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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符R型号页 > 首字符R的型号第432页 > RN1116
RN1114~RN1118
东芝晶体管NPN硅外延式( PCT程序)
RN1114,RN1115,RN1116,RN1117,RN1118
开关,逆变电路,接口电路
和驱动器电路应用
l
凭借内置的偏置电阻器。
l
简化电路设计
l
减少部件数量和制造工艺的数量
l
为了配合RN2114 2118
单位:mm
等效电路和偏置电阻值
型号
RN1114
RN1115
RN1116
RN1117
RN1118
R
1
(k)
1
2.2
4.7
10
47
R
2
(k)
10
10
10
4.7
10
最大额定值
( TA = 25°C )
°
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
RN1114~1118
RN1114
RN1115
发射极 - 基极电压
RN1116
RN1117
RN1118
集电极电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
RN1114~1118
I
c
P
c
T
j
T
英镑
V
EBO
符号
V
CBO
V
首席执行官
等级
50
50
5
6
7
15
25
100
100
150
55~150
JEDEC
EIAJ
东芝
重量: 2.4mg
单位
V
V
2-2H1A
V
mA
mW
°C
°C
1
2001-06-07
RN1114~RN1118
电气特性
( TA = 25°C )
°
特征
集电极截止电流
RN1114~1118
RN1114~1118
RN1114
RN1115
发射极截止电流
RN1116
RN1117
RN1118
直流电流增益
集电极 - 发射极
饱和电压
RN1114 16 , 18
RN1117
RN1114~1118
RN1114
RN1115
输入电压( ON)的
RN1116
RN1117
RN1118
RN1114
RN1115
输入电压(OFF)的
RN1116
RN1117
RN1118
转换频率
集电极输出
电容
RN1114~1118
RN1114~1118
RN1114
RN1115
输入电阻
RN1116
RN1117
RN1118
RN1114
RN1115
电阻率
RN1116
RN1117
RN1118
R
1
/R
2
R
1
f
T
C
ob
V
我(关闭)
V
我(上)
h
FE
V
CE (SAT)
I
EBO
符号
I
CBO
I
首席执行官
TEST
电路
V
CE
= 10V ,我
C
= 5毫安
V
CB
= 10V ,我
E
= 0,
F = 1MHz的
V
CE
= 5V ,我
C
= 0.1毫安
V
CE
= 0.2V ,我
C
= 5毫安
测试条件
V
CB
= 50V ,我
E
= 0
V
CE
= 50V ,我
B
= 0
V
EB
= 5V ,我
C
= 0
V
EB
= 6V ,我
C
= 0
V
EB
= 7V ,我
C
= 0
V
EB
= 15V ,我
C
= 0
V
EB
= 25V ,我
C
= 0
V
CE
= 5V ,我
C
= 10毫安
I
C
= 5毫安,我
B
= 0.25毫安
0.35
0.37
0.36
0.78
0.33
50
30
0.6
0.7
0.8
1.5
2.5
0.3
0.3
0.3
0.3
0.5
0.7
1.54
3.29
7.0
32.9
典型值。
0.1
250
3.0
1.0
2.2
4.7
10.0
47.0
0.1
0.22
0.47
2.13
4.7
最大
100
500
0.65
0.71
0.68
1.46
0.63
0.3
2.0
2.5
2.5
3.5
10.0
0.9
1.0
1.1
2.3
5.7
6.0
1.3
2.86
6.11
13.0
61.1
k
兆赫
pF
V
V
V
mA
单位
nA
nA
2
2001-06-07
RN1114~RN1118
3
2001-06-07
RN1114~RN1118
4
2001-06-07
RN1114~RN1118
5
2001-06-07
RN1114~RN1118
东芝晶体管NPN硅外延式( PCT程序)
RN1114,RN1115,RN1116,RN1117,RN1118
开关,逆变电路,接口电路
和驱动器电路应用
l
凭借内置的偏置电阻器。
l
简化电路设计
l
减少部件数量和制造工艺的数量
l
为了配合RN2114 2118
单位:mm
等效电路和偏置电阻值
型号
RN1114
RN1115
RN1116
RN1117
RN1118
R
1
(k)
1
2.2
4.7
10
47
R
2
(k)
10
10
10
4.7
10
最大额定值
( TA = 25°C )
°
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
RN1114~1118
RN1114
RN1115
发射极 - 基极电压
RN1116
RN1117
RN1118
集电极电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
RN1114~1118
I
c
P
c
T
j
T
英镑
V
EBO
符号
V
CBO
V
首席执行官
等级
50
50
5
6
7
15
25
100
100
150
55~150
JEDEC
EIAJ
东芝
重量: 2.4mg
单位
V
V
2-2H1A
V
mA
mW
°C
°C
1
2001-06-07
RN1114~RN1118
电气特性
( TA = 25°C )
°
特征
集电极截止电流
RN1114~1118
RN1114~1118
RN1114
RN1115
发射极截止电流
RN1116
RN1117
RN1118
直流电流增益
集电极 - 发射极
饱和电压
RN1114 16 , 18
RN1117
RN1114~1118
RN1114
RN1115
输入电压( ON)的
RN1116
RN1117
RN1118
RN1114
RN1115
输入电压(OFF)的
RN1116
RN1117
RN1118
转换频率
集电极输出
电容
RN1114~1118
RN1114~1118
RN1114
RN1115
输入电阻
RN1116
RN1117
RN1118
RN1114
RN1115
电阻率
RN1116
RN1117
RN1118
R
1
/R
2
R
1
f
T
C
ob
V
我(关闭)
V
我(上)
h
FE
V
CE (SAT)
I
EBO
符号
I
CBO
I
首席执行官
TEST
电路
V
CE
= 10V ,我
C
= 5毫安
V
CB
= 10V ,我
E
= 0,
F = 1MHz的
V
CE
= 5V ,我
C
= 0.1毫安
V
CE
= 0.2V ,我
C
= 5毫安
测试条件
V
CB
= 50V ,我
E
= 0
V
CE
= 50V ,我
B
= 0
V
EB
= 5V ,我
C
= 0
V
EB
= 6V ,我
C
= 0
V
EB
= 7V ,我
C
= 0
V
EB
= 15V ,我
C
= 0
V
EB
= 25V ,我
C
= 0
V
CE
= 5V ,我
C
= 10毫安
I
C
= 5毫安,我
B
= 0.25毫安
0.35
0.37
0.36
0.78
0.33
50
30
0.6
0.7
0.8
1.5
2.5
0.3
0.3
0.3
0.3
0.5
0.7
1.54
3.29
7.0
32.9
典型值。
0.1
250
3.0
1.0
2.2
4.7
10.0
47.0
0.1
0.22
0.47
2.13
4.7
最大
100
500
0.65
0.71
0.68
1.46
0.63
0.3
2.0
2.5
2.5
3.5
10.0
0.9
1.0
1.1
2.3
5.7
6.0
1.3
2.86
6.11
13.0
61.1
k
兆赫
pF
V
V
V
mA
单位
nA
nA
2
2001-06-07
RN1114~RN1118
3
2001-06-07
RN1114~RN1118
4
2001-06-07
RN1114~RN1118
5
2001-06-07
RN1114~RN1118
东芝三极管
硅NPN外延型(厘过程)
RN1114 , RN1115 , RN1116 , RN1117 , RN1118
开关,逆变电路,接口电路
和驱动器电路应用
凭借内置的偏置电阻器。
简化的电路设计
部件的数目减少和简化的制造过程
为了配合RN2114 2118
单位:mm
等效电路和偏置电阻值
型号
RN1114
RN1115
RN1116
RN1117
RN1118
R
1
(k)
1
2.2
4.7
10
47
R
2
(k)
10
10
10
4.7
10
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
RN1114~1118
RN1114
RN1115
发射极 - 基极电压
RN1116
RN1117
RN1118
集电极电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
RN1114~1118
I
c
P
c
T
j
T
英镑
V
EBO
符号
V
CBO
V
首席执行官
等级
50
50
5
6
7
15
25
100
100
150
55~150
JEDEC
EIAJ
东芝
重量: 2.4mg
单位
V
V
2-2H1A
V
mA
mW
°C
°C
注意:
在重负载下连续使用(如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化)可能会导致此产品的可靠性降低显著
即使在操作条件下(即工作温度/电流/电压等)内的绝对
最大额定值。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
( “注意事项” / “降额的概念和方法” )和个人数据的可靠性(即可靠性试验
报告与估计的故障率,等)。
1
2007-11-01
RN1114~RN1118
电气特性
( TA = 25°C )
特征
集电极截止电流
RN1114~1118
RN1114~1118
RN1114
RN1115
发射极截止电流
RN1116
RN1117
RN1118
直流电流增益
集电极 - 发射极
饱和电压
RN1114 16 , 18
RN1117
RN1114~1118
RN1114
RN1115
输入电压( ON)的
RN1116
RN1117
RN1118
RN1114
RN1115
输入电压(OFF)的
RN1116
RN1117
RN1118
转换频率
集电极输出
电容
RN1114~1118
RN1114~1118
RN1114
RN1115
输入电阻
RN1116
RN1117
RN1118
RN1114
RN1115
电阻率
RN1116
RN1117
RN1118
R
1
/R
2
R
1
f
T
C
ob
V
我(关闭)
V
我(上)
h
FE
V
CE (SAT)
I
EBO
符号
I
CBO
I
首席执行官
TEST
电路
V
CE
= 10 V,I
C
= 5毫安
V
CB
= 10 V,I
E
= 0,
F = 1 MHz的
V
CE
= 5 V,I
C
- 0.1毫安
V
CE
- 0.2 V,I
C
= 5毫安
测试条件
V
CB
= 50 V,I
E
= 0
V
CE
= 50 V,I
B
= 0
V
EB
= 5 V,I
C
= 0
V
EB
= 6 V,I
C
= 0
V
EB
= 7 V,I
C
= 0
V
EB
= 15 V,I
C
= 0
V
EB
= 25 V,I
C
= 0
V
CE
= 5 V,I
C
= 10毫安
I
C
= 5毫安,我
B
= 0.25毫安
0.35
0.37
0.36
0.78
0.33
50
30
0.6
0.7
0.8
1.5
2.5
0.3
0.3
0.3
0.3
0.5
0.7
1.54
3.29
7.0
32.9
典型值。
0.1
250
3.0
1.0
2.2
4.7
10.0
47.0
0.1
0.22
0.47
2.13
4.7
最大
100
500
0.65
0.71
0.68
1.46
0.63
0.3
2.0
2.5
2.5
3.5
10.0
0.9
1.0
1.1
2.3
5.7
6.0
1.3
2.86
6.11
13.0
61.1
k
兆赫
pF
V
V
mA
单位
nA
nA
V
2
2007-11-01
RN1114~RN1118
IC - 六( ON)
100
集电极电流Ic ( mA)的
IC - 六( ON)
100
集电极电流
 IC
(MA )
RN1114
RN1115
共发射极
VCE = 0.2V
共发射极
VCE = 0.2V
10
TA = 100℃
1
10
TA = 100℃
25
-25
1
25
-25
0.1
0.1
1
输入电压
 
六(ON), (V)的
10
0.1
0.1
1
输入电压
 
六(ON), (V)的
10
100
集电极电流Ic ( mA)的
RN1116
IC - 六( ON)
100
集电极电流Ic ( mA)的
RN1117
IC - 六( ON)
共发射极
VCE = 0.2V
共发射极
VCE = 0.2V
10
TA = 100℃
10
TA = 100℃
1
1
25
-25
25
-25
0.1
0.1
1
输入电压
 
六(ON), (V)的
10
0.1
0.1
1
10
100
输入电压
 
六(ON), (V)的
100
集电极电流Ic ( mA)的
RN1118
IC - 六( ON)
共发射极
VCE = 0.2V
10
TA = 100℃
1
25
-25
0.1
0.1
1
10
100
输入电压
 
六(ON), (V)的
3
2007-11-01
RN1114~RN1118
10000
集电极电流Ic (微安)
RN1114
IC - 六(OFF )
10000
集电极电流Ic (微安)
RN1115
IC - 六(OFF )
共发射极
VCE = 5V
共发射极
VCE = 5V
1000
TA = 100℃
1000
TA = 100℃
25
-25
25
-25
100
100
10
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
输入电压
 
六(关) (V)的
10
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
输入电压
 
六(关) (V)的
10000
集电极电流Ic (微安)
RN1116
IC - 六(OFF )
10000
集电极电流Ic (微安)
RN1117
IC - 六(OFF )
共发射极
VCE = 5V
共发射极
VCE = 5V
1000
TA = 100℃
1000
TA = 100℃
25
-25
25
-25
100
100
10
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
输入电压
 
六(关) (V)的
10
0.8
1.2
1.6
2
2.4
2.8
3.2
输入电压
 
六(关) (V)的
10000
集电极电流Ic (微安)
RN1118
IC - 六(OFF )
共发射极
VCE = 5V
1000
TA = 100℃
25
-25
100
10
1
2
3
4
5
6
输入电压
 
六(关) (V)的
4
2007-11-01
RN1114~RN1118
RN1114
的hFE - IC
1000
1000
RN1115
的hFE - IC
共发射极
VCE = 5V
直流电流增益
②hFE
直流电流增益
②hFE
共发射极
VCE = 5V
100
TA = 100℃
100
TA = 100℃
25
-25
-25
25
10
1
10
集电极电流
 
IC (MA )
100
10
1
10
集电极电流
 
IC (MA )
100
1000
RN1116
的hFE - IC
1000
RN1117
的hFE - IC
共发射极
VCE = 5V
直流电流增益
②hFE
直流电流增益
②hFE
100
共发射极
VCE = 5V
TA = 100℃
100
TA = 100℃
-25
25
10
-25
25
10
1
10
集电极电流
 
IC (MA )
100
1
1
10
集电极电流
 
IC (MA )
100
1000
RN1118
的hFE - IC
共发射极
VCE = 5V
直流电流增益
②hFE
100
TA = 100℃
-25
25
10
1
10
集电极电流
 
IC (MA )
100
5
2007-11-01
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型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    RN1116
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1294342618 复制 点击这里给我发消息 QQ:2765319833 复制 点击这里给我发消息 QQ:1363272801 复制

电话:13528893675
联系人:朱先生
地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋5楼B01室。 香港特別行政區中环皇后大道中5號衡怡大厦2432室
RN1116
TOSHIB
22+
9600
SOT-42
全新原装现货热卖可长期供货
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