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RN1112FT,RN1113FT
东芝晶体管NPN硅外延式( PCT程序) (偏置电阻内置晶体管)
RN1112FT,RN1113FT
开关,逆变电路,接口电路和
驱动器电路应用。
·
·
高密度安装是因为收纳在非常薄的装置的可能
TESM包。
结合偏置电阻变成晶体管减少了部件数量。
减少元件数量实现了前所未有的制造
紧凑型设备,节省组装成本。
电阻值范围宽可在各种电路使用
设计。
补充RN2112FT , RN2113FT
单位:mm
·
·
等效电路和偏置电阻值
C
B
R1
JEDEC
E
G(典型值)。
JEITA
东芝
重量:
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
(注)
T
j
T
英镑
等级
50
50
5
100
100
150
-55~150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
最大额定值
(大
=
25°C)
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散波塞尔
结温
存储温度范围
注:总的评价
1
2002-01-29
RN1112FT,RN1113FT
电气特性
(大
=
25°C)
特征
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
输入电阻
RN1112FT
RN1113FT
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE (SAT)
f
T
C
ob
R1
测试条件
V
CB
=
50 V,I
E
=
0
V
EB
=
5 V,I
C
=
0
V
CE
=
5 V,I
C
=
1毫安
I
C
=
5毫安,我
B
=
0.25毫安
V
CE
=
10 V,I
C
=
5毫安
V
CB
=
10 V,I
E
=
0, f
=
1兆赫
120
15.4
32.9
典型值。
0.1
250
3
22
47
最大
100
100
700
0.3
6
28.6
61.1
V
兆赫
pF
kW
单位
nA
nA
型号名称
记号
型号名称
RN1112FT
XN
型号名称
RN1113FT
XP
2
2002-01-29
RN1112FT,RN1113FT
限制产品使用
000707EAA
·
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过,半导体
在一般的设备可能发生故障或失效,由于其固有的电灵敏度和容易受到物理
压力。它是利用东芝产品时,买方的责任,以符合标准
安全性在制造安全的设计对整个系统,并避免出现在其中一个发生故障或失效
如东芝的产品可能会造成人的生命,人身伤害或财产损失财产。
在开发设计时,请确保东芝产品在规定的工作范围内所用
阐述在最近东芝产品规格。另外,请记住注意事项,
设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性
手册“等。
·
本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用
(计算机,个人设备,办公设备,测量设备,工业机器人,家用电器,
等)。这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法
非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或
人身伤害( “意外用法” ) 。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表,飞机或
太空船仪器,运输仪器,交通信号仪器仪表,燃烧控制仪表,
医疗器械,各种安全装置等。东芝产品的非预期使用本上市
文件应在客户自己的风险进行。
·
此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。没有
承担责任东芝公司的知识产权或其他任何侵权行为
该第三方可能导致其使用的权利。没有获发牌照以暗示或以其他方式
任何知识产权或东芝或他人的其他权利。
·
此处所包含的信息如有更改,恕不另行通知。
3
2002-01-29
RN1112FT,RN1113FT
东芝晶体管NPN硅外延式( PCT程序) (偏置电阻内置晶体管)
RN1112FT,RN1113FT
开关,逆变电路,接口电路和
驱动器电路应用。
·
·
高密度安装是因为收纳在非常薄的装置的可能
TESM包。
结合偏置电阻变成晶体管减少了部件数量。
减少元件数量实现了前所未有的制造
紧凑型设备,节省组装成本。
电阻值范围宽可在各种电路使用
设计。
补充RN2112FT , RN2113FT
单位:mm
·
·
等效电路和偏置电阻值
C
B
R1
JEDEC
E
G(典型值)。
JEITA
东芝
重量:
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
(注)
T
j
T
英镑
等级
50
50
5
100
100
150
-55~150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
最大额定值
(大
=
25°C)
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散波塞尔
结温
存储温度范围
注:总的评价
1
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电气特性
(大
=
25°C)
特征
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
输入电阻
RN1112FT
RN1113FT
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE (SAT)
f
T
C
ob
R1
测试条件
V
CB
=
50 V,I
E
=
0
V
EB
=
5 V,I
C
=
0
V
CE
=
5 V,I
C
=
1毫安
I
C
=
5毫安,我
B
=
0.25毫安
V
CE
=
10 V,I
C
=
5毫安
V
CB
=
10 V,I
E
=
0, f
=
1兆赫
120
15.4
32.9
典型值。
0.1
250
3
22
47
最大
100
100
700
0.3
6
28.6
61.1
V
兆赫
pF
kW
单位
nA
nA
型号名称
记号
型号名称
RN1112FT
XN
型号名称
RN1113FT
XP
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2002-01-29
RN1112FT,RN1113FT
限制产品使用
000707EAA
·
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过,半导体
在一般的设备可能发生故障或失效,由于其固有的电灵敏度和容易受到物理
压力。它是利用东芝产品时,买方的责任,以符合标准
安全性在制造安全的设计对整个系统,并避免出现在其中一个发生故障或失效
如东芝的产品可能会造成人的生命,人身伤害或财产损失财产。
在开发设计时,请确保东芝产品在规定的工作范围内所用
阐述在最近东芝产品规格。另外,请记住注意事项,
设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性
手册“等。
·
本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用
(计算机,个人设备,办公设备,测量设备,工业机器人,家用电器,
等)。这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法
非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或
人身伤害( “意外用法” ) 。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表,飞机或
太空船仪器,运输仪器,交通信号仪器仪表,燃烧控制仪表,
医疗器械,各种安全装置等。东芝产品的非预期使用本上市
文件应在客户自己的风险进行。
·
此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。没有
承担责任东芝公司的知识产权或其他任何侵权行为
该第三方可能导致其使用的权利。没有获发牌照以暗示或以其他方式
任何知识产权或东芝或他人的其他权利。
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
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RN1113FT
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