RN1501~RN1506
东芝晶体管NPN硅外延式（ PCT程序）
RN1501,RN1502,RN1503
RN1504,RN1505,RN1506
单位：mm
开关，逆变电路，接口电路
和驱动器电路应用
l
包括SMV两个设备
（超迷你型，5引线）利用内置的偏置电阻
l
简化电路设计
l
减少部件数量和制造工艺的数量
l
为了配合RN2501 RN2506
等效电路和偏置电阻值的
型号
RN1501
RN1502
RN1503
RN1504
RN1505
RN1506
R1 （ kΩ的）
4.7
10
22
47
2.2
4.7
R2值（kΩ ）
4.7
10
22
47
47
47
JEDEC
EIAJ
东芝
重量： 6.8mg
―
―
2-3L1A
等效电路
（ TOP VIEW ）
最大额定值
（ TA = 25 ℃） （ Q1 ， Q2公用）
°
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
RN1501~1506
RN1501~1506
RN1501~1504
RN1505 ， 1506
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
*
T
j
T
英镑
等级
50
50
10
5
100
300
150
55~150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
*
总评分
1
2001-06-07
RN1501~RN1506
电气特性
（ TA = 25 ℃） （ Q1 ， Q2公用）
°
特征
集电极截止
当前
RN1501~1506
RN1501
RN1502
发射极截止电流
RN1503
RN1504
RN1505
RN1506
RN1501
RN1502
直流电流增益
RN1503
RN1504
RN1505
RN1506
集电极 - 发射极
饱和电压
RN1501~1506
RN1501
RN1502
输入电压（ ON）的
RN1503
RN1504
RN1505
RN1506
输入电压（OFF）的
跃迁频率
集电极输出
电容
RN1501~1504
RN1505 ， 1506
RN1501~1506
RN1501~1506
RN1501
RN1502
输入电阻
RN1503
RN1504
RN1505
RN1506
RN1501~1504
电阻率
RN1505
RN1506
R1/R2
―
R1
―
V
我（关闭）
f
T
C
ob
―
―
―
V
CE
= 5V ，我
C
= 0.1毫安
V
CE
= 10V ，我
C
= 5毫安
V
CB
= 10V ，我
E
= 0,
F = 1MHz的
V
我（上）
―
V
CE
= 0.2V ，我
C
= 5毫安
V
CE （SAT）
―
I
C
= 5毫安，我
B
= 0.25毫安
h
FE
―
V
CE
= 5V ，我
C
= 10毫安
I
EBO
―
V
EB
= 10V ，我
C
= 0
符号
I
CBO
I
首席执行官
TEST
电路
―
测试条件
V
CB
= 50V ，我
E
= 0
V
CE
= 50V ，我
B
= 0
民
―
―
0.82
0.38
0.17
0.082
V
EB
= 5V ，我
C
= 0
0.078
0.074
30
50
70
80
80
80
―
1.1
1.2
1.3
1.5
0.6
0.7
1.0
0.5
―
―
3.29
7
15.4
32.9
1.54
3.29
0.9
典型值。
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
0.1
―
―
―
―
―
―
―
―
250
3
4.7
10
22
47
2.2
4.7
1.0
最大
100
500
1.52
0.71
0.33
0.15
0.145
0.138
―
―
―
―
―
―
0.3
2.0
2.4
3.0
5.0
1.1
1.3
1.5
0.8
―
6
6.11
13
28.6
61.1
2.86
6.11
1.1
k
V
兆赫
pF
V
V
mA
单位
nA
0.0421 0.0468 0.0515
0.09
0.1
0.11
2
2001-06-07
RN1501~RN1506
东芝晶体管NPN硅外延式（ PCT程序）
RN1501,RN1502,RN1503
RN1504,RN1505,RN1506
单位：mm
开关，逆变电路，接口电路
和驱动器电路应用
l
包括SMV两个设备
（超迷你型，5引线）利用内置的偏置电阻
l
简化电路设计
l
减少部件数量和制造工艺的数量
l
为了配合RN2501 RN2506
等效电路和偏置电阻值的
型号
RN1501
RN1502
RN1503
RN1504
RN1505
RN1506
R1 （ kΩ的）
4.7
10
22
47
2.2
4.7
R2值（kΩ ）
4.7
10
22
47
47
47
JEDEC
EIAJ
东芝
重量： 6.8mg
―
―
2-3L1A
等效电路
（ TOP VIEW ）
最大额定值
（ TA = 25 ℃） （ Q1 ， Q2公用）
°
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
RN1501~1506
RN1501~1506
RN1501~1504
RN1505 ， 1506
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
*
T
j
T
英镑
等级
50
50
10
5
100
300
150
55~150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
*
总评分
1
2001-06-07
RN1501~RN1506
电气特性
（ TA = 25 ℃） （ Q1 ， Q2公用）
°
特征
集电极截止
当前
RN1501~1506
RN1501
RN1502
发射极截止电流
RN1503
RN1504
RN1505
RN1506
RN1501
RN1502
直流电流增益
RN1503
RN1504
RN1505
RN1506
集电极 - 发射极
饱和电压
RN1501~1506
RN1501
RN1502
输入电压（ ON）的
RN1503
RN1504
RN1505
RN1506
输入电压（OFF）的
跃迁频率
集电极输出
电容
RN1501~1504
RN1505 ， 1506
RN1501~1506
RN1501~1506
RN1501
RN1502
输入电阻
RN1503
RN1504
RN1505
RN1506
RN1501~1504
电阻率
RN1505
RN1506
R1/R2
―
R1
―
V
我（关闭）
f
T
C
ob
―
―
―
V
CE
= 5V ，我
C
= 0.1毫安
V
CE
= 10V ，我
C
= 5毫安
V
CB
= 10V ，我
E
= 0,
F = 1MHz的
V
我（上）
―
V
CE
= 0.2V ，我
C
= 5毫安
V
CE （SAT）
―
I
C
= 5毫安，我
B
= 0.25毫安
h
FE
―
V
CE
= 5V ，我
C
= 10毫安
I
EBO
―
V
EB
= 10V ，我
C
= 0
符号
I
CBO
I
首席执行官
TEST
电路
―
测试条件
V
CB
= 50V ，我
E
= 0
V
CE
= 50V ，我
B
= 0
民
―
―
0.82
0.38
0.17
0.082
V
EB
= 5V ，我
C
= 0
0.078
0.074
30
50
70
80
80
80
―
1.1
1.2
1.3
1.5
0.6
0.7
1.0
0.5
―
―
3.29
7
15.4
32.9
1.54
3.29
0.9
典型值。
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
0.1
―
―
―
―
―
―
―
―
250
3
4.7
10
22
47
2.2
4.7
1.0
最大
100
500
1.52
0.71
0.33
0.15
0.145
0.138
―
―
―
―
―
―
0.3
2.0
2.4
3.0
5.0
1.1
1.3
1.5
0.8
―
6
6.11
13
28.6
61.1
2.86
6.11
1.1
k
V
兆赫
pF
V
V
mA
单位
nA
0.0421 0.0468 0.0515
0.09
0.1
0.11
2
2001-06-07
QQ：2880707522 复制
