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RN1321ARN1327A
东芝三极管
硅NPN外延型(厘过程)
RN1321A,RN1322A,RN1323A,RN1324A
RN1325A,RN1326A,RN1327A
开关,逆变电路,接口电路
和驱动器电路应用
高电流驱动是可能的。
自偏压电阻内置于晶体管的小型化
由部件数目的削减装置和节省劳力的
组件是可能的。
多种电阻值的一字排开,以支持各种
各种电路设计。
补充RN2321A RN2327A
低V
CE ( SAT )
使是在高电流驱动的低功耗。
单位:mm
等效电路和偏置电阻值
型号
RN1321A
RN1322A
RN1323A
RN1324A
RN1325A
RN1326A
RN1327A
R1 ( kΩ的)
1
2.2
4.7
10
0.47
1
2.2
R2值(kΩ )
1
2.2
4.7
10
10
10
10
1.基地
2.辐射源
3.收集
JEDEC
JEITA
东芝
SC-70
2-2E1A
重0.006克(典型值)。
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
RN1321A~1327A
RN1321A~1324A
发射极 - 基极电压
RN1325A , 1326A
RN1327A
集电极电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
RN1321A~1327A
I
C
P
C
T
j
T
英镑
V
EBO
符号
V
CBO
V
首席执行官
等级
15
12
10
5
6
500
100
150
55~150
mA
mW
°C
°C
V
单位
V
V
注:在重负载下连续使用(如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化)可能会导致此产品在可靠性,降低显著甚至
如果操作条件(即工作温度/电流/电压等)内的绝对最大
收视率。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
( “注意事项” / “降额的概念和方法” )和个人数据的可靠性(即可靠性试验
报告与估计的故障率,等)。
1
2007-11-01
RN1321ARN1327A
电气特性
( TA = 25°C )
特征
集电极截止
当前
RN1321A~1327A
RN1321A
RN1322A
RN1323A
发射极截止电流
RN1324A
RN1325A
RN1326A
RN1327A
RN1321A
RN1322A
RN1323A
直流电流增益
RN1324A
RN1325A
RN1326A
RN1327A
集电极 - 发射极
饱和电压
RN1321A
RN1322A~1327A
RN1321A
RN1322A
RN1323A
输入电压( ON)的
RN1324A
RN1325A
RN1326A
RN1327A
RN1321A~1324A
输入电压(OFF)的
RN1325A , 1326A
RN1327A
跃迁频率
集电极输出
电容
RN1321A~1327A
RN1321A~1327A
RN1321A
RN1322A
RN1323A
输入电阻
RN1324A
RN1325A
RN1326A
RN1327A
RN1321A~1324A
电阻率
RN1325A
RN1326A
RN1327A
R1/R2
R1
f
T
C
ob
V
CE
= 5V ,我
C
= 20mA下
V
CB
= 10V ,我
E
= 0,
F = 1MH
z
V
我(关闭)
V
CE
= 5V ,我
C
= 0.1毫安
V
我(上)
V
CE
= 0.2V ,我
C
= 50毫安
V
CE (SAT)
I
C
= 50mA时我
B
= 2毫安
I
C
= 50mA时我
B
= 1毫安
h
FE
V
CE
= 1V ,我
C
= 50毫安
I
EBO
V
EB
= 5V ,我
C
= 0
V
EB
= 6V ,我
C
= 0
V
EB
= 10V ,我
C
= 0
符号
I
CBO
I
首席执行官
TEST
电路
测试条件
V
CB
= 15V ,我
E
= 0
V
CE
= 12V,我
B
= 0
3.85
1.75
0.82
0.38
0.365
0.35
0.378
35
65
100
140
140
140
140
1.0
1.1
1.3
1.5
0.5
0.6
0.7
0.8
0.4
0.5
0.7
1.54
3.29
7
0.329
0.7
1.54
0.85
0.040
0.085
0.187
300
4
1
2.2
4.7
10
0.47
1
2.2
1.00
0.047
0.100
0.220
典型值。
最大
100
500
7.14
3.25
1.52
0.71
0.682
0.65
0.703
0.25
2.4
2.7
3.5
5.2
1.2
1.4
1.9
1.4
0.8
1.0
1.3
2.86
6.11
13
0.611
1.3
2.86
1.15
0.054
0.115
0.253
MH
z
pF
V
V
V
mA
单位
nA
2
2007-11-01
RN1321ARN1327A
RN1321A
1000
集电极电流IC (MA )
IC - 六( ON)
10000
集电极电流IC ( μA )
RN1321A
常见
辐射源
VCE=5V
1000
Ta=100°C
100
IC - 六(OFF )
100
Ta=100°C
25
10
-25
1
常见
辐射源
VCE=0.2V
0.1
1
10
输入电压Vi (ON), (V)的
100
25
-25
0.1
10
0
0.5
1
1.5
输入电压Vi (关) (V)的
2
RN1321A
1000
直流电流增益hFE
的hFE - IC
COLLCTOR - 发射极饱和
电压VCE (饱和) (V)的
1
RN1321A
VCE (SAT) - IC
共发射极
VCE=1V
100
Ta=100°C
25
-25
10
共发射极
IC/IB=50
0.1
Ta=100°C
25
-25
0.01
10
100
捕集器电流IC (MA )
1000
1
1
10
100
捕集器电流IC (MA )
1000
3
2007-11-01
RN1321ARN1327A
RN1322A
1000
集电极电流IC (MA )
IC - 六( ON)
10000
集电极电流IC ( μA )
RN1322A
IC - 六(OFF )
100
常见
辐射源
VCE=0.2V
Ta=100°C
常见
辐射源
VCE=5V
1000
Ta=100°C
100
25
10
25
-25
1
-25
0.1
0.1
1
10
输入电压Vi (ON), (V)的
100
10
0
0.5
1
1.5
输入电压V(断开) (V)的
2
RN1322A
1000
的hFE - IC
1
COLLCTOR - 发射极饱和
电压VCE (饱和) (V)的
RN1322A
VCE (SAT) - IC
直流电流增益hFE
共发射极
IC/IB=50
100
Ta=100°C
25
-25
Ta=100°C
0.1
10
共发射极
VCE=1V
1
1
10
100
集电极电流IC (MA )
1000
25
-25
0.01
10
100
集电极电流IC (MA )
1000
4
2007-11-01
RN1321ARN1327A
RN1323A
1000
捕集器电流IC (MA )
IC - 六( ON)
10000
集电极电流IC ( μA )
RN1323A
常见
辐射源
VCE=5V
1000
IC - 六(OFF )
共发射极
VCE=0.2V
100
Ta=100°C
25
10
Ta=100°C
100
25
-25
1
-25
0.1
0.1
1
10
输入电压Vi (ON), (V)的
100
10
0
0.5
1
1.5
输入电压Vi (关) (V)的
2
RN1323A
1000
直流电流增益hFE
Ta=100°C
100
的hFE - IC
COLLCTOR - 发射极饱和
电压VCE (饱和) (V)的
1
RN1323A
VCE (SAT) - IC
共发射极
IC/IB=50
Ta=100°C
0.1
25
-25
10
共发射极
VCE=1V
1
1
10
100
1000
集电极电流IC (MA )
25
-25
0.01
10
100
集电极电流IC (MA )
1000
5
2007-11-01
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