【RN1107CT RN1109CT东芝三极管NPN硅外延式（ PCT程序）（偏置电阻内置晶体管）】,IC型号RN1108CT,RN1108CT PDF资料,RN1108CT经销商,ic,电子元器件-51电子网

RN1107CT RN1109CT

东芝三极管

NPN硅外延式（ PCT程序）（偏置电阻内置晶体管）

RN1107CT,RN1108CT,RN1109CT

切换应用程序

逆变器电路中的应用

接口电路中的应用

驱动器电路应用

1.0±0.05

单位：mm

0.6±0.05

0.5±0.03

0.25±0.03

１

0.25±0.03

２

补充RN2107CT到RN2109CT

等效电路和偏置电阻值

型号

RN1107CT

RN1108CT

RN1109CT

R1 （ kΩ的）

R2值（kΩ ）

0.35±0.02

0.15±0.03

0.65±0.02

0.05±0.03

掺入一个偏置电阻到一个晶体管减少的数量

份，这使得能够更加紧凑的制造

设备，节省组装成本。

３

CST3

JEDEC

JEITA

东芝

1.BASE

2.EMITTER

3.COLLECTOR

―

2-1J1A

重量： 0.75毫克（典型值）。

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

特征

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

RN1107CT到RN1109CT

RN1107CT

发射极 - 基极电压

RN1108CT

RN1109CT

集电极电流

集电极耗散功率

结温

存储温度范围

RN1107CT到RN1109CT

英镑

EBO

符号

CBO

首席执行官

等级

150

°C

单位

注：在重负载下连续使用（如高温/电流/电压和应用

在温度等显著变化）可能会导致此产品在可靠性，降低显著甚至

如果操作条件（ ieoperatingtemperature /电流/电压等）内的绝对最大

收视率。

请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性

（ “注意事项” / “降额的概念和方法” ）和个人数据的可靠性（即可靠性试验

报告与估计的故障率，等）。

2009-04-13

0.38 +0.02

-0.03

0.05±0.03

RN1107CT RN1109CT

电气特性

（ TA = 25°C ）

特征

集电极截止电流

RN1107CT以1109CT

RN1107CT

发射极截止电流

RN1108CT

RN1109CT

RN1107CT

直流电流增益

RN1108CT

RN1109CT

集电极 - 发射极

饱和电压

RN1107CT以1109CT

RN1107CT

输入电压（ ON）的

RN1108CT

RN1109CT

RN1107CT

输入电压（OFF）的

RN1108CT

RN1109CT

集电极输出

电容

RN1107CT以1109CT

RN1107CT

输入电阻

RN1108CT

RN1109CT

RN1107CT

电阻率

RN1108CT

RN1109CT

R1/R2

10 V，I

1兆赫

我（关闭）

5 V，I

0.1毫安

我（上）

0.2 V，I

5毫安

CE （SAT）

5毫安，我

0.25毫安

5 V，I

10毫安

EBO

符号

CBO

首席执行官

测试条件

20 V，I

6 V，I

7 V，I

15 V，I

民

0.088

0.085

0.182

120

100

典型值。

最大

100

500

0.131

0.126

0.271

单位

1.2

0.213

0.468

2.14

0.15

1.5

2.2

5.0

1.0

1.1

2.6

0.7

0.8

1.6

0.5

0.6

1.3

17.6

37.6

0.17

0.374

1.71

26.4

56.4

0.255

0.562

2.56

kΩ

2009-04-13

RN1107CT RN1109CT

RN1107CT

100

集电极电流Ic （ mA）的

RN1107CT

10000

集电极电流IC （ μA ）

共发射极

VCE=5V

1000

Ta=100°C

-25

IC - 六（ ON）

IC - 六（OFF ）

Ta=100°C

-25

共发射极

VCE=0.2V

100

0.1

100

输入电压Vi （ON），（V）的

0.2

0.4

0.6

0.8

1.2

1.4

输入电压Vi （关）（V）的

RN1108CT

100

集电极电流Ic （ mA）的

IC - 六（ ON）

10000

集电极电流IC （ μA ）

RN1108CT

IC - 六（OFF ）

共发射极

VCE=5V

Ta=100°C

1000

Ta=100°C

-25

共发射极

VCE=0.2V

0.1

100

输入电压Vi （ON），（V）的

100

0.2

0.4

0.6

0.8

1.2

1.4

1.6

输入电压Vi （关）（V）的

RN1109CT

100

集电极电流Ic （ mA）的

IC - 六（ ON）

10000

RN1109CT

IC - 六（OFF ）

共发射极

VCE=5V

集电极电流IC （ μA ）

Ta=100°C

-25

共发射极

VCE=0.2V

0.1

100

输入电压Vi （ON），（V）的

1000

Ta=100°C

-25

100

0.6

1.4

1.8

2.2

2.6

输入电压Vi （关）（V）的

2009-04-13

RN1107CT RN1109CT

RN1107CT

1000

集电极 - 发射极饱和

电压VCE （SAT）（MV ）

Ta=100°C

直流电流增益hFE

的hFE - IC

1000

共发射极

IC / IB = 20

RN1107CT

VCE （SAT） - IC

100

-25

100

Ta=100°C

共发射极

VCE = 5V

集电极电流Ic （ mA）的

100

-25

集电极电流Ic （ mA）的

RN1108CT

100

RN1108CT

1000

Ta=100°C

的hFE - IC

集电极 - 发射极饱和

电压VCE （SAT）（MV ）

1000

VCE （SAT） - IC

共发射极

IC / IB = 20

直流电流增益hFE

100

-25

100

Ta=100°C

-25

集电极电流Ic （ mA）的

100

共发射极

VCE = 5V

100

集电极电流Ic （ mA）的

RN1109CT

1000

的hFE - IC

1000

集电极 - 发射极饱和

电压VCE （SAT）（MV ）

RN1109CT

VCE （SAT） - IC

共发射极

IC / IB = 20

直流电流增益hFE

Ta=100°C

100

-25

100

Ta=100°C

共发射极

VCE = 5V

集电极电流Ic （ mA）的

100

-25

集电极电流Ic （ mA）的

100

2009-04-13

RN1107CT RN1109CT

型号名称

记号

型号名称

RN1107CT

型号名称

RN1108CT

型号名称

RN1109CT

操作注意事项

当处理单个设备（其尚未安装在电路板），可确保环境是

防止静电电。操作人员应穿防静电服装，以及集装箱和其他对象

该直接接触与设备应当由防静电材料。

2009-04-13