RN1114~RN1118
东芝晶体管NPN硅外延式( PCT程序)
RN1114,RN1115,RN1116,RN1117,RN1118
开关,逆变电路,接口电路
和驱动器电路应用
l
凭借内置的偏置电阻器。
l
简化电路设计
l
减少部件数量和制造工艺的数量
l
为了配合RN2114 2118
单位:mm
等效电路和偏置电阻值
型号
RN1114
RN1115
RN1116
RN1117
RN1118
R
1
(k)
1
2.2
4.7
10
47
R
2
(k)
10
10
10
4.7
10
最大额定值
( TA = 25°C )
°
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
RN1114~1118
RN1114
RN1115
发射极 - 基极电压
RN1116
RN1117
RN1118
集电极电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
RN1114~1118
I
c
P
c
T
j
T
英镑
V
EBO
符号
V
CBO
V
首席执行官
等级
50
50
5
6
7
15
25
100
100
150
55~150
JEDEC
EIAJ
东芝
重量: 2.4mg
单位
V
V
―
―
2-2H1A
V
mA
mW
°C
°C
1
2001-06-07
RN1114~RN1118
东芝晶体管NPN硅外延式( PCT程序)
RN1114,RN1115,RN1116,RN1117,RN1118
开关,逆变电路,接口电路
和驱动器电路应用
l
凭借内置的偏置电阻器。
l
简化电路设计
l
减少部件数量和制造工艺的数量
l
为了配合RN2114 2118
单位:mm
等效电路和偏置电阻值
型号
RN1114
RN1115
RN1116
RN1117
RN1118
R
1
(k)
1
2.2
4.7
10
47
R
2
(k)
10
10
10
4.7
10
最大额定值
( TA = 25°C )
°
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
RN1114~1118
RN1114
RN1115
发射极 - 基极电压
RN1116
RN1117
RN1118
集电极电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
RN1114~1118
I
c
P
c
T
j
T
英镑
V
EBO
符号
V
CBO
V
首席执行官
等级
50
50
5
6
7
15
25
100
100
150
55~150
JEDEC
EIAJ
东芝
重量: 2.4mg
单位
V
V
―
―
2-2H1A
V
mA
mW
°C
°C
1
2001-06-07
RN1114~RN1118
东芝三极管
硅NPN外延型(厘过程)
RN1114 , RN1115 , RN1116 , RN1117 , RN1118
开关,逆变电路,接口电路
和驱动器电路应用
凭借内置的偏置电阻器。
简化的电路设计
部件的数目减少和简化的制造过程
为了配合RN2114 2118
单位:mm
等效电路和偏置电阻值
型号
RN1114
RN1115
RN1116
RN1117
RN1118
R
1
(k)
1
2.2
4.7
10
47
R
2
(k)
10
10
10
4.7
10
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
RN1114~1118
RN1114
RN1115
发射极 - 基极电压
RN1116
RN1117
RN1118
集电极电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
RN1114~1118
I
c
P
c
T
j
T
英镑
V
EBO
符号
V
CBO
V
首席执行官
等级
50
50
5
6
7
15
25
100
100
150
55~150
JEDEC
EIAJ
东芝
重量: 2.4mg
单位
V
V
―
―
2-2H1A
V
mA
mW
°C
°C
注意:
在重负载下连续使用(如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化)可能会导致此产品的可靠性降低显著
即使在操作条件下(即工作温度/电流/电压等)内的绝对
最大额定值。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
( “注意事项” / “降额的概念和方法” )和个人数据的可靠性(即可靠性试验
报告与估计的故障率,等)。
1
2007-11-01