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RN1910FS,RN1911FS
东芝三极管
NPN硅外延式( PCT程序) (偏置电阻内置晶体管)
RN1910FS,RN1911FS
开关,逆变电路,接口电路和
驱动器电路应用
两个设备合并到一个细间距小模( 6针)
封装。
结合偏置电阻变成晶体管减少了部件数量。
0.35 0.35
1.0±0.05
1.0±0.05
0.1±0.05
0.8±0.05
0.1±0.05
0.15±0.05
单位:mm
减少零件数量使得能够更加制造
紧凑型设备,降低装配成本。
补充RN2910FS , RN2911FS
0.7±0.05
1
2
3
6
5
4
0.1±0.05
fS6
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
( Q1 , Q2常见)
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
(注1 )
T
j
T
英镑
等级
20
20
5
50
50
150
55~150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
JEDEC
JEITA
东芝
0.48
-0.04
+0.02
等效电路和偏置电阻值
1. EMITTER1
(E1)
1.EMIITTER1
(E1)
2. BASE1
(B1)
2.EMITTER2
(E2)
3. COLLECTOR2
(B2)
(C2)
3.BASE2
4. EMITTER2
(E2)
4.COLLECTOR2 (C2)的
5. BASE2
(B2)
5.BASE1
(B2)
6. COLEECTOR1
(C1)
6.COLLECTOR1
(C1)
2-1F1D
重量: 0.001克(典型值)。
等效电路
( TOP VIEW )
6
5
4
在重负载下连续使用(高如应用程序
温度/电流/电压和温度的显著变化,
等),可能会导致该产品在可靠性,降低显著
即使在操作条件下(即,操作
温度/电流/电压等)内的绝对最大
收视率。
请在审查东芝设计相应的可靠性
半导体可靠性手册( “注意事项” / “减额
概念及方法“ )和个人数据的可靠性(即可靠性试验
报告与估计的故障率,等)。
注1 :总的评价
注意:
Q1
Q2
1
2
3
电气特性
( TA = 25 ℃) ( Q1 , Q2公用)
特征
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
集电极输出电容
输入电阻
RN1910FS
RN1911FS
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE (SAT)
C
ob
R1
测试条件
V
CB
=
20 V,I
E
=
0
V
EB
=
5 V,I
C
=
0
V
CE
=
5 V,I
C
=
1毫安
I
C
=
5毫安,我
B
=
0.25毫安
V
CB
=
10 V,I
E
=
0, f
=
1兆赫
300
3.76
8
典型值。
1.2
4.7
10
最大
100
100
0.15
5.64
12
V
pF
单位
nA
nA
1
2007-11-01
RN1910FS,RN1911FS
( Q1 , Q2常见)
RN1910FS
IC - 六( ON)
10000
Ta=100°C
10
25
RN1910FS
IC - 六(OFF )
100
集电极电流Ic ( mA)的
集电极电流IC ( μA )
1000
Ta=100°C
100
25
-25
1
-25
发射器通用
VCE=0.2V
发射器通用
VCE=5V
10
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
0.1
0.1
1
10
100
输入电压Vi (ON), (V)的
输入电压Vi (关) (V)的
RN1911FS
100
IC - 六( ON)
10000
集电极电流IC ( μA )
RN1911FS
IC - 六(OFF )
集电极电流Ic ( mA)的
Ta=100°C
10
1000
Ta=100°C
100
辐射源
常见
VCE=5V
10
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
25
25
1
-25
发射器通用
VCE=0.2V
0.1
0.1
1
10
100
输入电压Vi (ON), (V)的
-25
输入电压Vi (关) (V)的
2
2007-11-01
RN1910FS,RN1911FS
( Q1 , Q2公用)
RN1910FS
1000
Ta=100°C
的hFE - IC
集电极 - 发射极饱和
电压VCE (SAT) (MV )
1000
RN1910FS
RN1110FS
VCE (SAT) - IC
直流电流增益hFE
25
-25
100
100
Ta=100°C
10
-25
25
发射器通用
IC / IB = 20
1
0.1
1
10
100
发射器通用
VCE=5V
10
0.1
1
10
100
集电极电流Ic ( mA)的
集电极电流Ic ( mA)的
RN1911FS
1000
的hFE - IC
集电极 - 发射极饱和
电压VCE (SAT) (MV )
1000
RN1911FS
VCE (SAT) - IC
直流电流增益hFE
Ta=100°C
-25
100
25
100
Ta=100°C
10
-25
25
发射器通用
IC / IB = 20
发射器通用
VCE=5V
10
0.1
1
10
100
集电极电流Ic ( mA)的
1
0.1
1
10
100
集电极电流Ic ( mA)的
3
2007-11-01
RN1910FS,RN1911FS
型号名称
记号
6
5
4
型号名称
RN1910FS
F9
1
6
2
5
3
4
型号名称
RN1911FS
FF
1
2
3
操作注意事项
当处理单个设备(其尚未安装在电路板),可确保环境是
防止静电放电。操作人员应穿防静电服装,以及集装箱和其他对象
直接接触与设备应当由防静电材料。
4
2007-11-01
RN1910FS,RN1911FS
限制产品使用
东芝公司及其子公司和联营公司(统称为“ TOSHIBA” ) ,保留更改信息的权利
在这个文件中,以及相关的硬件,软件和系统(统称为“产品”) ,恕不另行通知。
本文档的任何信息均不得转载未经东芝事先书面许可。即使
东芝的书面许可,复制是允许的,只要还原度没有改变/遗漏。
虽然东芝的作品不断地提高产品的质量和可靠性,产品可能出现故障或失败。客户
负责符合安全标准,并提供足够的设计和保障他们的硬件,软件和
这最大限度地降低风险,并避免出现在产品的故障或失效可能导致人的生命损失,人身伤害系统
或财产损失,包括数据丢失或损坏。在创建和生产设计和使用,客户还必须参考
并符合(一)中的所有相关信息,东芝的最新版本,包括但不限于本文件,规格,
数据表和应用笔记产品,并提出了“东芝半导体可靠性的注意事项和条件
手册“和(b)对于该产品将具有或所使用的应用程序的说明。客户全权负责所有
的自己的产品设计或应用方面,包括但不限于: (a)确定所述使用此的适宜
产品在这样的设计或应用程序; (二)评估和确定本文档中包含的任何信息的适用性,或
在图表,图表,程序,算法,样本应用电路,或任何其他引用的文件; (三)确认所有操作
参数对这样的设计和应用。
东芝半导体公司没有责任为客户的产品设计或
应用程序。
产品适用于一般电子设备的应用程序(使用例如,计算机,个人设备,办公设备,测量
设备,工业机器人和家用电子电器) ,或针对特定应用本文件中的明确规定。产品
既不打算也不保证在设备或系统的使用要求非常高层次的质量和/或可靠性和/或中
故障或故障可能导致人的生命,人身伤害,严重财产损失或严重影响公众的损失( “意外
用“ ) 。意想不到的用途包括但不限于核设施中使用的设备,用于航空航天工业设备,
医疗设备,用于汽车,火车,轮船等运输,交通信号设备仪器,二手设备
控制中使用的发火或爆炸,安全装置,升降机,自动扶梯,涉及到电力设备,以及设备
金融相关领域。不要使用产品的误用,除非本文档中的特别许可。
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产品不应被用于或结合到任何产品或系统的制造,使用或销售下任何被禁止的
适用的法律或规例。
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侵犯第三方专利或可能导致使用产品,任何其他知识产权。没有许可证的任何
知识产权被授予此文档,无论明示或暗示,禁止反言或其他方式。
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包括但不限于,间接的,继发的,特殊的或偶然的损坏或损失,包括
包括但不限于利润损失,机会,业务中断和数据丢失的损失,以及
( 2 )拒绝任何明示或暗示的保证及相关产品的销售情况时,使用的产品,
或信息,包括有关适销性条件,适合某一特定
目的,精度信息,或不侵权的。
不要使用或以其他方式提供产品或相关软件或技术进行任何军事目的,包括但不限于,
的设计,开发,使用,核武器,化学武器或生物武器或导弹技术的产品储存或生产
(大规模杀伤武器) 。产品及相关软件和技术可根据日本外汇控制和
对外贸易法和美国出口管理条例。出口和再出口的产品或相关软件或技术
严格禁止除遵守所有适用的出口法律和法规。
请联系您的东芝销售代表的详细情况,诸如环境问题,如产品的RoHS指令的兼容性。
请遵守该规范的受控物质列入或使用的所有适用法律和法规使用的产品,
包括但不限于欧盟的RoHS指令。东芝对发生的结果损害或损失不承担任何责任
不遵守适用的法律和法规。
5
2007-11-01
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