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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符R型号页 > 首字符R的型号第105页 > RN1106
RN1101~RN1106
东芝晶体管NPN硅外延式( PCT程序)
RN1101,RN1102,RN1103
RN1104,RN1105,RN1106
开关,逆变电路,接口电路
和驱动器电路应用
l
利用内置的偏置电阻
l
简化电路设计
l
减少部件数量和制造工艺的数量
l
为了配合RN2101 RN2106
单位:mm
等效电路和偏置电阻值的
型号
RN1101
RN1102
RN1103
RN1104
RN1105
RN1106
R1 ( kΩ的)
4.7
10
22
47
2.2
4.7
R2值(kΩ )
4.7
10
22
47
47
47
最大额定值
( TA = 25°C )
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
RN1101~1106
RN1101~1106
RN1101~1104
RN1105 , 1106
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
等级
50
50
10
5
100
100
150
55~150
JEDEC
EIAJ
东芝
重量: 2.4mg
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
2-2H1A
1
2001-06-07
RN1101~RN1106
电气特性
( TA = 25°C )
特征
集电极截止
当前
RN1101~1106
RN1101
RN1102
发射极截止电流
RN1103
RN1104
RN1105
RN1106
RN1101
RN1102
直流电流增益
RN1103
RN1104
RN1105
RN1106
集电极 - 发射极
饱和电压
RN1101~1106
RN1101
RN1102
输入电压( ON)的
RN1103
RN1104
RN1105
RN1106
输入电压(OFF)的
跃迁频率
集电极输出
电容
RN1101~1104
RN1105 , 1106
RN1101~1106
RN1101~1106
RN1101
RN1102
输入电阻
RN1103
RN1104
RN1105
RN1106
RN1101~1104
电阻率
RN1105
RN1106
R1/R2
―
R1
―
V
我(关闭)
f
T
C
ob
―
―
―
V
CE
= 5V ,我
C
= 0.1毫安
V
CE
= 10V ,我
C
= 5毫安
V
CB
= 10V ,我
E
= 0,
F = 1MH
z
V
我(上)
―
V
CE
= 0.2V ,我
C
= 5毫安
V
CE (SAT)
I
C
= 5毫安,我
B
= 0.25毫安
h
FE
V
CE
= 5V ,我
C
= 10毫安
I
EBO
V
EB
= 10V ,我
C
= 0
符号
I
CBO
I
首席执行官
TEST
电路
测试条件
V
CB
= 50V ,我
E
= 0
V
CE
= 50V ,我
B
= 0
―
0.82
0.38
0.17
0.082
V
EB
= 5V ,我
C
= 0
0.078
0.074
30
50
70
80
80
80
1.1
1.2
1.3
1.5
0.6
0.7
1.0
0.5
―
―
3.29
7
15.4
32.9
1.54
3.29
0.9
0.0421
0.09
典型值。
―
最大
100
500
1.52
0.71
0.33
0.15
0.145
0.138
mA
单位
nA
―
―
0.1
0.3
2.0
2.4
3.0
5.0
1.1
1.3
1.5
0.8
6
6.11
13
28.6
61.1
2.86
6.11
1.1
0.0515
0.11
―
k
V
MH
z
PFU
V
V
250
3
4.7
10
22
47
2.2
4.7
1.0
0.0468
0.1
2
2001-06-07
RN1101~RN1106
3
2001-06-07
RN1101~RN1106
4
2001-06-07
RN1101~RN1106
5
2001-06-07
RN1101RN1106
东芝三极管
硅NPN外延型(厘过程)
RN1101 , RN1102 , RN1103 ,
RN1104 , RN1105 , RN1106
开关,逆变电路,接口电路
和驱动器电路应用
利用内置的偏置电阻
简化的电路设计
部件的数目减少和简化的制造过程
为了配合RN2101 RN2106
单位:mm
等效电路和偏置电阻值的
型号
RN1101
RN1102
RN1103
RN1104
RN1105
RN1106
R1 ( kΩ的)
4.7
10
22
47
2.2
4.7
R2值(kΩ )
4.7
10
22
47
47
47
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
RN1101~1106
RN1101~1106
RN1101~1104
RN1105 , 1106
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
等级
50
50
10
5
100
100
150
55~150
JEDEC
EIAJ
东芝
重量: 2.4毫克
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
2-2H1A
注:在重负载下连续使用(如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化)可能会导致此产品在可靠性,降低显著甚至
如果操作条件(即工作温度/电流/电压等)内的绝对最大
收视率。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
( “注意事项” / “降额的概念和方法” )和个人数据的可靠性(即可靠性试验
报告与估计的故障率,等)。
1
2007-11-01
RN1101RN1106
电气特性
( TA = 25°C )
特征
集电极截止
当前
RN1101~1106
RN1101
RN1102
发射极截止电流
RN1103
RN1104
RN1105
RN1106
RN1101
RN1102
直流电流增益
RN1103
RN1104
RN1105
RN1106
集电极 - 发射极
饱和电压
RN1101~1106
RN1101
RN1102
输入电压( ON)的
RN1103
RN1104
RN1105
RN1106
输入电压(OFF)的
跃迁频率
集电极输出
电容
RN1101~1104
RN1105 , 1106
RN1101~1106
RN1101~1106
RN1101
RN1102
输入电阻
RN1103
RN1104
RN1105
RN1106
RN1101~1104
电阻率
RN1105
RN1106
R1/R2
R1
V
我(关闭)
f
T
C
ob
V
CE
= 5 V,I
C
- 0.1毫安
V
CE
= 10 V,I
C
= 5毫安
V
CB
= 10 V,I
E
= 0,
F = 1 MH
z
V
我(上)
V
CE
- 0.2 V,I
C
= 5毫安
V
CE (SAT)
I
C
= 5毫安,我
B
= 0.25毫安
h
FE
V
CE
= 5 V,I
C
= 10毫安
I
EBO
V
EB
= 10 V,I
C
= 0
符号
I
CBO
I
首席执行官
TEST
电路
测试条件
V
CB
= 50 V,I
E
= 0
V
CE
= 50 V,I
B
= 0
0.82
0.38
0.17
0.082
V
EB
= 5 V,I
C
= 0
0.078
0.074
30
50
70
80
80
80
1.1
1.2
1.3
1.5
0.6
0.7
1.0
0.5
3.29
7
15.4
32.9
1.54
3.29
0.9
0.0421
0.09
典型值。
0.1
250
3
4.7
10
22
47
2.2
4.7
1.0
0.0468
0.1
最大
100
500
1.52
0.71
0.33
0.15
0.145
0.138
0.3
2.0
2.4
3.0
5.0
1.1
1.3
1.5
0.8
6
6.11
13
28.6
61.1
2.86
6.11
1.1
0.0515
0.11
k
V
MH
z
pF
V
V
mA
单位
nA
2
2007-11-01
RN1101RN1106
RN1101
IC (MA )
RN1102
集电极电流
RN1103
RN1104
RN1105
RN1106
3
2007-11-01
RN1101RN1106
RN1101
RN1102
RN1103
RN1104
RN1105
RN1106
4
2007-11-01
RN1101RN1106
RN1101
RN1102
RN1103
RN1104
RN1105
RN1106
5
2007-11-01
RN1101~RN1106
东芝晶体管NPN硅外延式( PCT程序)
RN1101,RN1102,RN1103
RN1104,RN1105,RN1106
开关,逆变电路,接口电路
和驱动器电路应用
l
利用内置的偏置电阻
l
简化电路设计
l
减少部件数量和制造工艺的数量
l
为了配合RN2101 RN2106
单位:mm
等效电路和偏置电阻值的
型号
RN1101
RN1102
RN1103
RN1104
RN1105
RN1106
R1 ( kΩ的)
4.7
10
22
47
2.2
4.7
R2值(kΩ )
4.7
10
22
47
47
47
最大额定值
( TA = 25°C )
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
RN1101~1106
RN1101~1106
RN1101~1104
RN1105 , 1106
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
等级
50
50
10
5
100
100
150
55~150
JEDEC
EIAJ
东芝
重量: 2.4mg
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
2-2H1A
1
2001-06-07
RN1101~RN1106
电气特性
( TA = 25°C )
特征
集电极截止
当前
RN1101~1106
RN1101
RN1102
发射极截止电流
RN1103
RN1104
RN1105
RN1106
RN1101
RN1102
直流电流增益
RN1103
RN1104
RN1105
RN1106
集电极 - 发射极
饱和电压
RN1101~1106
RN1101
RN1102
输入电压( ON)的
RN1103
RN1104
RN1105
RN1106
输入电压(OFF)的
跃迁频率
集电极输出
电容
RN1101~1104
RN1105 , 1106
RN1101~1106
RN1101~1106
RN1101
RN1102
输入电阻
RN1103
RN1104
RN1105
RN1106
RN1101~1104
电阻率
RN1105
RN1106
R1/R2
―
R1
―
V
我(关闭)
f
T
C
ob
―
―
―
V
CE
= 5V ,我
C
= 0.1毫安
V
CE
= 10V ,我
C
= 5毫安
V
CB
= 10V ,我
E
= 0,
F = 1MH
z
V
我(上)
―
V
CE
= 0.2V ,我
C
= 5毫安
V
CE (SAT)
I
C
= 5毫安,我
B
= 0.25毫安
h
FE
V
CE
= 5V ,我
C
= 10毫安
I
EBO
V
EB
= 10V ,我
C
= 0
符号
I
CBO
I
首席执行官
TEST
电路
测试条件
V
CB
= 50V ,我
E
= 0
V
CE
= 50V ,我
B
= 0
―
0.82
0.38
0.17
0.082
V
EB
= 5V ,我
C
= 0
0.078
0.074
30
50
70
80
80
80
1.1
1.2
1.3
1.5
0.6
0.7
1.0
0.5
―
―
3.29
7
15.4
32.9
1.54
3.29
0.9
0.0421
0.09
典型值。
―
最大
100
500
1.52
0.71
0.33
0.15
0.145
0.138
mA
单位
nA
―
―
0.1
0.3
2.0
2.4
3.0
5.0
1.1
1.3
1.5
0.8
6
6.11
13
28.6
61.1
2.86
6.11
1.1
0.0515
0.11
―
k
V
MH
z
PFU
V
V
250
3
4.7
10
22
47
2.2
4.7
1.0
0.0468
0.1
2
2001-06-07
RN1101~RN1106
3
2001-06-07
RN1101~RN1106
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2001-06-07
RN1101~RN1106
5
2001-06-07
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    RN1106
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:0755-82574045
联系人:张女士
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
RN1106
TOSHIBA/东芝
21+22+
62710
SOT723
原装正品
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电话:0755*83682918
联系人:林小姐
地址:深圳市福田区华强花园A座30E
RN1106
TOSHIBA/东芝
22+
16000
SOT723
原装正品自家库存
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电话:19520735817/13148740183
联系人:米小姐,黄小姐
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格科技园2栋西
RN1106
TOSHIBA
21+
2800
SOT-523
三极管
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电话:755-83252273
联系人:郑
地址:中航路新亚洲二期N3D039
RN1106
TOSHIBA
24+
90000
SC-75
绝对全新原装/自己库存现货
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电话:13537790913
联系人:朱成平
地址:深圳市龙岗区平湖街道良安田社区茗萃园三期12号楼,13号楼12楼B座401
RN1106
TOSHIBA
21+
6000
原装国内现货
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电话:0755-82561519 0755-82567969 18928435545
联系人:李
地址:深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室
RN1106
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地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层
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联系人:刘先生
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√ 欧美㊣品
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电话:0755-83777708/83777607/82799993
联系人:朱咸华
地址:美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜
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