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RN1967FS~RN1969FS
东芝三极管
NPN硅外延式( PCT程序) (偏置电阻内置晶体管)
RN1967FS,RN1968FS,RN1969FS
开关,逆变电路,接口电路和
驱动器电路应用
两个设备合并成细间距小型模具( 6针)
封装。
结合偏置电阻变成晶体管减少了部件数量。
减少元件数量实现了前所未有的制造
紧凑型设备,节省组装成本。
补充RN2967FS RN2969FS
+0.02
单位:mm
1.0±0.05
0.1±0.05
0.8±0.05
0.1±0.05
0.15±0.05
0.35 0.35
1.0±0.05
0.7±0.05
1
2
3
6
5
4
0.1±0.05
等效电路和偏置电阻值
C
B
R1
R2
型号
RN1967FS
RN1968FS
E
RN1969FS
R1 ( kΩ的)
10
22
47
R2值(kΩ )
47
47
22
0.48
-0.04
fS6
JEDEC
JEITA
1.EMIITTER1
2.EMITTER2
3.BASE2
4.COLLECTOR2
5.BASE1
6.COLLECTOR1
(E1)
(E2)
(B2)
(C2)
(B1)
(C1)
2-1F1C
东芝
重量:0.001克(典型值)。
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
( Q1 , Q2常见)
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
RN1967FS~
1969FS
RN1967FS
发射极 - 基极电压
RN1968FS
RN1969FS
集电极电流
集电极耗散功率RN1967FS
RN1969FS
结温
存储温度范围
I
C
P
C
(注1 )
T
j
T
英镑
V
EBO
符号
V
CBO
V
首席执行官
等级
20
20
6
7
15
50
50
150
55~150
mA
mW
°C
°C
V
单位
V
V
等效电路
( TOP VIEW )
6
5
4
Q1
Q2
1
2
3
注意:
在重负载下连续使用(如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化)可能会导致此产品的可靠性降低显著
即使在操作条件下(即工作温度/电流/电压等)内的绝对
最大额定值。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
( “注意事项” / “降额的概念和方法” )和个人数据的可靠性(即可靠性试验
报告与估计的故障率,等)。
注1 :总的评价
1
2007-11-01
RN1967FS~RN1969FS
电气特性
( TA = 25 ℃) ( Q1 , Q2公用)
特征
集电极截止电流
RN1967FS~1969FS
RN1967FS
发射极截止电流
RN1968FS
RN1969FS
RN1967FS
直流电流增益
RN1968FS
RN1969FS
集电极 - 发射极
饱和电压
RN1967FS~1969FS
RN1967FS
输入电压( ON)的
RN1968FS
RN1969FS
RN1967FS
输入电压(OFF)的
RN1968FS
RN1969FS
集电极输出
电容
RN1967FS~1969FS
RN1967FS
输入电阻
RN1968FS
RN1969FS
RN1967FS
电阻率
RN1968FS
RN1969FS
R1/R2
R1
C
ob
V
CB
=
10 V,I
E
=
0,
f
=
1兆赫
V
我(关闭)
V
CE
=
5 V,I
C
=
0.1毫安
V
我(上)
V
CE
=
0.2 V,I
C
=
5毫安
V
CE (SAT)
I
C
=
5毫安,
I
B
=
0.25毫安
h
FE
V
CE
=
5 V,I
C
=
10毫安
I
EBO
符号
I
CBO
I
首席执行官
测试条件
V
CB
=
20 V,I
E
=
0
V
CE
=
20 V,I
B
=
0
V
EB
=
6V ,我
C
=
0
V
EB
=
7V ,我
C
=
0
V
EB
=
15V ,我
C
=
0
0.088
0.085
0.182
120
120
100
0.7
0.8
1.6
0.5
0.6
1.3
8
17.6
37.6
0.17
0.374
1.71
典型值。
1.2
10
22
47
0.213
0.468
2.14
最大
100
500
0.131
0.126
0.271
0.15
1.5
2.2
5.0
1.0
1.1
2.6
12
26.4
56.4
0.255
0.562
2.56
pF
V
V
V
mA
单位
nA
2
2007-11-01
RN1967FS~RN1969FS
( Q1 , Q2公用)
RN1967FS
100
IC - 六( ON)
10000
集电极电流IC ( μA )
共发射极
VCE=5V
1000
Ta=100°C
25
-25
RN1967FS
IC - 六(OFF )
集电极电流Ic
(MA )
Ta=100°C
10
25
1
-25
共发射极
VCE=0.2V
0.1
1
10
100
100
0.1
输入电压Vi (ON), (V)的
10
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
输入电压Vi (关) (V)的
RN1968FS
100
集电极电流Ic ( mA)的
IC - 六( ON)
10000
集电极电流IC ( μA )
RN1968FS
IC - 六(OFF )
共发射极
VCE=5V
10
Ta=100°C
1000
Ta=100°C
25
-25
25
1
-25
共发射极
VCE=0.2V
0.1
0.1
1
10
100
输入电压Vi (ON), (V)的
100
10
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
输入电压Vi (关) (V)的
RN1969FS
10000
共发射极
VCE=5V
集电极电流IC ( μA )
RN1969FS
100
集电极电流Ic ( mA)的
IC - 六( ON)
IC - 六(OFF )
10
Ta=100°C
25
1
-25
共发射极
VCE=0.2V
0.1
0.1
1
10
100
输入电压Vi (ON), (V)的
1000
Ta=100°C
25
-25
100
10
0.6
1
1.4
1.8
2.2
2.6
3
输入电压Vi (关) (V)的
3
2007-11-01
RN1967FS~RN1969FS
( Q1 , Q2公用)
RN1967FS
1000
集电极 - 发射极饱和
电压VCE (SAT) (MV )
Ta=100°C
直流电流增益hFE
的hFE - IC
1000
共发射极
IC / IB = 20
RN1967FS
VCE (SAT) - IC
25
100
-25
100
Ta=100°C
共发射极
VCE = 5V
10
1
10
集电极电流Ic ( mA)的
100
25
-25
10
1
10
集电极电流Ic ( mA)的
RN1968FS
100
RN1968FS
1000
Ta=100°C
的hFE - IC
集电极 - 发射极饱和
电压VCE (SAT) (MV )
1000
VCE (SAT) - IC
共发射极
IC / IB = 20
直流电流增益hFE
25
100
-25
100
Ta=100°C
25
-25
10
1
10
集电极电流Ic ( mA)的
100
共发射极
VCE = 5V
10
1
10
100
集电极电流Ic ( mA)的
RN1969FS
1000
的hFE - IC
1000
集电极 - 发射极饱和
电压VCE (SAT) (MV )
RN1969FS
VCE (SAT) - IC
共发射极
IC / IB = 20
直流电流增益hFE
Ta=100°C
25
100
-25
100
Ta=100°C
共发射极
VCE = 5V
10
1
10
集电极电流Ic ( mA)的
100
25
-25
10
1
10
集电极电流Ic ( mA)的
100
4
2007-11-01
RN1967FS~RN1969FS
型号名称
记号
6
5
4
型号名称
RN1967FS
J6
1
6
2
5
3
4
型号名称
RN1968FS
J7
1
6
RN1969FS
2
5
3
4
型号名称
J8
1
2
3
操作注意事项
当处理单个设备(其尚未安装在电路板),可确保环境是
防止静电电。操作人员应穿防静电服装,以及集装箱和其他对象
该直接接触与设备应当由防静电材料。
5
2007-11-01
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    联系人:杨小姐
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