN1967FS~RN1969FS

（ Q1 ， Q2公用）

RN1967FS

1000

集电极 - 发射极饱和

电压VCE （SAT）（MV ）

Ta=100°C

直流电流增益hFE

的hFE - IC

1000

共发射极

IC / IB = 20

RN1967FS

VCE （SAT） - IC

100

-25

100

Ta=100°C

共发射极

VCE = 5V

集电极电流Ic （ mA）的

100

-25

集电极电流Ic （ mA）的

RN1968FS

100

RN1968FS

1000

Ta=100°C

的hFE - IC

集电极 - 发射极饱和

电压VCE （SAT）（MV ）

1000

VCE （SAT） - IC

共发射极

IC / IB = 20

直流电流增益hFE

100

-25

100

Ta=100°C

-25

集电极电流Ic （ mA）的

100

共发射极

VCE = 5V

100

集电极电流Ic （ mA）的

RN1969FS

1000

的hFE - IC

1000

集电极 - 发射极饱和

电压VCE （SAT）（MV ）

RN1969FS

VCE （SAT） - IC

共发射极

IC / IB = 20

直流电流增益hFE

Ta=100°C

100

-25

100

Ta=100°C

共发射极

VCE = 5V

集电极电流Ic （ mA）的

100

-25

集电极电流Ic （ mA）的

100

2007-11-01

RN1967FS~RN1969FS

型号名称

记号

型号名称

RN1967FS

型号名称

RN1968FS

RN1969FS

型号名称

操作注意事项

当处理单个设备（其尚未安装在电路板），可确保环境是

防止静电电。操作人员应穿防静电服装，以及集装箱和其他对象

该直接接触与设备应当由防静电材料。

2007-11-01