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RN1314~RN1318
东芝晶体管NPN硅外延式（ PCT程序）
RN1314,RN1315,RN1316
RN1317,RN1318
开关，逆变电路，接口电路
和驱动器电路应用
l
利用内置的偏置电阻
l
简化电路设计
l
减少部件数量和制造工艺的数量
l
为了配合RN2314 RN2318
单位：mm
等效电路和偏置电阻值的
型号
RN1314
RN1315
RN1316
RN1317
RN1318
R1 （ kΩ的）
1
2.2
4.7
10
47
R2值（kΩ ）
10
10
10
4.7
10
最大额定值
（ TA = 25°C ）
°
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
RN1314~1318
RN1314
RN1315
发射极 - 基极电压
RN1316
RN1317
RN1318
集电极电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
RN1314~1318
I
C
P
C
T
j
T
英镑
V
EBO
符号
V
CBO
V
首席执行官
等级
50
50
5
6
7
15
25
100
100
150
55~150
JEDEC
EIAJ
东芝
重量： 0.006克
―
SC-70
2-2E1A
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
1
2001-06-07
RN1314~RN1318
电气特性
（ TA = 25°C ）
°
特征
集电极截止
当前
RN1314~1318
RN1314~1318
RN1314
RN1315
发射极截止电流
RN1316
RN1317
RN1318
直流电流增益
集电极 - 发射极
饱和电压
RN1314~16,18
RN1317
RN1314~1318
RN1314
RN1315
输入电压（ ON）的
RN1316
RN1317
RN1318
RN1314
RN1315
输入电压（OFF）的
RN1316
RN1317
RN1318
跃迁频率
集电极输出
电容
RN1314~1318
RN1314~1318
RN1314
RN1315
输入电阻
RN1316
RN1317
RN1318
RN1314
RN1315
电阻率
RN1316
RN1317
RN1318
R
1
/R
2
―
―
R
1
―
―
f
T
C
ob
―
―
V
CE
= 10V ，我
C
= 5毫安
V
CB
= 10V ，我
E
= 0,
F = 1MHz的
V
我（关闭）
―
V
CE
= 5V ，我
C
= 0.1毫安
V
我（上）
―
V
CE
= 0.2V ，我
C
= 5毫安
h
FE
V
CE （SAT）
―
―
I
EBO
―
符号
I
CBO
I
首席执行官
TEST
电路
―
测试条件
V
CB
= 50V ，我
E
= 0
V
CE
= 50V ，我
B
= 0
V
EB
= 5V ，我
C
= 0
V
EB
= 6V ，我
C
= 0
V
EB
= 7V ，我
C
= 0
V
EB
= 15V ，我
C
= 0
V
EB
= 25V ，我
C
= 0
V
CE
= 5V ，我
C
= 10毫安
I
C
= 5毫安，我
B
= 0.25毫安
民
―
―
0.35
0.37
0.36
0.78
0.33
50
30
―
0.6
0.7
0.8
1.5
2.5
0.3
0.3
0.3
0.3
0.5
―
―
0.7
1.54
3.29
7.0
32.9
―
―
―
―
―
典型值。
―
―
―
―
―
―
―
―
―
0.1
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
250
3.0
1.0
2.2
4.7
10.0
47.0
0.1
0.22
0.47
2.13
4.7
最大
100
500
0.65
0.71
0.68
1.46
0.63
―
―
0.3
2.0
2.5
2.5
3.5
10.0
0.9
1.0
1.1
2.3
5.7
―
6.0
1.3
2.86
6.11
13.0
61.1
―
―
―
―
―
k
兆赫
pF
V
V
V
mA
单位
nA
nA
2
2001-06-07
RN1314~RN1318
3
2001-06-07
RN1314~RN1318
4
2001-06-07
RN1314~RN1318
5
2001-06-07
RN1314~RN1318
东芝晶体管NPN硅外延式（ PCT程序）
RN1314,RN1315,RN1316
RN1317,RN1318
开关，逆变电路，接口电路
和驱动器电路应用
l
利用内置的偏置电阻
l
简化电路设计
l
减少部件数量和制造工艺的数量
l
为了配合RN2314 RN2318
单位：mm
等效电路和偏置电阻值的
型号
RN1314
RN1315
RN1316
RN1317
RN1318
R1 （ kΩ的）
1
2.2
4.7
10
47
R2值（kΩ ）
10
10
10
4.7
10
最大额定值
（ TA = 25°C ）
°
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
RN1314~1318
RN1314
RN1315
发射极 - 基极电压
RN1316
RN1317
RN1318
集电极电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
RN1314~1318
I
C
P
C
T
j
T
英镑
V
EBO
符号
V
CBO
V
首席执行官
等级
50
50
5
6
7
15
25
100
100
150
55~150
JEDEC
EIAJ
东芝
重量： 0.006克
―
SC-70
2-2E1A
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
1
2001-06-07
RN1314~RN1318
电气特性
（ TA = 25°C ）
°
特征
集电极截止
当前
RN1314~1318
RN1314~1318
RN1314
RN1315
发射极截止电流
RN1316
RN1317
RN1318
直流电流增益
集电极 - 发射极
饱和电压
RN1314~16,18
RN1317
RN1314~1318
RN1314
RN1315
输入电压（ ON）的
RN1316
RN1317
RN1318
RN1314
RN1315
输入电压（OFF）的
RN1316
RN1317
RN1318
跃迁频率
集电极输出
电容
RN1314~1318
RN1314~1318
RN1314
RN1315
输入电阻
RN1316
RN1317
RN1318
RN1314
RN1315
电阻率
RN1316
RN1317
RN1318
R
1
/R
2
―
―
R
1
―
―
f
T
C
ob
―
―
V
CE
= 10V ，我
C
= 5毫安
V
CB
= 10V ，我
E
= 0,
F = 1MHz的
V
我（关闭）
―
V
CE
= 5V ，我
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= 0.1毫安
V
我（上）
―
V
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= 0.2V ，我
C
= 5毫安
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FE
V
CE （SAT）
―
―
I
EBO
―
符号
I
CBO
I
首席执行官
TEST
电路
―
测试条件
V
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= 50V ，我
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= 50V ，我
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= 5V ，我
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I
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= 0.25毫安
民
―
―
0.35
0.37
0.36
0.78
0.33
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―
0.6
0.7
0.8
1.5
2.5
0.3
0.3
0.3
0.3
0.5
―
―
0.7
1.54
3.29
7.0
32.9
―
―
―
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―
典型值。
―
―
―
―
―
―
―
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―
0.1
―
―
―
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250
3.0
1.0
2.2
4.7
10.0
47.0
0.1
0.22
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2.13
4.7
最大
100
500
0.65
0.71
0.68
1.46
0.63
―
―
0.3
2.0
2.5
2.5
3.5
10.0
0.9
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1.1
2.3
5.7
―
6.0
1.3
2.86
6.11
13.0
61.1
―
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k
兆赫
pF
V
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单位
nA
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2
2001-06-07
RN1314~RN1318
3
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RN1314~RN1318
4
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RN1314~RN1318
5
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RN2131MFV
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