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RN1107~1109
东芝三极管
硅NPN外延型（厘过程）
RN1107 ， RN1108 ， RN1109
开关，逆变电路，接口电路
和驱动器电路应用
凭借内置的偏置电阻器。
简化的电路设计
部件的数目减少和简化的制造过程
为了配合RN2107到2109
单位：mm
等效电路和偏置电阻值
型号
RN1107
RN1108
RN1109
R1 （ kΩ的）
10
22
47
R2值（kΩ ）
47
47
22
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
RN1107 1109
RN1107 1109
RN1107
发射极 - 基极电压
RN1108
RN1109
集电极电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
RN1107 1109
RN1107 1109
RN1107 1109
RN1107 1109
I
C
P
C
T
j
T
英镑
V
EBO
符号
V
CBO
V
首席执行官
等级
50
50
6
7
15
100
100
150
55
150
JEDEC
―
JEITA
―
东芝
2-2H1A
重量： 2.4mg （典型值）。
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
注：在重负载下连续使用（如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化）可能会导致此产品在可靠性，降低显著甚至
如果操作条件（即工作温度/电流/电压等）内的绝对最大
收视率。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
（ “注意事项” / “降额的概念和方法” ）和个人数据的可靠性（即可靠性试验
报告与估计的故障率，等）。
1
2010-04-06
RN1107~1109
电气特性
（ TA = 25°C ）
特征
收藏家切断电流
RN1107 1109
RN1107
发射极截止电流
RN1108
RN1109
RN1107
直流电流增益
RN1108
RN1109
集电极 - 发射极
饱和电压
RN1107 1109
RN1107
输入电压（ ON）的
RN1108
RN1109
RN1107
输入电压（OFF）的
RN1108
RN1109
跃迁频率
集电极输出
电容
RN1107 1109
RN1107 1109
RN1107
输入电阻
RN1108
RN1109
RN1107
电阻率
RN1108
RN1109
R1/R2
R1
f
T
C
ob
V
我（关闭）
V
我（上）
V
CE （SAT）
h
FE
I
EBO
符号
I
CBO
I
首席执行官
TEST
电路
测试条件
V
CB
= 50 V，I
E
= 0
V
CE
= 50 V，I
B
= 0
V
EB
= 6 V，I
C
= 0
V
EB
= 7 V，I
C
= 0
V
EB
= 15 V，I
C
= 0
民
典型值。
最大
100
500
0.15
0.145
0.311
mA
单位
nA
nA
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
0.081
0.078
0.167
80
―
―
―
―
―
―
―
―
0.1
―
―
―
0.3
1.8
2.6
5.8
1.0
1.16
2.6
―
6
13
28.6
61.1
0.232
0.515
2.35
―
k
兆赫
pF
V
V
V
―
V
CE
= 5 V，I
C
= 10毫安
80
70
I
C
= 5毫安，我
B
= 0.25毫安
―
0.7
―
―
―
―
―
―
―
―
V
CE
= 10 V，I
C
= 5毫安
V
CB
= 10 V，I
E
= 0,
F = 1 MHz的
V
CE
= 5 V，I
C
- 0.1毫安
V
CE
- 0.2 V，I
C
= 5毫安
―
―
―
―
―
―
250
3
10
22
47
0.213
0.468
2.14
1.0
2.2
0.5
0.6
1.5
―
―
7
―
―
―
―
―
―
―
―
15.4
32.9
0.191
0.421
1.92
2
2010-04-06
RN1107~1109
RN1107
RN1107
RN1108
RN1108
RN1109
RN1109
3
2010-04-06
RN1107~1109
RN1107
RN1107
RN1108
RN1108
RN1109
RN1109
4
2010-04-06
RN1107~1109
型号名称
记号
RN1107
RN1108
RN1109
5
2010-04-06
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厂家
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封装
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操作
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