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RN1961CT~RN1966CT
东芝三极管
NPN硅外延式( PCT程序) (偏置电阻内置晶体管)
RN1961CT,RN1962CT,RN1963CT
RN1964CT,RN1965CT,RN1966CT
切换应用程序
逆变器电路中的应用
接口电路中的应用
驱动器电路应用
0.9±0.05
单位:mm
1.0±0.05
0.15±0.03
0.2±0.03
0.6±0.02
两个设备合并成细间距小型模具( 6针)
封装。
结合偏置电阻变成晶体管减少了部件数量。
减少元件数量实现了前所未有的制造
紧凑型设备,节省组装成本。
0.2±0.03
0.35±0.02
0.35±0.02
0.075±0.03
0.7±0.03
补充RN2961CT到RN2966CT
等效电路和偏置电阻值
C
型号
RN1961CT
RN1962CT
R2
RN1963CT
RN1964CT
E
RN1965CT
RN1966CT
R1 ( kΩ的)
4.7
10
22
47
2.2
4.7
R2值(kΩ )
4.7
10
22
47
47
47
CST6
JEDEC
JEITA
东芝
(E1)
1.EMITTER1
(E2)
2.EMITTER2
(B2)
3.BASE2
4.COLLECTOR2 (C2)的
(B1)
5.BASE1
6.COLLECTOR1 (C1)的
B
R1
2-1K1A
重量: 1毫克(典型值)。
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
( Q1 , Q2常见)
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
RN1961CT
以1966CT
RN1961CT
以1964CT
发射极 - 基极电压
RN1965CT,
1966CT
符号
V
CBO
V
首席执行官
等级
20
20
10
V
EBO
5
I
C
RN1961CT
to
RN1966CT
P
C
(Note1)
T
j
T
英镑
50
50
150
55
150
mA
mW
°C
°C
V
单位
V
V
等效电路
( TOP VIEW )
6
Q1
5
4
Q2
1
2
3
集电极电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
注:在重负载下连续使用(如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化)可能会导致此产品在可靠性,降低显著甚至
如果操作条件(即工作温度/电流/电压等)内的绝对最大
收视率。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
( “注意事项” / “降额的概念和方法” )和个人数据的可靠性(即可靠性试验
报告与估计的故障率,等)。
注1 :总的评价
1
2009-04-14
0.38 +0.02
-0.03
0.05±0.03
RN1961CT~RN1966CT
电气特性
( TA = 25 ℃) ( Q1 , Q2公用)
特征
集电极截止电流
RN1961CT以1966CT
RN1961CT
RN1962CT
发射极截止电流
RN1963CT
RN1964CT
RN1965CT
RN1966CT
RN1961CT
RN1962CT
直流电流增益
RN1963CT
RN1964CT
RN1965CT
RN1966CT
集电极 - 发射极
饱和电压
RN1961CT以1966CT
RN1961CT
RN1962CT
输入电压( ON)的
RN1963CT
RN1964CT
RN1965CT
RN1966CT
输入电压(OFF)的
集电极输出
电容
RN1961CT以1964CT
RN1965CT , 1966CT
RN1961CT以1966CT
RN1961CT
RN1962CT
输入电阻
RN1963CT
RN1964CT
RN1965CT
RN1966CT
RN1961CT以1964CT
电阻率
RN1965CT
RN1966CT
R1/R2
R1
V
我(关闭)
C
ob
V
CE
=
5 V,I
C
=
0.1毫安
V
CB
=
10 V,I
E
=
0,
f
=
1兆赫
V
我(上)
V
CE
=
0.2 V,I
C
=
5毫安
V
CE (SAT)
I
C
=
5毫安,
I
B
=
0.25毫安
h
FE
V
CE
=
5 V,I
C
=
10毫安
I
EBO
V
EB
=
10 V,I
C
=
0
符号
I
CBO
I
首席执行官
测试条件
V
CB
=
20 V,I
E
=
0
V
CE
=
20 V,I
B
=
0
0.89
0.41
0.18
0.088
V
EB
=
5 V,I
C
=
0
0.085
0.08
30
60
100
120
120
120
1.0
1.0
1.1
1.2
0.6
0.6
0.8
0.4
3.76
8
17.6
37.6
1.76
3.76
0.8
典型值。
1.2
4.7
10
22
47
2.2
4.7
1.0
最大
100
500
1.33
0.63
0.29
0.133
0.127
0.121
0.15
2.0
2.2
2.7
3.6
1.1
1.2
1.5
0.8
5.64
12
26.4
56.4
2.64
5.64
1.2
V
pF
V
V
mA
单位
nA
0.0376 0.0468 0.0562
0.08
0.1
0.12
2
2009-04-14
RN1961CT~RN1966CT
( Q1 , Q2公用)
RN1961CT
100
集电极电流Ic ( mA)的
Ta=100°C
10
集电极电流Ic ( mA)的
IC - 六( ON)
100
RN1962CT
IC - 六( ON)
10
Ta=100°C
25
1
-25
共发射极
VCE=0.2V
0.1
0.1
1
10
输入电压Vi (ON), (V)的
100
25
1
-25
共发射极
VCE=0.2V
0.1
0.1
1
10
100
输入电压Vi (ON), (V)的
RN1963CT
100
集电极电流Ic ( mA)的
IC - 六( ON)
100
集电极电流Ic ( mA)的
RN1964CT
IC - 六( ON)
10
Ta=100°C
25
10
Ta=100°C
25
1
1
-25
共发射极
VCE=0.2V
0.1
0.1
1
10
100
输入电压Vi (ON), (V)的
-25
共发射极
VCE=0.2V
0.1
0.1
1
10
100
输入电压Vi (ON), (V)的
RN1965CT
100
集电极电流Ic ( mA)的
IC - 六( ON)
100
集电极电流Ic ( mA)的
RN1966CT
Ta=100°C
IC - 六( ON)
Ta=100°C
10
10
25
1
25
1
-25
-25
共发射极
VCE=0.2V
共发射极
VCE=0.2V
0.1
0.1
1
10
100
0.1
0.1
1
10
100
输入电压Vi (ON), (V)的
输入电压Vi (ON), (V)的
3
2009-04-14
RN1961CT~RN1966CT
( Q1 , Q2公用)
RN1961CT
10000
集电极电流IC ( μA )
IC - 六(OFF )
10000
集电极电流IC ( μA )
RN1962CT
IC - 六(OFF )
共发射极
VCE=5V
共发射极
VCE=5V
1000
Ta=100°C
25
-25
1000
Ta=100°C
25
-25
100
100
10
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
输入电压Vi (关) (V)的
10
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
输入电压Vi (关) (V)的
RN1963CT
10000
集电极电流IC ( μA )
IC - 六(OFF )
10000
集电极电流IC ( μA )
RN1964CT
IC - 六(OFF )
共发射极
VCE=5V
共发射极
VCE=5V
1000
Ta=100°C
25
-25
1000
Ta=100°C
25
-25
100
100
10
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
输入电压Vi (关) (V)的
10
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
输入电压Vi (关) (V)的
RN1965CT
10000
集电极电流IC ( μA )
IC - 六(OFF )
10000
集电极电流IC ( μA )
RN1966CT
IC - 六(OFF )
共发射极
VCE=5V
共发射极
VCE=5V
1000
Ta=100°C
25
-25
1000
Ta=100°C
25
-25
100
100
10
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
输入电压Vi (关) (V)的
10
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
输入电压Vi (关) (V)的
4
2009-04-14
RN1961CT~RN1966CT
( Q1 , Q2公用)
RN1961CT
1000
的hFE - IC
RN1962CT
1000
的hFE - IC
直流电流增益hFE
100
Ta=100°C
25
-25
直流电流增益hFE
Ta=100°C
100
-25
25
10
共发射极
VCE = 5V
1
1
10
集电极电流Ic ( mA)的
100
共发射极
VCE = 5V
10
1
10
集电极电流Ic ( mA)的
100
RN1963CT
1000
的hFE - IC
1000
RN1964CT
的hFE - IC
Ta=100°C
直流电流增益hFE
Ta=100°C
25
100
-25
直流电流增益hFE
25
-25
100
共发射极
VCE = 5V
10
1
10
集电极电流Ic ( mA)的
100
10
1
共发射极
VCE = 5V
10
集电极电流Ic ( mA)的
100
RN1965CT
1000
Ta=100°C
直流电流增益hFE
的hFE - IC
1000
RN1966CT
的hFE - IC
25
-25
100
直流电流增益hFE
Ta=100°C
25
-25
100
共发射极
VCE = 5V
10
1
10
集电极电流Ic ( mA)的
100
10
1
共发射极
VCE = 5V
10
集电极电流Ic ( mA)的
100
5
2009-04-14
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