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RN1112,RN1113
东芝三极管
硅NPN外延型（厘过程）
RN1112 ， RN1113
开关，逆变电路，接口电路
和驱动器电路应用
利用内置的偏置电阻
简化的电路设计
部件和简化过程的数目减少
为了配合RN2112 ， RN2113
单位：mm
等效电路
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
c
P
c
T
j
T
英镑
等级
50
50
5
100
100
150
55~150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
JEDEC
EIAJ
东芝
重量： 2.4mg
―
―
2-2H1A
注：在重负载下连续使用（如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化）可能会导致此产品在可靠性，降低显著甚至
如果操作条件（即工作温度/电流/电压等）内的绝对最大
收视率。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
（ “注意事项” / “降额的概念和方法” ）和个人数据的可靠性（即可靠性试验
报告与估计的故障率，等）。
电气特性
（ TA = 25°C ）
特征
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
转换频率
集电极输出电容
输入电阻
RN1112
RN1113
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE （SAT）
f
T
C
ob
R1
TEST
电路
―
―
―
―
―
―
―
测试条件
V
CB
= 50 V，I
E
= 0
V
EB
= 5 V，I
C
= 0
V
CE
= 5 V，I
C
= 1毫安
I
C
= 5毫安，我
B
= 0.25毫安
V
CE
= 10 V，I
C
= 5毫安
V
CB
= 10 V，I
E
= 0中，f = 1 MHz的
―
民
―
―
120
―
―
―
15.4
32.9
典型值。
―
―
―
0.1
250
3
22
47
最大
100
100
700
0.3
―
6
28.6
61.1
单位
nA
nA
―
V
兆赫
pF
k
1
2007-11-01
RN1112,RN1113
RN1112
RN1112
RN1113
RN1113
2
2007-11-01
RN1112,RN1113
RN1112
RN1112
RN1113
RN1113
3
2007-11-01
RN1112,RN1113
型号名称
记号
RN1112
RN1113
4
2007-11-01
RN1112,RN1113
限制产品使用
此处所包含的信息如有更改，恕不另行通知。
20070701 - EN GENERAL
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过，半导体
在一般的设备可能发生故障或失效，由于其固有的电灵敏度和容易受到物理
压力。它是利用东芝产品时，买方的责任，以符合标准
安全性在制造安全的设计对整个系统，并避免出现在其中一个发生故障或失效
如东芝的产品可能会造成人的生命，人身伤害或财产损失财产。
在开发设计时，请确保东芝产品在规定的工作范围内所用
阐述在最近东芝产品规格。另外，请记住注意事项，
设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性
手册“等。
本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用
（计算机，个人设备，办公设备，测量设备，工业机器人，家用电器，
等） ，这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法
非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或
人身伤害（ “意外用法” ） 。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表，飞机或
太空船仪器，运输仪器，交通信号仪器仪表，燃烧控制仪表，
医疗器械，各种安全装置等。东芝产品的非预期使用中列出了他
文件应在客户自己的风险进行。
本文档中所描述的产品，不得使用或嵌入到任何下游产品，其中
制造，使用和/或出售的任何可适用的法律，法规禁止的。
此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。没有
承担因东芝专利或其它第三方权利的任何侵犯其
可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或其他任何专利或其他权利
东芝或第三方。
请符合有关本文档中联系您的销售代表产品对产品的细节
兼容性。请本文档中遵守所有适用法律和法规使用这些产品
该规范的受控物质列入或使用。东芝公司不承担损害或损失不承担任何责任
如发生不遵守适用的法律和法规的结果。
5
2007-11-01
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